近期，2家臺灣企業正在加速推進其SiC模塊工廠的建設
2024-03-18 10:52:32
338 
利用 SiC 功率器件開關頻率高、開關損耗低等優點, 將 SiC MOSFET 應用于水下航行器大功率高速電機逆變器模塊, 對軟硬件進行設計。
2024-03-13 14:31:4667 
為滿足快速發展的電動汽車行業對高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設計與開發，提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來并聯更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03376 
IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關特性受到許多外部參數的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。
2024-03-08 10:11:40496 
和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關頻率高等諸多優點,因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優點同時也給SiC功率器件的互連封裝帶來了挑戰。
2024-03-07 14:28:43103 
采用多芯片并聯的SiC功率模塊，會產生較嚴重的電磁干擾和額外損耗，無法發揮SiC器件的優良性能；SiC功率模塊雜散參數較大，可靠性不高。 （2）SiC功率高溫封裝技術發展滯后。
2024-03-04 10:35:49130 
在高壓600V，額定電流10A的壓縮機電機控制中，IGBT經常燒壞，主要有哪些原因導致它損壞。
2024-02-22 17:58:38
安全可靠的運行帶來影響。因此針對基于SiC MOSFET的儲能變流器功率單元，重點研究了其低感設計和散熱設計方法，并提出了功率單元的整體設計方案。通過優化疊層母排的結構，將高壓交流模塊與低壓直流模塊
2024-02-22 09:39:26435 
SiC MOSFET模塊目前廣泛運用于新能源汽車逆變器、車載充電、光伏、風電、智能電網等領域[2-9] ，展示了新技術的優良特性。
2024-02-19 16:29:22206 
ADRS1000是一款由Addvalue和AVI聯合開發的直接采樣可重構無線通信模塊（SOM）。
2024-01-03 14:19:29167 
關鍵技術-SiC門驅動回路/電容器
通過SiC門驅動回路優化設計提升性能和強化保護功能通過采用電容器P-N BUSBAR疊層設計減少寄生電感
2024-01-02 11:36:24116 
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）在我們談論第三代半導體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361219 摘 要：針對Boost變換器中SiC(碳化硅)與IGBT模塊熱損耗問題，給出了Boost電路中功率模塊熱損耗的估算方法，并提供了具體的估算公式。以30kW DC/DC變換器為研究對象，對功率模塊
2023-12-14 09:37:05471 
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發出采用SOT-223-3小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junction MOSFET
2023-12-08 17:38:08242 
1000h SiC MOSFET體二極管可靠性報告
2023-12-05 14:34:46210 
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）近日理想汽車在招聘信息中披露，公司在新加坡成立功率器件研發辦公室，目前公開四個技術崗，包括SiC功率模塊失效分析/物理分析專家、SiC功率模塊工藝專家、SiC功率模塊
2023-12-04 06:47:00820 SiC FET神應用，在各種領域提高功率轉換效率
2023-11-30 09:46:11151 
2023年11月，日本三菱電機、安世半導體（Nexperia）宣布，將聯合開發高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產品功率半導體。
2023-11-25 16:50:53451 雖然是同一電力半導體公司，但是三菱電機與安世半導體的另一個焦點、電子電力半導體為中心的“各離散元件的組合”，高性能sic模塊產品的信賴性的性能提供業界名聲；onse半導體元件的開發、生產、認證領域具有幾十年的豐富經驗。目前還提供高品質的寬帶配件。
2023-11-24 12:28:54282 SiC驅動器模塊具有較低的功耗、高溫運行能力和快速開關速度等優勢，使其在下一代功率器件中有著廣闊的應用前景。SiC驅動器模塊可以用于電動車的電力系統、可再生能源轉換系統、工業電力電子裝置和航空航天
2023-11-16 15:53:30257 
三菱電機今天宣布，將與安世半導體建立戰略合作伙伴關系，共同開發面向電力電子市場的碳化硅 (SiC) 功率半導體。
2023-11-15 15:25:52473 
意法半導體(STMicroelectronics)發布了ACEPACK DMT-32系列碳化硅(SiC)功率模塊，采用方便的32引腳雙列直插式模制通孔封裝，適用于汽車應用。針對車載充電器 (OBC
2023-11-14 15:48:49356 美格納半導體宣布推出微納加工增強型第六代 600V 超級結金屬氧化物半導體場效應晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473 本文將詳細介紹各大主機廠在SIC/IGBT模塊上的布局，以及現在的產能應用情況等，探討車企大規模進入功率半導體行業背后的原因，助力車規級功率半導體產業的健康持續發展。
2023-11-02 11:40:30296 
中國– 意法半導體發布了ACEPACK?DMT-32系列車規碳化硅(SiC)功率模塊，新系列產品采用便捷的 32 引腳雙列直插通孔塑料封裝，目標應用是車載充電機(OBC)、DC/DC直流變壓器、油液
2023-10-30 16:03:10262 －通孔式小型封裝有助于減小表貼面積和電機電路板尺寸－ ? 中國上海， 2023 年 10 月 26 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款600V小型智能功率器件
