高通技術(shù)公司重磅推出了全新的第三代驍龍?7+移動平臺，這一創(chuàng)新成果成功將終端側(cè)生成式AI技術(shù)引入至驍龍7系，開啟了全新的智能時代。這款移動平臺不僅兼容眾多AI模型，如Baichuan-7B、Gemini Nano、Llama 2以及智譜ChatGLM等大語言模型，讓AI的應(yīng)用更加廣泛和深入。
2024-03-22 14:13:56
48 3月18日下午，高通公司在北京望京凱越酒店召開了驍龍新品發(fā)布會，高通技術(shù)公司高級副總裁兼手機業(yè)務(wù)總經(jīng)理Chris Patrick宣布，高通正式推出全新的第三代驍龍8s移動平臺。
2024-03-19 15:37:002361 
高通技術(shù)公司宣布震撼發(fā)布第三代驍龍?8s移動平臺，為高端Android智能手機市場注入新的活力。這款旗艦級平臺不僅繼承了驍龍8系平臺一貫的卓越品質(zhì)，更將諸多廣受好評的特性進行了全面升級，為用戶帶來前所未有的頂級移動體驗。
2024-03-19 10:50:03113 第三代驍龍8s移動平臺通過特選的旗艦功能，帶來出色的終端側(cè)生成式AI特性以及影像和游戲體驗。
2024-03-18 16:00:38200 深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司，技術(shù)骨干來自清華大學(xué)和韓國延世大學(xué)，掌握第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件國際領(lǐng)先的工藝，和第五代超快恢復(fù)功率二極管技術(shù)。薩科微slkor（www.slkormicro.com
2024-03-15 11:22:07
將大幅調(diào)整，將有一連串人事新布局，兩位資深副總米玉杰、侯永清將增加不同領(lǐng)域歷練，第三代接班梯隊正式成軍。 魏哲家未來接任董事長兼總裁，成為繼創(chuàng)辦人張忠謀后，臺積電擁有參與公司決策方針和統(tǒng)帥三軍大權(quán)的第二人。 據(jù)調(diào)查，臺積電首波
2024-03-04 08:56:47294 2月27日，第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地在寶安區(qū)啟用，由深圳市重投天科半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“重投天科”）建設(shè)運營，預(yù)計今年襯底和外延產(chǎn)能達25萬片
2024-02-29 14:09:14233 總計投資32.7億元人民幣的第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地是中共廣東省委和深圳市委重點關(guān)注的項目之一，同時也是深圳全球招商大會的重點簽約項目。
2024-02-28 16:33:34335 上海艾為電子技術(shù)股份有限公司（簡稱“艾為”）正式推出其第三代自適應(yīng)可編程SAR Sensor——AW963xx系列。該系列傳感器采用了先進的自互容一體電容感測技術(shù)，并內(nèi)置了自適應(yīng)補償引擎，具備卓越的感知精度和強大的環(huán)境自適應(yīng)補償能力。
2024-02-27 14:12:04156 Intel Xeon?可擴展處理器（第三代）Intel?Xeon?可擴展處理器（第三代）針對云、企業(yè)、HPC、網(wǎng)絡(luò)、安全和IoT工作負載進行了優(yōu)化，具有8到40個強大的內(nèi)核和頻率范圍、功能和功率級別
2024-02-27 11:58:54
Intel Xeon?金牌處理器（第三代）Intel? Xeon?金牌處理器（第三代）支持高內(nèi)存速度和增加內(nèi)存容量。Intel? Xeon?金牌處理器具有更高性能、先進的安全技術(shù)以及內(nèi)置工作負載加速
2024-02-27 11:57:49
Intel Xeon?鉑金處理器（第三代）Intel? Xeon?鉑金處理器（第三代）是安全、敏捷、數(shù)據(jù)中心的基礎(chǔ)。這些處理器具有內(nèi)置AI加速、先進的安全技術(shù)和出色的多插槽處理性能，設(shè)計用于任務(wù)關(guān)鍵
2024-02-27 11:57:15
近日，中國證監(jiān)會正式披露了芯三代半導(dǎo)體科技（蘇州）股份有限公司（以下簡稱“芯三代”）首次公開發(fā)行股票并上市的輔導(dǎo)備案報告。這標(biāo)志著這家尖端半導(dǎo)體芯片制造設(shè)備公司正式踏上了資本市場的發(fā)展之路，將為中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的崛起注入新的活力。
