74HC14是施密特觸發(fā)器。正向閾值指輸入端電壓由低變高達(dá)到輸出翻轉(zhuǎn)時(shí)的值。反向閾值指輸入電壓由高到低變化輸出翻轉(zhuǎn)時(shí)的輸入電壓值。正向輸入閾值電壓是輸入大于這個(gè)電壓時(shí)，輸出為低電平。反向輸入閾值電壓是輸入低于這個(gè)電壓時(shí)，輸出為高電平。
2018-10-24 09:30:36
16608 
本文將重點(diǎn)討論使用雙極性結(jié)型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源。
2022-08-01 09:03:571150 
碳化硅SiC MOSFET的閾值電壓穩(wěn)定性相對(duì)Si材料來(lái)講，是比較差的，對(duì)應(yīng)用端的影響也很大。
2023-05-30 16:06:181175 
傳輸門(mén)是由外部施加的邏輯電平控制的NMOS和PMOS晶體管組成的雙向開(kāi)關(guān)。
2023-08-10 09:02:201943 
分析完閾值電壓的機(jī)制后，下面我們重點(diǎn)分析一下MOS器件的電壓、電流與閾值電壓之間的關(guān)系。
2023-11-29 14:42:33999 
輸出特性曲線：固定VGS值，且數(shù)值大于閾值電壓時(shí)，MOS晶體管的源漏電流IDS隨VDS的變化曲線。
2023-12-01 14:13:131564 
描述dcreg12v3a mj2955 lm78122955 MJ晶體管的作用是作為電流放大器，使輸出電流達(dá)到安培單位，通常如果沒(méi)有晶體管這個(gè)電路只能達(dá)到毫安單位。出于電源的目的，晶體管必須不斷地
2022-09-05 06:18:39
。 8050晶體管及其等效的8550晶體管設(shè)計(jì)用于低功耗推挽放大器應(yīng)用中的互補(bǔ)晶體管對(duì)。通常，8050晶體管是2瓦放大器，最大集電極-發(fā)射極電流為1.5安培，最大集電極-發(fā)射極電壓為25伏。 基本晶體管
2023-02-16 18:22:30
TR的情況，除此之外，還有5V以下(突破此耐壓范圍，會(huì)發(fā)生hFE低下等特性的劣化，請(qǐng)注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性沒(méi)有太大的變化關(guān)于封裝功率容許功定義：是指由于輸入晶體管的電壓、電流
2019-04-09 21:27:24
晶體管低頻電壓放大電路:實(shí)驗(yàn)?zāi)康?1.加深理解放大電路的工作原理； 2.掌握放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)的調(diào)整和測(cè)量方法； 3.學(xué)會(huì)測(cè)量電壓放大倍數(shù)、輸入電阻、輸出電阻以及頻率特性。 實(shí)驗(yàn)原理&
2009-09-08 08:54:00
"。功率計(jì)算的積分公式計(jì)算基于電流I和電壓V的a-b間的積分功率導(dǎo)通電阻元件溫度計(jì)算方法什么是晶體管？目錄晶體管?由來(lái)概略晶體管數(shù)字晶體管的原理MOSFET特性導(dǎo)通電阻安全使用晶體管的選定方法元件溫度計(jì)算方法負(fù)載開(kāi)關(guān)常見(jiàn)問(wèn)題
2019-04-15 06:20:06
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
晶體管的電流方向相反。如果使晶體管以開(kāi)關(guān)方式工作，需要加大基極電流晶體管VCE的飽和狀態(tài)當(dāng)晶體管處于開(kāi)關(guān)工作方式時(shí)，因?yàn)殡娫?b class="flag-6" style="color: red">電壓和集電極電阻的限制，集電極IC不足以提供hFEIB大小的電流。因此
2017-03-28 15:54:24
、電壓／電流反饋放大電路、晶體管／FET開(kāi)關(guān)電路、模擬開(kāi)關(guān)電路、開(kāi)關(guān)電源、振蕩電路等。上冊(cè)則主要介紹放大電路的工作、增強(qiáng)輸出的電路、功率放大器的設(shè)計(jì)與制作、拓寬頻率特性等。`
2019-03-06 17:29:48
，PMOS指的是P型MOSFET。注意，MOS中的柵極Gate可以類比為晶體管中的b極，由它的電壓來(lái)控制整個(gè)MOS管的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)。 NMOS電路符號(hào)如下圖： PMOS電路符號(hào)如下
2021-01-13 16:23:43
本帖最后由 elecfans電子發(fā)燒友 于 2017-10-24 22:44 編輯
在四種常用晶體管開(kāi)關(guān)電路（2種NMOS，2種PMOS）一文中，介紹了晶體管構(gòu)成的開(kāi)關(guān)電路。這里我們使用所述
2016-08-30 04:32:10
，按動(dòng)相應(yīng)的hFE鍵，再?gòu)谋碇凶x出hFE值即可。 3．反向擊穿電壓的檢測(cè) 晶體管的反向擊穿電壓可使用晶體管直流參數(shù)測(cè)試表的V（BR）測(cè)試功能來(lái)測(cè)量。測(cè)量時(shí)，先選擇被測(cè)晶體管的極性，然后將晶體管插入測(cè)試