2023-10-27 16:18:50791 
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation?("Toshiba")推出了兩款600V小型智能功率器件(IPD)產品，適用于空調、空氣凈化
2023-10-27 11:13:00301 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款600V小型智能功率器件（IPD）—“TPD4163K”和“TPD4164K”，可用于空調、空氣凈化器和泵等直流無刷電機驅動應用。
2023-10-27 11:05:54657 
1、SiC MOSFET對器件封裝的技術需求
2、車規級功率模塊封裝的現狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419 
改變功率模塊市場。通過用寬帶隙碳化硅（SiC）取代標準半導體中使用的硅，它們有可能將半導體功率模塊的適用性擴展到更高功率、更高溫度的用例。 碳化硅不辜負其高期望，到2026年占據功率模塊市場25%的份額 ^1^ ，開發人員將不得不克服幾個挑戰。首先，他們
2023-10-23 16:49:36372 
三菱電機將投資Coherent的新SiC業務； 旨在通過與Coherent的縱向合作來發展SiC功率器件業務。 三菱電機集團近日（2023年10月10日）宣布已與Coherent達成協議，將SiC
2023-10-18 19:17:17368 解更多公司，建議查詢相關網站。 sic功率半導體技術如何實現成果轉化 SIC功率半導體技術的成果轉化可以通過以下途徑實現： 與現有產業合作：尋找現有的使用SIC功率半導體技術的企業，與他們合作，共同研究開發新產品，將技術轉化為商業化
2023-10-18 16:14:30586 功率分立器件通常用于低功率/低電壓應用，其功率從毫瓦級別到上千瓦，電壓從1伏以下到600伏以上。功率模塊有最大的應用范圍，從幾百瓦到兆瓦級，從48伏到幾千伏，涵蓋消費電子、工業控制、新能源汽車、交通運輸、高鐵、發電變電輸電儲能等眾多領域。
2023-10-12 12:44:27218 
英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49686 
的SiC SBD產品，Comp. A是國際一品牌同規格SiC SBD產品，而Comp. B是國際一線品牌的Si FRD。常溫下，在整個功率范圍內，CR Micro和Comp. A的SiC SBD效率相當
2023-10-07 10:12:26
電子發燒友網站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅動器.pdf》資料免費下載
2023-09-25 11:27:50
0 基于峰岹的FU6813主控芯片和智能功率模塊SPE10S60F-A（600V/10A）的波輪洗衣機控制方案，FU6813是一款集成電機控制引擎(ME)和8051內核的高性能電機驅動專用芯片，內置高
2023-09-20 17:03:22
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
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全球知名半導體制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應用于大功率模擬模塊制造商Apex?Microtechnology的功率模塊
2023-09-14 19:15:14351 本文研究SiC碳化硅功率模塊及分立器件，功率模塊主要包括碳化硅MOSFET模塊（SiC MOSFET Module），分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二極管（主要是碳化硅肖特二極管）。
2023-09-08 11:30:451805 
據沃爾沃汽車集團政府消息，臻驅科技投資由力沃爾沃汽車科技基金在電子領域；特別是碳化硅電力模塊領域投資的第一個項目投資直接力量沃爾沃汽車電子和流域年均功率能力提高和開發效率
2023-09-08 10:58:20306 賽晶科技表示，為電動汽車應用量身定做的HEEV封裝SiC模塊，導通阻抗低至1.8mΩ（@25℃），可用于高達250kW電驅系統，并滿足電動汽車驅動系統對高功率、小型化和高可靠性功率的需求。
2023-09-02 09:42:41316 
點擊“東芝半導體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布， 推出業界首款 [1] 2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊—“ MG250YD2YMS3
2023-08-31 17:40:07254 
中國上海， 2023 年 8 月 29 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出業界首款[1]2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3
2023-08-29 15:26:55903 
去年，功率 SiC 市場宣布了一系列具有影響力的合作，有趣的是，不僅是在之前看到的晶圓和材料層面，而是在整個功率 SiC 生態系統中。
2023-08-25 17:35:49984 
?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（下稱“Toshiba”）推出了兩款適用于直流無刷電動機應用領域的600V小型智能功率元件(IPD
2023-08-25 11:20:34496 范圍內控制必要的p型、n型，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為
2023-08-21 17:14:581144 
器件描述：漏源電壓（Vdss）：600V 連續漏極電流（Id）（25°C 時）：4A(Tc) 柵源極閾值電壓：4.5V @ 50uA 漏源導通電阻：2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散
2023-08-21 10:49:56
8月3日，致瞻科技與韓國知名企業INTECH FA舉行了戰略合作協議簽署儀式，雙方就加深合作達成一致，共同致力于將碳化硅功率模塊，新能源車電驅和新型高功率密度電源模塊等行業領先的產品推向韓國、日本、東南亞、以及北美市場。