2024-02-25 17:57:40720 今日，小米召開主題為“新層次”的新品發(fā)布會，正式推出了小米14 Ultra手機。新機搭載第三代驍龍8移動平臺，集小米領(lǐng)先技術(shù)于一身，帶來全方位跨越的新一代專業(yè)影像旗艦，讓真實有層次。
2024-02-23 09:17:36351 在清潔能源、電動汽車的發(fā)展趨勢下，近年來第三代半導(dǎo)體碳化硅和氮化鎵受到了史無前例的關(guān)注，市場以及資本都在半導(dǎo)體行業(yè)整體下行的階段加大投資力度，擴張規(guī)模不斷擴大。在過去的2023年，全球第三代半導(dǎo)體
2024-02-18 00:03:002542 鴻利智匯，一直致力于創(chuàng)新和研發(fā)的照明技術(shù)公司，近日推出了一款專為智能照明設(shè)計的雙色TOP3030產(chǎn)品。這款產(chǎn)品針對控光需求進行了精心設(shè)計，采用了鴻利獨家的“第三代”雙色調(diào)光技術(shù)，將高色溫與低色溫兩種不同光色完美結(jié)合在同一個支架碗杯中。
2024-02-05 16:55:38593 近日，高通技術(shù)公司宣布，其第三代驍龍8（for Galaxy）旗艦移動平臺將為三星電子的最新旗艦Galaxy S24 Ultra提供全球支持。此外，該平臺還將在部分地區(qū)為Galaxy S24 Plus和S24提供支持。
2024-02-01 14:45:47345 服務(wù)范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導(dǎo)體器件等分立器件，以及上述元件構(gòu)成的功率模塊。檢測標(biāo)準(zhǔn)l AEC-Q101分立器件認證l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
、H3TRB、HTRB、HTGB、高壓蒸煮（Autoclave）試驗服務(wù)，設(shè)備能力完全覆蓋以SiC為第三代半導(dǎo)體器件的可靠性試驗?zāi)芰Α７?wù)背景AEC-Q101對對各類半導(dǎo)體
2024-01-29 21:35:04
第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為代表。第三代半導(dǎo)體材料主 要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、硒化鋅（ZnSe）等，因其禁帶寬度較大，又被 稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。
2024-01-23 10:06:04258 
據(jù)云塔科技消息，1月15日，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院孫海定教授牽頭的國家重點研發(fā)計劃“戰(zhàn)略性科技創(chuàng)新合作”重點專項“基于第三代半導(dǎo)體氮化鎵和氮化鈧鋁異質(zhì)集成射頻微系統(tǒng)芯片研究”項目啟動會暨實施方案論證會在云塔科技（安努奇）舉行。
2024-01-23 09:56:16447 今日（1月18日），意法半導(dǎo)體在官微宣布，公司與聚焦于碳化硅（SiC）半導(dǎo)體功率模塊和先進電力電子變換系統(tǒng)的中國高科技公司致瞻科技合作，為致瞻科技電動汽車車載空調(diào)中的壓縮機控制器提供意法半導(dǎo)體第三代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。
2024-01-19 09:48:16254 
在今日舉辦的CES 2024 ROG新品發(fā)布會上，ROG游戲手機8系列正式亮相。新機全系搭載第三代驍龍8移動平臺，并在屏幕、設(shè)計、性能及影像等方面帶來全新升級，打造體驗更全面的游戲旗艦手機。
2024-01-17 10:09:18262 第三代半導(dǎo)體性能優(yōu)越，應(yīng)用場景更廣。半導(dǎo)體材料作為電子信息技術(shù)發(fā)展的 基礎(chǔ)，經(jīng)歷了數(shù)代的更迭。隨著應(yīng)用場景提出更高的要求，以碳化硅、氮化鎵為代 表的第三代半導(dǎo)體材料逐漸進入產(chǎn)業(yè)化加速放量階段。相較
2024-01-16 10:48:49314 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/劉靜）在新能源汽車、光伏、儲能等新興領(lǐng)域的需求帶動下，第三代半導(dǎo)體市場近幾年高速增長。盡管今年半導(dǎo)體經(jīng)濟不景氣，機構(gòu)投資整體更理性下，第三代半導(dǎo)體企業(yè)的融資仍加速狂飆