2012-04-26 17:06:32
晶體管測(cè)量模塊的基本特性有哪些？晶體管測(cè)量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯(cuò)的晶體管電路設(shè)計(jì)書(shū)籍！`
2016-11-08 14:12:33
等同hFE，甚至相差很大，所以不要將其混淆。β和hFE大小除了與晶體管結(jié)構(gòu)和工藝等有關(guān)外，還與管子的工作電流（直流偏置）有關(guān)，工作電流IC在正常情況下改變時(shí)，β和hFE也會(huì)有所變化；若工作電流變得過(guò)小或
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開(kāi)關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
本篇開(kāi)始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，不過(guò)根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據(jù)處理的電流、電壓和應(yīng)用進(jìn)行分類。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
的電流、電壓和應(yīng)用進(jìn)行分類。 下面以“功率元器件”為主題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開(kāi)說(shuō)明。其中，將以近年來(lái)控制大功率的應(yīng)用中廣為采用的MOSFET為主來(lái)展開(kāi)。 先來(lái)看一下晶體管的分類與特征
2020-06-09 07:34:33
是"增幅"和"開(kāi)關(guān)"。比如收音機(jī)。放大空中傳播的極微弱信號(hào)，使音箱共鳴。這一作用便是晶體管的增幅作用。不改變輸入信號(hào)的波形，只放大電壓或電流。這是模擬信號(hào)的情況，但是
2019-07-23 00:07:18
晶體管開(kāi)關(guān)能力的方法。在這樣的大功率電路中，存在的主要問(wèn)題是布線。很高的開(kāi)關(guān)速度能在很短的連接線上產(chǎn)生相當(dāng)高的干擾電壓。簡(jiǎn)單和優(yōu)化的基極驅(qū)動(dòng)造就的高性能今日的基極驅(qū)動(dòng)電路不僅驅(qū)動(dòng)功率晶體管，還保護(hù)功率
2018-10-25 16:01:51
是"增幅"和"開(kāi)關(guān)"。比如收音機(jī)。放大空中傳播的極微弱信號(hào)，使音箱共鳴。這一作用便是晶體管的增幅作用。不改變輸入信號(hào)的波形，只放大電壓或電流。這是模擬信號(hào)的情況，但是
2019-05-05 00:52:40
較低的正向電壓（即正向偏置電壓），集電結(jié)（B、C極之間）要加上較高的反向電壓（即反向偏置電壓）。晶體管各極所加電壓的極性見(jiàn)圖5-5。
2013-08-17 14:24:32
功率、集電極最大電流、最大反向電壓、電流放大系數(shù)等參數(shù)及外地人形尺寸等是否符合應(yīng)用電路的要求。 2．末級(jí)視放輸出管的選用彩色電視機(jī)中使用的末級(jí)視放輸出管，應(yīng)選用特征頻率高于80MHZ的高頻晶體管
2012-01-28 11:27:38
TR的情況，除此之外，還有5V以下(突破此耐壓范圍，會(huì)發(fā)生hFE低下等特性的劣化，請(qǐng)注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性沒(méi)有太大的變化關(guān)于封裝功率容許功定義：是指由于輸入晶體管的電壓、電流
2019-05-09 23:12:18
;nbsp; 晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開(kāi)關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為
2010-08-12 13:57:39
技術(shù)亞閾值漏電流是靜態(tài)功耗產(chǎn)生的主要原因之一，降低亞閾值漏電流將有效地降低芯片的靜態(tài)功耗。亞閾值漏電流的解析模型如下公式所示：Vt為閾值電壓，n為亞閾值擺幅系數(shù)，W為晶體管的寬度，L為長(zhǎng)度，μ為電子
2020-04-28 08:00:00
電壓（與功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻相當(dāng)）和較快的開(kāi)關(guān)特性的晶體管。盡管其具有較快的開(kāi)關(guān)特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點(diǎn)。【功率元器件的基本結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)
2019-05-06 05:00:17
為什么PMOS的閾值電壓要高于NMOS呢？下面是我用HSPICE仿真的代碼.opt scale=0.1u * Set lambdamp drainp gatep Vdd Vdd pch l=2 w
2018-11-15 14:00:50
