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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BUK661R8-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): BUK661R8-30C-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

BUK661R8-30C-VB 是一款高性能單 N 溝道 MOSFET,采用 TO263 封裝。這款 MOSFET 基于先進(jìn)的溝槽技術(shù),具備極低的導(dǎo)通電阻和超高的電流處理能力,非常適合在高功率、高效率的應(yīng)用中使用。其優(yōu)異的性能和高電流能力使其成為許多高功率電子電路中的理想選擇。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: BUK661R8-30C-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 3.2mΩ @ VGS = 4.5V
 - 2.3mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 150A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **高效開關(guān)電源**:由于其超低的導(dǎo)通電阻和高電流能力,BUK661R8-30C-VB 是開關(guān)電源 (SMPS) 的理想選擇。它能夠顯著提高電源的轉(zhuǎn)換效率,并減少功耗,適用于各種高功率電源應(yīng)用。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**:該 MOSFET 能夠處理高達(dá) 150A 的電流,非常適合用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊,如工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備和電動(dòng)工具,提供穩(wěn)定和高效的電流控制。

3. **電池管理系統(tǒng)**:在電池管理系統(tǒng)中,BUK661R8-30C-VB 的低導(dǎo)通電阻可以優(yōu)化電池充放電過(guò)程,提高系統(tǒng)效率和可靠性,尤其適合用于電動(dòng)汽車和大容量?jī)?chǔ)能系統(tǒng)。

4. **光伏逆變器**:這款 MOSFET 的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其成為光伏逆變器中的優(yōu)選元件,能夠提高光伏系統(tǒng)的整體效率和可靠性。

5. **高功率開關(guān)應(yīng)用**:由于其優(yōu)秀的開關(guān)性能,BUK661R8-30C-VB 適用于高功率開關(guān)應(yīng)用,如大功率 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和高頻開關(guān)設(shè)備,能夠減少功耗并提升系統(tǒng)性能。

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