2024-01-09 09:14:331408 
第三代半導(dǎo)體以此特有的性能優(yōu)勢，在半導(dǎo)體照明、新能源汽車、新一代移動通信、新能源并網(wǎng)、高速軌道交通等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。2020年9月，第三代半導(dǎo)體被寫入“十四五”規(guī)劃，在技術(shù)、市場與政策的三力驅(qū)動下，近年來國內(nèi)涌現(xiàn)出多家第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域龍頭公司。
2024-01-04 16:13:36430 近日，華大半導(dǎo)體旗下中電化合物有限公司榮獲“中國第三代半導(dǎo)體外延十強企業(yè)”稱號，其生產(chǎn)的8英寸SiC外延片更是一舉斬獲“2023年度SiC襯底/外延最具影響力產(chǎn)品獎”。這一榮譽充分體現(xiàn)了中電化合物在第三代半導(dǎo)體外延領(lǐng)域的卓越實力和領(lǐng)先地位。
2024-01-04 15:02:23523 石金科技近日宣布將募集3.5億元資金，用于多個關(guān)鍵項目的發(fā)展。這些項目涵蓋了補充公司流動資金、建設(shè)石金（西安）研發(fā)中心及生產(chǎn)基地、光伏關(guān)鍵輔材集成服務(wù)生產(chǎn)以及第三代半導(dǎo)體熱場及材料的生產(chǎn)。
2024-01-03 16:09:22456 近期，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)知名媒體與產(chǎn)業(yè)研究機構(gòu)“行家說三代半”主辦的“2023年行家極光獎”頒獎典禮在深圳正式拉開帷幕，數(shù)家SiC&GaN企業(yè)代表參加，共同見證第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的風(fēng)采。
2023-12-27 10:47:55223 
的分析與展望。 ? Cambridge GaN Devices（CGD）?是一家無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。 ? CGD由劍橋大學(xué)
2023-12-26 14:15:215593 
芯聯(lián)集成已全力挺進第三代半導(dǎo)體市場，自2021年起投入碳化硅MOSFET芯片及模組封裝技術(shù)的研究開發(fā)與產(chǎn)能建設(shè)。短短兩年間，芯聯(lián)集成便已成功實現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新的三次重大飛躍，器件性能與國際頂級企業(yè)齊肩，并且已穩(wěn)定實現(xiàn)6英寸5000片/月碳化硅MOSFET芯片的大規(guī)模生產(chǎn)。
2023-12-26 10:02:38247 領(lǐng)先的測試與測量解決方案提供商泰克科技，5系列B MSO混合信號示波器榮獲年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎。 本屆行家極光獎特別設(shè)立了【年度企業(yè)】、【年度優(yōu)秀產(chǎn)品】、【十強榜單】三大獎項，力圖為第三代半導(dǎo)體行業(yè)樹立標(biāo)桿，提升企業(yè)品牌認知度和影響力，為行業(yè)發(fā)展注入
2023-12-21 17:40:02266 
半導(dǎo)體材料目前已經(jīng)發(fā)展至第三代。傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體由于自身物理性能不足以及受限于摩爾定律，逐漸不適應(yīng)于半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展需求，砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物半導(dǎo)體也因而誕生。
2023-12-21 15:12:20817 
12月14日，第三代半導(dǎo)體行家極光獎在深圳重磅揭曉，派恩杰半導(dǎo)體榮膺“中國SiC器件Fabless十強企業(yè)”稱號。
2023-12-15 10:57:45466 提供驅(qū)動能力的來源，市場潛力巨大。 金升陽致力于為客戶提供更優(yōu)質(zhì)的電源解決方案，基于自主電路平臺、IC平臺、工藝平臺，升級推出IGBT/SiC MOSFET專用第三代驅(qū)動電源QA-R3G/QAC-R3G系列產(chǎn)品，同時為結(jié)合充電樁市場應(yīng)用需求，打造了全新的滿足元器件100%國產(chǎn)化、高可靠的R3代驅(qū)動電