2023-08-08 10:44:44336 供應ID5S609SEC-R1 600V高低側柵極驅動芯片可代換IR2304，提供id5s609芯片資料關鍵參數 ，廣泛應用于中小型功率電機驅動、功率MOSFET或IGBT驅動、半橋功率逆變器
2023-07-20 14:20:134 供應ID7U603SEC-R1 600V半橋MOS柵極驅動IC，提供ID7U603規格書關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請。>>
2023-07-20 14:11:044 供應ID7U603SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT半橋驅動芯片可代換IR2104，提供ID7U603SEC-R1關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請。>>
2023-07-20 14:10:05
RJS6005TDPP-EJ 數據表 (600V - 15A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
2023-07-13 18:54:020 RJS6004TDPP-EJ 數據表 (600V - 10A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
2023-07-13 18:53:520 RJS6004WDPK 數據表 (600V - 20A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
2023-07-13 18:51:450 RJS6005WDPK 數據表 (600V - 30A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode )
2023-07-13 18:49:070 同時實現業界超快反向恢復時間和業界超低導通電阻，可進一步降低工業設備和白色家電的損耗 ROHM的600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS 產品陣容中又新增
2023-07-12 12:10:08437 所提出的穩壓器的主要技術功能是穩壓。它能夠將0至600Vdc的輸入電壓穩定為100至560Vdc，最大電流為800mAdc，最大功耗為100W。該裝置還具有良好的穩定性，在恒定輸入電壓0分鐘后穩定性小于1.15%，并且抑制輸入紋波大于60dB。
2023-07-07 15:32:081461 
的MOSFET系統快一個數量級）。假設典型的600V高壓軌，這會導致（600V/5ns）= 120kV/μs的開關瞬態。
2023-06-28 14:33:33275 
20+場報告，涵蓋材料、封裝、應用和技術趨勢4大板塊。 當前各大車企及Tier1均已布局或采用SiC功率器件與模塊，以提高補電效率和續航里程，但同時也帶來了新的技術挑戰。如SiC器件導入如何提高效率
2023-06-27 16:06:52586 
SiC JBS二極管提供卓越的功能，包括但不限于高溫操作，高阻斷電壓和快速開關能力。本文檔介紹高級交換與SiC肖特基二極管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
GeneSiC高速高壓SiC驅動大功率創新
2023-06-16 11:08:58
三菱電機集團近日（2023年6月13日）宣布，將于6月14日開始提供工業設備用NX封裝全SiC功率半導體模塊的樣品。該模塊降低了內部電感，并集成了第二代SiC芯片，有望幫助實現更高效、更小型、更輕量的工業設備。
2023-06-15 11:16:28748 線。該器件采用超級結結構，耐壓600V，適用于數據中心、開關電源和光伏發電機功率調節器。該新產品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產品，于今日開始批量出貨。 ? ? 通過對柵極設計和工藝進行優化，與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產品相比，600V DTMOSVI系列產品的
2023-06-13 16:38:50712 
三菱電機集團近日（2023年6月1日）宣布，其開發出一種集成SBD的SiC-MOSFET新型結構，并已將其應用于3.3kV全SiC功率模塊——FMF800DC-66BEW，適用于鐵路、電力系統等大型
2023-06-09 11:20:09365 
近日，賽晶首款車規級SiC模塊——HEEV封裝SiC模塊亮相德國紐倫堡電子展（PCIM Europe 2023)，引發國內外與會專家、客戶的廣泛關注。HEEV封裝SiC模塊來自高效電動汽車模塊平臺
2023-05-31 16:49:15351 
隨著電子技術的不斷發展，硅碳化物（SiC）功率模塊逐漸在各領域獲得了廣泛應用。SiC功率模塊具有優越的電性能、熱性能和機械性能，為高性能電子設備提供了強大的支持。本文將重點介紹SiC功率模塊的封裝技術及其在實際應用中的優勢。
2023-04-23 14:33:22840 
碳化硅（SiC）器件是一種新興的技術，具有傳統硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙，允許更高的電壓阻斷，并使其適用于高功率和高電壓應用。此外，SiC還具有比Si更低的熱阻，這意味著它可以更有效地散熱，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161468 ROHM的1,200VSiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產品將有助于應用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。
2023-04-10 09:34:29483 供應ups逆變器igbt單管SGT60N60FD1P7 ，提供SGT60N60FD1P7 600v 60a規格書參數 ，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-04-04 10:39:344 供應ups逆變器中的igbt管600v 60a SGT60N60FD1P7，是士蘭微IGBT代理，提供SGT60N60FD1P7關鍵參數 ，可應用于光伏，變頻器，UPS,SMPS以及PFC等領域，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-04-04 10:37:48
