自動駕駛汽車正在成為現(xiàn)實，這種應用通過使用許多高性能的智能傳感器來實現(xiàn)。數(shù)字和微控制器（MCU）領域的技術進步，使我們可以為高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）創(chuàng)建各種傳感器，例如實現(xiàn)車道保持、自適應巡航控制，以及在超車期間檢測盲點的結構。ADAS既是一種對駕駛員有用的工具，又是一種用來滿足更高安全標準要求的解決方案。激光雷達（LiDAR）是ADAS最重要的元素之一，它可以用來實現(xiàn)行人檢測系統(tǒng)、盲點檢測和自適應巡航控制。通常，它對于需要檢測和勘測車輛周圍所有元素的所有應用都適用。不難理解，激光雷達的設計對獲得安全的自動駕駛汽車來說至關重要。
什么是激光雷達，它又是如何工作？
激光雷達的全稱是光檢測和測距，即通過光波段中的電磁輻射所進行的（遠程）檢測和測量。這種裝置采用了經(jīng)典、簡單的雷達原理，不同的是它使用的是由激光脈沖所組成的光束。用于計算射線源與任何物體之間的距離的技術又稱為TOF（飛行時間），如圖1所示。與雷達相比，光學裝置即使在長距離下也具有更高的分辨率，因此，它可以獲得更詳細的三維圖像，再經(jīng)過中央單元處理就可以避免碰撞。
圖1：TOF技術。（圖片來源：www.hamamatsu.com）
我們了解激光雷達的原理已有數(shù)十年的歷史，其應用涉及醫(yī)療、軍事以及汽車等許多領域。但是，使用激光束會帶來一些重要的技術問題：一方面，如果激光被證明是一種高分辨率光源，那么就可以充分利用這一特性，通過掃描來仔細重建環(huán)境的形態(tài)；另一方面，它需要具有較高的機械精度和納秒級的脈沖速度；此外，雷達的電磁波具有高反射系數(shù)，而對于激光而言卻不是如此，因此就需要為系統(tǒng)提供更多的能量。由于激光束是依靠大電流（甚至達數(shù)十安培的數(shù)量級）流過LED所產(chǎn)生的，因此，為了防止過熱，其占空比就必須非常低。要實現(xiàn)高脈沖速度和高能量，系統(tǒng)中的電子裝置就需要給以非常大的功率，因此，要增加系統(tǒng)功率，就不可避免地會帶來以下技術挑戰(zhàn)：
● 電源器件的散熱管理及散熱器的設計
● 電路能效
● 根據(jù)極限溫度找到合適的模塊
● 優(yōu)化電路板布局而最大程度降低寄生元件
激光雷達內部：激光驅動器
激光雷達的激光器是由專門設計的電路所驅動的，它能夠在短時間內提供大量電流。普通的驅動器是由一個與激光器串聯(lián)的、充當電流開關的元件所構成。實現(xiàn)這種驅動器最常用的電路拓撲之一是電容器放電諧振電路，如圖2所示。
圖2：電容器放電諧振電路。（圖片來源：epc-co.com）
Q1和DL分別是待激活的激光器的開關和LED。一旦控制器關閉，C1電容器就立即充電至VIN電壓。當Q1導通時，C1通過DL和L1電感放電，從而就形成了諧振電路。因此，流過激光器的電流就是正弦脈沖iDL，直到LED兩端的電壓高于其正向電壓VDLF為止。當DL上的電壓小于VDLF時，C1再次開始充電。
這種簡單電路的優(yōu)點有很多：
● 如果寄生電感已知，就可以對其利用；
● 傳輸?shù)郊す獾哪芰颗cVIN直接相關；
● 只有一個單端開關元件，因此很容易控制；
● 傳輸?shù)郊す馄鞯拿}沖，其持續(xù)時間小于開關器件的控制導通時間。
面對現(xiàn)實時，電路的技術方面存在沖突。在實際的激光雷達系統(tǒng)中，傳統(tǒng)的硅元件（例如MOSFET）無法為其激光驅動器實現(xiàn)提供必要的性能。為了增強控制，MOSFET的溝道必須很大，這會導致寄生電容的充電時間過長，從而導致開關頻率太低而不滿足應用所需。此外，散熱管理要達到良好的效果，就需要使用大體積、大重量的散熱器。
上述問題很難通過使用硅器件來解決，并且需要由經(jīng)驗豐富的、擅長電源和高頻領域工作的工程師和設計人員來進行。
創(chuàng)新的寬禁帶技術器件則具有理想的特性，目前的電子工程師可以利用這類器件來滿足汽車領域對激光雷達系統(tǒng)的需求。
氮化鎵（GaN）器件的電子遷移率是硅器件的數(shù)百倍，其能隙為3.4eV。與同類的硅產(chǎn)品相比，GaN MOSFET具有更低的傳導損耗、更高的開關速度、更好的熱性能，以及更小的尺寸和成本。
所有這些特性都可以滿足驅動器電路開關器件的需求。
圖3：GaN器件的基本結構。（圖片來源：www.st.com）
總結
氮化鎵器件在商用設備中的運用還只是開始。事實證明，這類幾年前還被認為是不可能或過于復雜的技術解決方案，現(xiàn)在在許多領域都取得了成功，例如激光雷達系統(tǒng)中的電源驅動器。因此可以肯定的是，在未來幾年，寬禁帶器件將會成為電力電子領域的主流，這樣就可以解決“舊”半導體器件的技術局限性。
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