2023-12-13 16:36:19131 
2023年11月29日，第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)和“第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測研討會”成功召開，是德科技參加第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)，并重磅展出第三代半導(dǎo)體動靜態(tài)測試方案
2023-12-13 16:15:03240 
瑞森半導(dǎo)體是開發(fā)第三代波段型半導(dǎo)體技術(shù)，最早批量生產(chǎn)國內(nèi)碳化硅（sic）產(chǎn)品，實現(xiàn)世界銷售的企業(yè)。國際品牌在品質(zhì)，性能，標(biāo)準(zhǔn)方面，成功地將許多進口系列芯片國產(chǎn)化作為輔助。
2023-12-08 13:47:12209 國產(chǎn)有哪些FPGA入門？萊迪思半導(dǎo)體？高云半導(dǎo)體？
2023-12-05 16:05:38
快科技11月21日消息,今天星紀魅族集團董事長兼CEO沈子瑜發(fā)文正式宣布,魅族21將首批搭載行業(yè)最強的第三代驍龍8。 新機發(fā)布會此前已經(jīng)官宣,將會在11月30日揭曉。 值得注意的是,這次魅族表示將會
2023-11-21 11:48:12453 和Supermicro在內(nèi)的業(yè)界領(lǐng)先OEM廠商均展示了基于第三代AMD EPYC CPU的解決方案— 近日，AMD?宣布擴展其第三代AMD EPYC處理器家族并推出6款全新產(chǎn)品，以通過具備魯棒性的數(shù)據(jù)中心
2023-11-11 10:37:54934 2023年10月25日 - 2023全國第三代半導(dǎo)體大會今日在深圳寶安格蘭云天國際酒店四樓會議廳隆重開幕。本屆大會由今日半導(dǎo)體主辦，吸引了來自全國各地的400多家企業(yè)參與，共同探討第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢和應(yīng)用前景。
2023-11-06 09:45:31234 氮化鎵（GaN）被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料，今天金譽半導(dǎo)體帶大家來簡單了解一下，這個材料有什么厲害的地方。
2023-11-03 10:59:12662 
摘要：萊迪思(Lattice )半導(dǎo)體公司在這應(yīng)用領(lǐng)域已經(jīng)推出兩款低成本帶有SERDES的 FPGA器件系列基礎(chǔ)上，日前又推出采用富士通公司先進的低功耗工藝，目前業(yè)界首款最低功耗與價格并擁有SERDES 功能的FPGA器件――中檔的、采用65nm工藝技術(shù)的 LatticeECP3系列。
2023-10-27 16:54:24235 期待的體驗。 ?? 搭載第三代驍龍8的Android旗艦終端預(yù)計將于未來幾周內(nèi)面市。 今日， 在驍龍峰會期間，高通技術(shù)公司宣布推出全新旗艦移動平臺—— 第三代驍 龍 8 ， 它是一款集終端側(cè)智能、強悍性能和能效于一體的強大產(chǎn)品。作為Android旗艦智能
2023-10-25 10:30:02262 
近年來，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體材料成為全球半導(dǎo)體市場熱點之一。
2023-10-16 14:45:06694 隨著科技的不斷進步，電力電子領(lǐng)域正在發(fā)生著深刻的變化。在這個變化中，第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）技術(shù)成為了焦點，其對于充電器的性能和效率都帶來了革命性的影響。
在傳統(tǒng)的硅基材料中，電力電子器件
2023-10-11 16:30:48250 第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN在新能源和射頻領(lǐng)域已經(jīng)開始大規(guī)模商用。與第一代和第二代半導(dǎo)體相比，第三代半導(dǎo)體具有許多優(yōu)勢，這些優(yōu)勢源于新材料和器件結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新。
