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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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AP20P02GH-VB一款Single-P溝道TO252的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: AP20P02GH-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Single-P

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 1. 產品簡介

AP20P02GH-VB 是一款單 P-溝道功率場效應管(Power MOSFET),采用Trench工藝制造。該器件適用于高性能功率開關和電源管理應用,具有-30V的漏極-源極電壓(VDS)額定值和最大-38A的漏極電流(ID)容量。

### 2. 參數說明

- **型號**: AP20P02GH-VB
- **封裝**: TO252
- **通道類型**: 單 P-溝道
- **VDS (漏極-源極電壓)**: -30V
- **VGS (柵極-源極電壓)**: ±20V
- **Vth (閾值電壓)**: -1.7V
- **RDS(ON) (導通電阻)**:
 - 46mΩ @ VGS = 4.5V
 - 33mΩ @ VGS = 10V
- **ID (漏極電流)**: -38A
- **技術**: Trench

### 3. 應用示例

AP20P02GH-VB 可適用于以下領域和模塊:

- **電源管理**: 由于其高漏極電流容量和低導通電阻特性,適合用作電源開關和電源管理系統中的關鍵組件,特別是在需要處理低電壓和大電流的應用中。

- **電動車輛**: 在電動車輛中,可用于電池管理系統和電動馬達驅動,確保高效能和可靠的電動車輛性能。

- **電源適配器**: 在各類電源適配器和開關電源電路中,用于提供穩定的電源輸出和高效的能源轉換。

- **工業控制**: 用于工業設備和控制系統中的功率開關和逆變器,以提供可靠的功率控制和管理。

AP20P02GH-VB 的高電流和低導通電阻特性使其在需要處理大電流和高效率能源轉換的應用中具有顯著優勢。

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