供應電機常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐壓600V 50A，提供SGTP50V60FD2PU關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請。>>
2023-04-03 17:24:105 供應50a 600v igbt 驅動電路SGTP50V60FD2PF，提供SGTP50V60FD2PF關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 17:15:592 供應IGBT 50A 600V 型號SGTP50V60FD2PF-士蘭微驅動電機igbt，提供SGTP50V60FD2PF關鍵參數 ，可應用于光伏，變頻器，UPS,SMPS以及PFC等領域， 更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請。>>
2023-04-03 17:14:31
供應igbt伺服電機驅動管SGT30T60SD3PU 600V、30A，是士蘭微IGBT代理商，提供SGT30T60SD3PU關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-04-03 17:07:50
供應600v 30a igbt模塊直流充電機SGT30T60SD1FD代換IGP15T60F，提供SGT30T60SD1FD代換IGP15T60F關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 16:15:051 供應IGP15T60F替代料SGT30T60SD1FD 600v 30a PFC電路igbt，提供SGT30T60SD1FD關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請。>>
2023-04-03 16:13:31
供應全橋逆變IGBT耐壓600V、20A SGT20T60SDM1P7，提供SGT20T60SDM1P7關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 16:02:491 供應士蘭微焊機IGBT單管 驅動SGT20T60SDM1P7 20A、600V參數，提供SGT20T60SDM1P7 關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 16:01:10
供應SGT20T60SD1F 20A、600V igbt單管開關逆變器，提供SGT20T60SD1F關鍵參數 ，是士蘭微IGBT代理商，更多產品手冊、應用料資請向驪微 電子申請。>>
2023-04-03 15:40:25
供應士蘭微igbt 600V 20a SGT20T60SD1S用于驅動電機的igbt晶體管，提供SGT20T60SD1S關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 15:27:47
供應士蘭微igbt SGT15T60SD1S 600v 15a單相半橋逆變，提供SGT15T60SD1S igbt關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請。>>
2023-04-03 15:22:02
供應igbt單管逆變焊機SGTP5T60SD1F 5A、600V 型號及參數，提供SGTP5T60SD1F關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請。>>
2023-04-03 15:05:15
供應5a、600v耐壓igbt SGTP5T60SD1DFS可代換AOD5B65M1 ，提供SGTP5T60SD1DFS規格書參數 ，可應用于光伏，變頻器，UPS,SMPS以及PFC等領域，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請。>>
2023-04-03 14:48:131 供應SGTP5T60SD1D國產 igbt 600v、5a可兼容替代AOD5B65M1 ，提供SGTP5T60SD1D關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 14:43:53
RJS6005TDPP-EJ 數據表 (600V - 15A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
2023-03-30 19:24:000 RJS6004TDPP-EJ 數據表 (600V - 10A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
2023-03-30 19:23:430 RJS6004WDPK 數據表 (600V - 20A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
2023-03-30 19:21:350 RJS6005WDPK 數據表 (600V - 30A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode )
2023-03-30 19:18:180 SCR PHASE CTRL MOD 600V 1000A
2023-03-29 18:43:45
IGBT 600V 1000A 2300W D4
2023-03-29 15:14:34
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
逆變器、全橋驅動逆變器等領域。ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特點■浮動工作電壓可達600V■拉灌電流典型值210mA/360mA■兼容3.3V/5V的輸入邏輯電平■dV/dt抗干擾能力±5
2023-03-29 09:24:35930 
DIODE MODULE 600V 1000A DO200AB
2023-03-28 21:24:04
7寸RGB LCD模塊600*1024 MODULE_100X180MM 24 bit RGB
2023-03-28 13:06:23
Gas Discharge Tube 600V 1000A (1kA) 2 Pole Surface Mount
2023-03-23 00:37:07
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