2023-10-10 16:34:28295 
SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。
在眾多的半導(dǎo)體器件中，碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
西安電子科技大學(xué)表示，該項目竣工后，將具備6至8英寸氮化鎵晶片生長、工程準(zhǔn)備、密封測試等整個工程的研發(fā)和技術(shù)服務(wù)能力。接著革新中心是第三代半導(dǎo)體技術(shù)公共服務(wù)平臺和產(chǎn)業(yè)，圍繞國家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重大戰(zhàn)略需求為中心，5g通信、新能源汽車等領(lǐng)域的、芯片和微系統(tǒng)模塊的開展關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)。
2023-09-25 11:20:56840 行業(yè)協(xié)會指導(dǎo)，深圳市人民政府聯(lián)合中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會集成電路設(shè)計分會、“核高基”國家科技重大專項總體專家組主辦。繼21日上午的高峰論壇成功舉辦后，汽車芯片與第三代半導(dǎo)體應(yīng)用論壇作為本屆峰會亮點正式開啟。 ? 當(dāng)前，隨著汽車四化時代來臨，汽車產(chǎn)業(yè)迎來更大風(fēng)口，
2023-09-25 09:09:35520 
隨著全球進入物聯(lián)網(wǎng)、5G、綠色能源和電動汽車時代，能夠充分展現(xiàn)高電壓、高溫和高頻能力、滿足當(dāng)前主流應(yīng)用需求的寬禁帶半導(dǎo)體高能量轉(zhuǎn)換效率半導(dǎo)體材料開始成為市場寵兒，開啟了第三代半導(dǎo)體的新紀元。
2023-09-22 15:40:41476 
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，它突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制，成為第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料性能優(yōu)勢引領(lǐng)功率器件新變革。
2023-09-19 15:55:20890 
? 新能源汽車和光伏、儲能設(shè)施在全球加速普及，為第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件產(chǎn)業(yè)的落地提供了前所未有的契機。 長電科技厚積薄發(fā)定位創(chuàng)新前沿，多年來面向第三代半導(dǎo)體功率器件
2023-09-19 10:20:38379 9月15日，東科半導(dǎo)體（安徽）股份有限公司與北京大學(xué)共同組建的第三代半導(dǎo)體聯(lián)合研發(fā)中心正式揭牌成立。由北京大學(xué)科學(xué)研究部謝冰部長及馬鞍山市委書記袁方共同為北大-東科聯(lián)合研發(fā)中心揭牌。圖左為袁方書
2023-09-19 10:07:33452 
已廣泛應(yīng)用于PD快充、電動汽車、光伏儲能、數(shù)據(jù)中心以及充電樁等領(lǐng)域的第三代半導(dǎo)材料，近年來越來越受到半導(dǎo)體各行業(yè)的關(guān)注。目前，領(lǐng)先器件供應(yīng)商在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域做了什么?有什么技術(shù)難點?如何平衡性
2023-09-18 16:48:02365 新能源汽車和光伏,儲能設(shè)施在全球加速普及,為第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)的落地提供了前所未有的契機。長電科技厚積薄發(fā)定位創(chuàng)新前沿,多年來面向第三代半導(dǎo)體功率器件開發(fā)
2023-09-18 16:11:25261 材料領(lǐng)域中，第一代、第二代、
第三代沒有“一代更比一代好”的說法。氮化鎵、碳化硅等材料在國外一般稱為寬禁帶
半導(dǎo)體。 將氮化鎵、氮化鋁、氮化銦及其混晶材料制成氮化物
半導(dǎo)體，或?qū)⒌墶⑸榛墶⒘谆熤瞥?/div>
2023-09-12 16:19:271931 
意法半導(dǎo)體的第三代BlueNRG2.4 GHz Radio IP符合藍牙SIG核心規(guī)范5.2版本要求，兼具出色的射頻性能和極長的電池壽命。BlueNRG-LP SoC適用于點對多點連接和藍牙SIG