短路，只有一個(gè)端子。它是一個(gè)三端器件：源極、漏極和柵極。閾值電壓（Vth）沒(méi)有外部控制。 獨(dú)立柵極 FET（IG 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種四端子器件（圖 7）。這種布置是一種雙柵極器件，其柵極通過(guò)掩蔽
2023-02-24 15:20:59
MOSFET的VGS(th)：柵極閾值電壓MOSFET的VGS(th)：柵極閾值電壓是為使MOSFET導(dǎo)通，柵極與源極間必需的電壓。也就是說(shuō)，VGS如果是閾值以上的電壓，則MOSFET導(dǎo)通。可能有
2019-05-02 09:41:04
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過(guò)壓擊穿怎么放著那，當(dāng)我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見(jiàn)晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
的比例關(guān)系。2）偏置電路 當(dāng)晶體管用于實(shí)際的放大電路時(shí)，還需要添加合適的偏置電路。這有幾個(gè)原因。首先，由于晶體管的BE結(jié)（相當(dāng)于二極管）的非線性，輸入電壓達(dá)到一定水平后必須產(chǎn)生基極電流（對(duì)于硅管，通常
2023-02-08 15:19:23
集電極電流的公式與用于等效 NPN 晶體管的公式相同，并給出如下。NPN和PNP晶體管之間的基本區(qū)別在于晶體管結(jié)的適當(dāng)偏置，因?yàn)殡娏骱?b class="flag-6" style="color: red">電壓極性總是相互對(duì)立的。因此，在上述電路中，Ic = Ie -Ib
2023-02-03 09:44:48
小于N溝道MOS晶體管。此外，P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對(duì)值一般偏高，要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性，與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大，充電放電過(guò)程長(zhǎng)
2021-10-28 10:07:00
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
STM32是3.3V供電的芯片，在用AD的時(shí)候，閾值電壓能否接到0-5V上？
2013-02-28 18:18:59
。晶體管作為一種可變開(kāi)關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開(kāi)關(guān)，和一般機(jī)械開(kāi)關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號(hào)來(lái)控制，而且開(kāi)關(guān)速度可以非常之快，在實(shí)驗(yàn)室中
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來(lái)代替，MFR151管子能用哪個(gè)來(lái)代替？或是誰(shuí)有這兩個(gè)高頻管子的原件庫(kù)？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
PNP和NPN兩種，一般在信號(hào)源電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)優(yōu)先選用三極管。二、場(chǎng)效應(yīng)晶體管定義：場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管，也稱為單極型晶體管，主要有兩種類型，JFET管
2019-04-08 13:46:25
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
類型。3.2 晶體管的種類及其特點(diǎn)》巨型晶體管GTR是一種高電壓、高電流的雙極結(jié)型晶體管（BJT），因此有時(shí)被稱為功率BJT。特點(diǎn)：電壓高，電流大，開(kāi)關(guān)特性好，驅(qū)動(dòng)功率高，但驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜;GTR和普通雙極結(jié)型
2023-02-03 09:36:05
的輸入阻抗。 晶體管通常遵循與單個(gè)晶體管相同的設(shè)計(jì)規(guī)則，但有一些限制。它需要更高的基極發(fā)射極電壓才能導(dǎo)通，通常是單個(gè)晶體管的兩倍。它的關(guān)斷時(shí)間要長(zhǎng)得多，因?yàn)檩敵?b class="flag-6" style="color: red">晶體管基極電流不能主動(dòng)關(guān)斷。通過(guò)在輸出晶體管
2023-02-16 18:19:11
寬度是不可能的。 翅片厚度是一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，因?yàn)樗刂贫掏ǖ佬袨楹推骷膩?b class="flag-6" style="color: red">閾值擺幅。亞閾值擺幅測(cè)量晶體管的效率。正是柵極電壓的變化使漏極電流增加了一個(gè)數(shù)量級(jí)。 圖1.鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管尺寸