2023-09-08 06:57:13
點擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們！ ?泰克科技? 在雙碳戰(zhàn)略的發(fā)展大背景下，以第三代半導(dǎo)體為首的功率半導(dǎo)體行業(yè)正在飛速崛起，國產(chǎn)替代、技術(shù)迭代、產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移發(fā)展趨勢使功率半導(dǎo)體迎來行業(yè)發(fā)展的最大歷史機遇
2023-09-04 12:20:01233 據(jù)錫山經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)消息，芯動第三代半導(dǎo)體模塊將在測試項目主體上蓋屋頂，10月土木工程竣工，12月底投產(chǎn)。凱威特斯半導(dǎo)體設(shè)備配件再制造事業(yè)已經(jīng)完成了第一次竣工和第二次主體屋頂工程，計劃于今年12月竣工，2024年3月批量生產(chǎn)。
2023-08-31 09:25:07447 據(jù)融合資產(chǎn)消息，此次融資后融合資產(chǎn)將在芯片生產(chǎn)線、家具用、工商能源儲存、充電包、新能源汽車等多個領(lǐng)域展開合作，幫助建設(shè)第三代半導(dǎo)體智能電力模塊生產(chǎn)線。
2023-08-30 09:24:55228 Silicon Labs （亦稱“芯科科技” ），今日在其一年一度的第四屆 Works With 開發(fā)者大會上，宣布推出他們專為嵌入式物聯(lián)網(wǎng)（ IoT ）設(shè)備打造的下一代暨第三代無線開發(fā)平臺。隨著
2023-08-23 17:10:02681 一年一度的第四屆 Works With開發(fā)者大會 上，宣布推出他們專為嵌入式物聯(lián)網(wǎng)（IoT）設(shè)備打造的下一代暨第三代無線開發(fā)平臺。隨著向22納米（nm）工藝節(jié)點遷移，新的芯科科技第三代平臺將提供業(yè)界領(lǐng)先的計算能力、無線性能和能源效率，以及為芯片構(gòu)建的最高級別物聯(lián)網(wǎng)安全性。為了幫助開發(fā)人員與設(shè)
2023-08-23 11:40:00128 
隨著科技的不斷進步，新的半導(dǎo)體材料正在為整個電子行業(yè)帶來深刻的變革。在這場技術(shù)革命的前沿，第三代半導(dǎo)體材料嶄露頭角。與前兩代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體在高溫、高壓、高頻等應(yīng)用環(huán)境中展現(xiàn)出了更為出色的性能。從材料分類的角度來看，第三代半導(dǎo)體材料主要可以分為以下四類。
2023-08-21 09:33:071580 
第三代半導(dǎo)體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，用于高壓、高溫、高頻場景。廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、工控等領(lǐng)域。因此第三代半導(dǎo)體研究主要是集中在材料特征研究，本文主要是研究碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。
2023-08-11 10:17:54915 
EF3 系列器件是安路科技的第三代 FPGA 產(chǎn)品，采用先進的 55nm 低功耗工藝，最多支持 475 個用戶 I/O，滿足板級 IO 擴展應(yīng)用需求，定位通信、工業(yè)控制和服務(wù)器市場，旨在用于大批量
2023-08-09 07:57:27
近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦，西安電子科技
2023-08-04 11:28:56920 
近年來薩科微半導(dǎo)體發(fā)展神速，在掌握第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件技術(shù)的基礎(chǔ)上，薩科微slkor投入大量精力和資金，推出了IGBT和電源管理芯片等系列高端產(chǎn)品。薩科微副總經(jīng)理賀俊駒介紹，在功率器件應(yīng)用市場
2023-07-31 11:14:43404 
如今砷化鎵、磷化銦等作為第二代化半導(dǎo)體因其高頻性能效好主要是用于射頻領(lǐng)域，碳化硅、和氮化鎵等作為第三代半導(dǎo)體因禁帶寬度和擊穿電壓高的特性。