2023-02-24 15:25:29
輸入一起用來(lái)測(cè)量集電極電流。圖2.NMOS零增益放大器面包板電路程序步驟零增益放大器可用于創(chuàng)建穩(wěn)定的電流源。現(xiàn)在，當(dāng)W1所表示的輸入電源電壓變化時(shí)，晶體管Q1的集電極所看到的電壓更為穩(wěn)定，因此可以將其
2021-11-01 09:53:18
晶體管，基極上的電壓必須低于發(fā)射極上的電壓。像這樣的基本電路通常將發(fā)射器連接到電源的加號(hào)。通過(guò)這種方式，您可以判斷發(fā)射極上的電壓。PNP 晶體管如何開(kāi)啟？PNP 和 NPN 晶體管的端子電阻值然后，我們
2023-02-03 09:45:56
，進(jìn)而使SCR導(dǎo)通。
實(shí)驗(yàn)中：穩(wěn)壓管閾值電壓較大時(shí)SCR可正常導(dǎo)通；但是穩(wěn)壓管閾值小的時(shí)候，SCR始終不通，后端電路一直有漏電流。（如圖所示穩(wěn)壓管閾值電壓為42V）
2023-10-10 08:57:00
單極型晶體管也稱場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱FET（FieldEffectTransistor）。它是一種電壓控制型器件，由輸入電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出電流的大小。它工作時(shí)只有一種載流子（多數(shù)載流子）參與
2020-06-24 16:00:16
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請(qǐng)問(wèn)誰(shuí)有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
的第一個(gè)電路。 本文將展示四種晶體管開(kāi)關(guān)電路，其中2種使用NMOS，2種使有PMOS。 在電路設(shè)計(jì)過(guò)程中，有時(shí)需要“獨(dú)立”控制幾個(gè)開(kāi)關(guān)的通與斷。例如構(gòu)造某種波形。晶體管開(kāi)關(guān)能夠?qū)崿F(xiàn)一些開(kāi)關(guān)的通與斷不會(huì)
2016-08-30 01:01:44
必須將基端子接地，如圖6所示。 圖6.PNP晶體管的開(kāi)關(guān)電路 用于計(jì)算集電極電流、基極電阻和電壓的PNP晶體管方程與NPN計(jì)算中使用的公式相同。區(qū)別在于開(kāi)關(guān)電流。對(duì)于PNP，開(kāi)關(guān)電流是源電流
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
~3.3nf。當(dāng)Nb上端產(chǎn)生一個(gè)正的驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)，由于電容兩端電壓不能突變，上電瞬間電容如同短路，因此可認(rèn)為為VT1提供了很大的正向基極電流，使晶體管迅速導(dǎo)通。之后，電容CB被充電至激勵(lì)電壓的峰值而進(jìn)入穩(wěn)態(tài)
2020-11-26 17:28:49
電壓，低溫）作為最快的一種情況，而把（slow n,slow p,低電壓，高溫）作為最慢的一種情況。但是管子的閾值電壓與溫度成反比，也就是低溫時(shí)管子的閾值電壓會(huì)變高，而使得管子變慢，這就與上面的結(jié)論矛盾
2021-06-24 08:01:38
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
、電壓用示波器確認(rèn)晶體管上的電壓、電流。需要全部滿足規(guī)格書(shū)上記載的額定值，特別應(yīng)該確認(rèn)下列項(xiàng)目。特別應(yīng)該確認(rèn)的項(xiàng)目晶體管的種類電壓電流雙極晶體管集電極發(fā)射極間電壓 : VCE集電極電流 : IC數(shù)字晶體管
2019-05-05 09:27:01
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些？
2017-10-11 23:53:40
直流電流增益率的關(guān)系式GI：數(shù)字晶體管的直流電流增益率GI=IO/IinhFE=IC/IBIO=IC , Iin=IB +IR2, IB=IC/hFE , IR2=VBE/R2電壓關(guān)系式 VIN
2019-04-22 05:39:52
選定方法數(shù)字晶體管的型號(hào)說(shuō)明IO和IC的區(qū)別GI和hFE的區(qū)別VI(on)和VI(off)的區(qū)別關(guān)于數(shù)字晶體管的溫度特性關(guān)于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領(lǐng)域（數(shù)字晶體管的情況）關(guān)于數(shù)字晶體管
2019-04-09 21:49:36
有沒(méi)有關(guān)于晶體管開(kāi)關(guān)的電路分享?