2023-07-25 10:52:23405 來源：內(nèi)容轉(zhuǎn)自公眾號21tech（News-21），作者：李強。于代輝英飛凌科技高級副總裁英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部大中華區(qū)負責(zé)人減碳趨勢下的節(jié)能、高效需求同樣給第三代半導(dǎo)體的登場搭好了舞臺。過去
2023-07-06 10:07:54367 
半導(dǎo)體是當(dāng)今世界的基石，幾乎每一項科技創(chuàng)新都離不開半導(dǎo)體的貢獻。過去幾十年，硅一直是半導(dǎo)體行業(yè)的主流材料。然而，隨著科技的發(fā)展和應(yīng)用需求的增加，硅材料在一些方面已經(jīng)無法滿足需求，這促使第三代半導(dǎo)體
2023-07-05 10:26:131316 
據(jù)藍色空港消息，先進半導(dǎo)體制造項目主要從事第三代半導(dǎo)體功率器件的設(shè)計、研發(fā)、制造、功率器件clip先進工程包裝、電力驅(qū)動產(chǎn)品應(yīng)用方案的開發(fā)和銷售。該項目總投資8億元，分三期建設(shè)，一期投資2億元，計劃建設(shè)6條clip先進包裝生產(chǎn)線。
2023-06-27 10:31:18602 據(jù)公告，此次建設(shè)的第三代半導(dǎo)體輸出配件生產(chǎn)項目位于湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)，總投資額約為60億元，包括36億元股權(quán)融資和24億元銀行貸款。構(gòu)筑第3代半導(dǎo)體外延、晶片制造、組裝測試等生產(chǎn)線的該事業(yè)，將具備能夠生產(chǎn)6英寸硅晶片及外延36萬個、輸出配件模塊6100萬個的能力。
2023-06-27 09:54:38539 因具備高頻、高效、耐高壓、耐高溫、抗輻射等優(yōu)越性能特點，氮化鎵是時下最熱門的第三代半導(dǎo)體材料之一；因可幫助芯片成品增加集成度、減小體積并降低功耗的特性，SIP（System in Package
2023-06-26 09:52:52362 近年來，隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和計算機應(yīng)用范圍的不斷擴大，半導(dǎo)體技術(shù)變得愈加重要。在半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展歷程中，第三代半導(dǎo)體技術(shù)的出現(xiàn)為半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展帶來了新的變革。
2023-06-20 16:55:22611 
國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（以下簡稱“國創(chuàng)中心”）獲批建設(shè)兩年以來，瞄準(zhǔn)國家和產(chǎn)業(yè)發(fā)展全局的創(chuàng)新需求，以關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)為核心使命，進一步推動我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，形成立足長三角、輻射全國的技術(shù)融合點和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的輻射源。
2023-06-19 14:55:451660 隨著全球宏觀環(huán)境的逐步恢復(fù)，SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)于2023年邁向新的發(fā)展高峰，值此之際，TrendForce集邦咨詢于6月15日在在深圳舉辦了“2023第三代半導(dǎo)體前沿趨勢研討會”，匯聚
2023-06-16 15:37:32964 當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體中的碳化硅功率器件，在導(dǎo)通電阻、阻斷電壓和結(jié)電容方面，顯著優(yōu)于傳統(tǒng)硅功率器件。因此，碳化硅功率器件取代傳統(tǒng)硅基功率器件已成為行業(yè)發(fā)展趨勢。面對當(dāng)前行業(yè)發(fā)展新趨勢，威邁斯等新能源汽車
2023-06-15 14:22:38357 