2021-03-11 06:23:27
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
重要作用，這將在下面進(jìn)一步展開(kāi)。晶體管開(kāi)啟。像場(chǎng)效應(yīng)晶體管一樣，通過(guò)施加高于resp的柵極 - 源極電壓。低于閾值電壓。在關(guān)斷狀態(tài)下，p-GaN柵極通過(guò)提升AlGaN-GaN結(jié)的電位來(lái)耗盡下面的電子氣。在
2023-02-27 15:53:50
存在傳導(dǎo)損耗，這與晶體管的導(dǎo)通電阻RDS（on）有關(guān)。在狀態(tài)5時(shí)，驅(qū)動(dòng)信號(hào)VGSL變低，晶體管的通道通過(guò)硬開(kāi)關(guān)關(guān)閉。由于峰值勵(lì)磁電流Ilm_pk，存在電流和電壓交交叉開(kāi)關(guān)損耗。該損耗取決于晶體管的特性
2023-02-27 09:37:29
哪位高人能推薦下NMOS管型號(hào)：要求：用作高速開(kāi)關(guān)（幾K到幾十KHZ），閾值電壓小于等于3V，希望哪位大俠給指點(diǎn)下啊
2011-03-02 14:21:23
特性，我們將首先從GaN器件驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)開(kāi)始介紹。 正確設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路 諸如英飛凌科技 CoolGaN?600 V HEMT之類的GaN晶體管采用了柵極p型摻雜工藝，這會(huì)將器件的柵極閾值電壓轉(zhuǎn)換
2021-01-19 16:48:15
這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
遲滯比較器的閾值電壓除了由我的電阻參數(shù)設(shè)定 還要其他因素嗎？我做的實(shí)驗(yàn)中顯示我的設(shè)定值與實(shí)際值在某些情況下相差挺大的，我采用的是LM339這款比較器芯片。比如 我設(shè)定的值為VTL=1.5V、VTH=2.5V時(shí)，通過(guò)示波器觀察的到的VTL=2.48V、VTH=3.64V。
2019-04-01 16:51:27
;span]除了使用多柵結(jié)構(gòu)提高器件的柵控能力和S小于60mV/decade的TFET，另一種減小集成電路功耗的方法是降低晶體管的工作電壓Vdd。傳統(tǒng)的MOSFET等比例縮小原則假設(shè)閾值電壓也能等比例
2018-10-19 11:08:33
（PTAT）的電流，利用這個(gè)電流與一個(gè)工作在飽和區(qū)的二極管連接的NMOS晶體管的閾值電壓進(jìn)行補(bǔ)償，實(shí)現(xiàn)了一個(gè)低溫漂、高精度的基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)。 1 NMOS晶體管的構(gòu)成 兩個(gè)工作在弱反型區(qū)的NMOS晶體管
2018-11-30 16:38:24
面向BTI特征分析的在運(yùn)行中閾值電壓測(cè)量
2017-01-22 13:38:08
7 閾值電壓 （Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電壓隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
2017-11-27 17:18:4367572 
關(guān)于 MOSFET 的 W 和 L 對(duì)其閾值電壓 Vth 的影響，實(shí)際在考慮工藝相關(guān)因素后都是比較復(fù)雜，但是也可以有一些簡(jiǎn)化的分析，這里主要還是分析當(dāng)晶體管處在窄溝道和短溝道情況下，MOSFET 耗盡區(qū)的電荷的變化，從而分析其對(duì)晶體管的閾值電壓的作用。
2019-06-18 17:19:4635146 