日前，2023中關(guān)村論壇“北京（國際）第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展論壇”上，科技部黨組成員、副部長相里斌表示，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體具有優(yōu)異的性能，在信息通信、軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源汽車等領(lǐng)域有巨大的市場。
2023-06-15 11:14:08313 為期四天的2023廣州國際照明展覽會（簡稱：光亞展）在火熱的氣氛中圓滿落幕。此次展會，國星光電設(shè)置了高品質(zhì)白光LED及第三代半導(dǎo)體兩大展區(qū)，鮮明的主題，引來了行業(yè)的高度關(guān)注。 其中，在第三代半導(dǎo)體
2023-06-14 10:02:14437 
第三代半導(dǎo)體設(shè)備 第三代半導(dǎo)體設(shè)備主要為SiC、GaN材料生長、外延所需的特種設(shè)備，如SiC PVT單晶生長爐、CVD外延設(shè)備以及GaN HVPE單晶生長爐、MOCVD外延設(shè)備等。
2023-06-03 09:57:01787 
氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體器件，憑借其優(yōu)異的性能，在PD快充領(lǐng)域被廣泛使用。
2023-06-02 16:41:13330 
推出的第三代高性能神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)智能語音芯片，包括CI13XX和CI230X系列，芯片集成了啟英泰倫自研的腦神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理器BNPU V3，且CI230X系列芯片支持Wi-Fi及 BLE 5.1 無線通信
2023-05-31 09:50:06
2022年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)連續(xù)高增長，進入調(diào)整周期。與此形成對比，在新能源汽車、光伏、儲能等需求帶動下，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)保持高速發(fā)展，全球化供應(yīng)鏈體系正在形成，競爭格局逐步確立，產(chǎn)業(yè)步入快速
2023-05-30 14:15:56534 
前言 ??????? 2022年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)終結(jié)連續(xù)高增長，進入調(diào)整周期。與此形成對比，在新能源汽車、光伏、儲能等需求帶動下，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)保持高速發(fā)展，全球化供應(yīng)鏈體系正在形成，競爭格局逐步
2023-05-30 09:40:59568 
所謂第三代半導(dǎo)體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁（AIN）、氧化鋅（ZnO）和金剛石等，其中
2023-05-18 10:57:361018 第95期什么是寬禁帶半導(dǎo)體？半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導(dǎo)體是以碳化硅
2023-05-06 10:31:461673 
第三代半導(dǎo)體以及芯片的核心材料
2023-05-06 09:48:442614 
半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導(dǎo)體是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN
2023-05-05 17:46:226166 
第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。
2023-04-04 14:46:2912678 1200V高速開關(guān)系列第三代
2023-03-28 14:59:26
，芯片支撐系統(tǒng)”模式布局第三代半導(dǎo)體 SiC 功率模塊以及系統(tǒng)應(yīng)用，基于STPAK 封裝的SiC 模塊取得了非常不錯的市場成績。而且中科意創(chuàng)成功研發(fā)了國內(nèi)首臺ASIL-D最高功能安全等級的SiC電機控制器，并獲得了國內(nèi)首張ASIL-D產(chǎn)品認證證書。 對
2023-03-24 18:24:394106 已全部加載完成
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