本文報(bào)道了一個(gè)深入研究的負(fù)閾值電壓不穩(wěn)定性的gan-on-si金屬絕緣體半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管部分凹陷algan。基于一組在不同溫度下進(jìn)行的應(yīng)力/恢復(fù)實(shí)驗(yàn)，我們證明：1）在高溫和負(fù)柵偏壓（-10v
2019-10-09 08:00:002 本文報(bào)道了algan/gan高電子遷移率晶體管（hemt）在反向柵偏壓作用下閾值電壓的負(fù)漂移。該器件在強(qiáng)pinch-off和低漏源電壓條件下偏置一定時(shí)間（反向柵極偏置應(yīng)力），然后測(cè)量傳輸特性。施加
2019-10-09 08:00:0010 Vt roll-off核心是（同一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)下面）閾值電壓與柵長(zhǎng)之間的關(guān)系。當(dāng)溝道長(zhǎng)度比較長(zhǎng)的時(shí)候，Vt值是比較穩(wěn)定的。隨著溝道長(zhǎng)度的減小，閾值電壓會(huì)下降（對(duì)于PMOS而言是絕對(duì)值的下降）。
2022-12-30 15:14:411332 精確控制集成電路中MOSFET的閾值電壓對(duì)電路的可靠性至關(guān)重要。通常情況下，閾值電壓是通過(guò)向溝道區(qū)的離子注入來(lái)調(diào)整的。
2023-02-09 14:26:361147 此外，襯底偏壓也能影響閾值電壓。當(dāng)在襯底和源極之間施加反向偏壓時(shí)，耗盡區(qū)被加寬，實(shí)現(xiàn)反轉(zhuǎn)所需的閾值電壓也必須增加，以適應(yīng)更大的Qsc。
2023-02-09 14:26:381661 nMOS晶體管導(dǎo)通是通過(guò)溝道里面的電子產(chǎn)生電流的，一般NMOS的源極接襯底，共同接到地，漏極到源極加上正電壓，電子從源極向漏極流動(dòng)，我們?nèi)‰娏鞯姆较蚝碗娮恿鲃?dòng)的方向相反，所以電流是漏極流到源極。
2023-02-11 16:41:541979 
Vt指的是MOS管的閾值電壓（threshold voltage）。具體定義（以下圖NMOS為例）：當(dāng)柵源電壓（Vgs）由0逐漸增大，直到MOS管溝道形成反型層（圖中的三角形）所需要的電壓為閾值電壓。
2023-03-10 17:43:114541 MOS 晶體管正在按比例縮小，以最大限度地提高其在集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致氧化層厚度的減少，進(jìn)而降低了 MOS 器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下，泄漏電流變得很大，并有助于功耗。這就是為什么我們必須了解 MOS 晶體管中各種類型的泄漏電流的原因。
2023-03-24 15:39:191789 
由于SiC MOSFET與Si MOSFET特性的不同，SiC MOSFET的閾值電壓具有不穩(wěn)定性，在器件測(cè)試過(guò)程中閾值電壓會(huì)有明顯漂移，導(dǎo)致其電性能測(cè)試以及高溫柵偏試驗(yàn)后的電測(cè)試結(jié)果嚴(yán)重依賴于測(cè)試
2023-05-09 14:59:06853 
如果你能看到下面的方程式-我相信你可以很容易地弄清楚閾值電壓對(duì)電池延遲的影響。(注：以下電阻公式是關(guān)于NMOS的。您也可以為PMOS導(dǎo)出類似的公式(只需將下標(biāo)“n”替換為“p”)。
2023-09-07 10:03:59649 
影響MOSFET閾值電壓的因素? MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管）是一種常用的半導(dǎo)體器件，具有高輸入阻抗、低輸出阻抗、高增益等特點(diǎn)。MOSFET的閾值電壓是決定其工作狀態(tài)的重要參數(shù)，影響著
2023-09-17 10:39:446679
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