強(qiáng)度是硅的10倍，電子遷移率是硅的兩倍。 GaN用于LED，電力電子設(shè)備和RF。在基于GaN的功率半導(dǎo)體升溫的同時，GaN的RF版本正在起飛。根據(jù)Strategy Analytics的數(shù)據(jù)，2018年，支持RF GaN的設(shè)備的銷售額增長了近22％。據(jù)該公司稱，到2023年，RF GaN器件市場將超過
2019-11-26 17:43:43
10226 據(jù)外媒報(bào)道稱，蘋果公司供應(yīng)商Qorvo收購了UWB芯片供應(yīng)商Decawave，并購的超寬帶無線技術(shù)的交易價值4億美元。Qorvo還斥資約1億美元收購從事微波RF通信技術(shù)的制造商Custom MMIC
2020-01-31 10:01:316492 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?， Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今天推出全球功率最高的碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）RF晶體管
2018-03-21 16:37:1012515 
與聯(lián)發(fā)科技在射頻（RF）技術(shù)領(lǐng)域緊密合作的企業(yè)包括OPPO、vivo，以及領(lǐng)先的射頻供應(yīng)商Skyworks、Qorvo和村田制作所（Murata）。
2019-02-26 09:47:46855 近日，移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與國防應(yīng)用中核心技術(shù)與 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?, Inc.宣布，發(fā)布兩款全新的氮化鎵（GaN）功率放大器（PA）系列產(chǎn)品--- QPA2212和QPA1022，它們適合國際Ka頻段的衛(wèi)星通信應(yīng)用與X頻段的相控陣?yán)走_(dá)應(yīng)用。
2019-06-24 14:24:211378 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo?， Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日推出全球性能最高的寬帶功率放大器 （PA）--- TGA2962。
2020-03-03 11:05:501023 中國 北京， 2023 年 2 月 9 日 —— 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?, Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今天宣布推出一款用于相控陣
2023-02-13 10:20:02418 
。“得終端者得天下”的局面短期內(nèi)不會發(fā)生改變。我們根據(jù)全球主要功率放大器供應(yīng)商的營業(yè)收入規(guī)模可以看到，在終端功率放大器市場，形成了Qorvo、Skyworks和Avago三家企業(yè)寡頭競爭的局面，三家企業(yè)
2017-04-14 14:41:10
已經(jīng)成為全球智能手機(jī)市場的中流砥柱。射頻芯片產(chǎn)業(yè)在中國已然高速增長。“Qorvo在未來的5G 射頻市場將擁有很多領(lǐng)先的技術(shù)，比如非常適合毫米波器件的氮化鎵（GaN）工藝。不僅如此，現(xiàn)在多頻多模LTE手機(jī)
2016-08-26 10:20:52
科技提供最后階段涉及創(chuàng)建GaN器件關(guān)鍵故障的退化模型，例如“可靠性浴缸曲線”。該曲線顯示了三種失效狀態(tài)：早期壽命，恒定和磨損區(qū)域。 為什么制造商有自己的測試方法？答案很簡單：保持競爭優(yōu)勢。渴望保持領(lǐng)先
2020-09-23 10:46:20
的消息是硅供應(yīng)商現(xiàn)在可以提供基于GaN HEMT的集成解決方案，大大簡化了高壓高頻交流電機(jī)的逆變器設(shè)計(jì)。在此之前GaN HEMT被包裝成一個帶有獨(dú)立驅(qū)動的分立器件，因?yàn)榫w管和驅(qū)動元件是基于不同工
2019-07-16 00:27:49
的地方。作為一種寬帶隙晶體管技術(shù)，GaN正在創(chuàng)造一個令人興奮的機(jī)會，以實(shí)現(xiàn)電力電子系統(tǒng)達(dá)到新的性能和效率。GaN的固有優(yōu)勢為工程師開啟了重新考慮功率密度的方法，這些方法在以前并不可能實(shí)現(xiàn)，如今能滿足世界
2022-11-14 07:01:09
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
作者：Sandeep Bahl 最近，一位客戶問我關(guān)于氮化鎵（GaN）可靠性的問題：“JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會）似乎沒把應(yīng)用條件納入到開關(guān)電源的范疇。我們將在最終產(chǎn)品里使用的任何GaN器件
2018-09-10 14:48:19
柵極電荷，它可以使用高開關(guān)頻率，從而允許使用較小的電感器和電容器。 相較于SiC的發(fā)展，GaN功率元件是個后進(jìn)者，它是一種擁有類似于SiC性能優(yōu)勢的寬能隙材料，但擁有更大的成本控制潛力，尤其是高功率的硅
2022-08-12 09:42:07
領(lǐng)域的熱點(diǎn)。
如圖1所示，GaN材料作為第三代半導(dǎo)體材料的核心技術(shù)之一，具有禁帶寬度高、擊穿場強(qiáng)大、電子飽和速度高等優(yōu)勢。由GaN材料制成的GaN器件具有擊穿電壓高、開關(guān)速度快、寄生參數(shù)低等優(yōu)良特性
2023-06-25 15:59:21
我想大多數(shù)聽眾都已經(jīng)了解了GaN在開關(guān)速度方面的優(yōu)勢，及能從這些設(shè)備中獲得的利益。縮小功率級極具吸引力，而更高的帶寬則更是錦上添花。電力工程師已考慮在正在開發(fā)的解決方案中使用GaN這一材料。既然如此
2022-11-16 08:05:34
材料。與目前絕大多數(shù)的半導(dǎo)體材料相比，GaN 具有獨(dú)特的優(yōu)勢：禁帶更寬、飽和漂移速度更大、臨界擊穿電場和熱導(dǎo)率更高，使其成為最令人矚目的新型半導(dǎo)體材料之一。目前，GaN 基發(fā)光器件的研究已取得了很大
2019-06-25 07:41:00
PD快充65W常用什么規(guī)格GaN
2021-12-26 19:57:19
和大批量的供應(yīng)鏈。然而，其弱點(diǎn)是在于它的效率（僅僅大于10%）、耐用性（它只有較低的擊穿電壓和較低的工作溫度）和功率密度（只有GaN器件的1/4~1/6）上。碳化硅襯底上GaN器件能夠滿足這些必要的性能
2017-04-05 10:50:35
。MACOM簡介：MACOM科技公司是面向下一代互聯(lián)網(wǎng)和國防應(yīng)用的高性能模擬、射頻、微波、毫米波和光半導(dǎo)體產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商。MACOM擁有業(yè)內(nèi)最廣泛的產(chǎn)品組合和核心技術(shù)，涵蓋了高速光學(xué)、衛(wèi)星、雷達(dá)
2017-04-17 18:19:05
全球領(lǐng)先的傳感器供應(yīng)商InvenSense（INVN)7日宣布收購法國運(yùn)動處理技術(shù)公司Movea,旨在通過此次收購在運(yùn)動傳感器和聯(lián)網(wǎng)式（GPS/WIF）數(shù)據(jù)追蹤技術(shù)方面得以提升，此項(xiàng)收購的規(guī)模為8100萬美元，其中現(xiàn)金部分為7500萬美元。
2020-04-28 06:14:17
效轉(zhuǎn)換比并不是想象中那么高；或者由于輸出電流紋波沒有得到很好的控制影響了發(fā)光品質(zhì)，使得LED照明的綠色節(jié)能優(yōu)勢大打折扣，甚至影響了市場普及。由此可見一個好的led驅(qū)動方案供應(yīng)商是非常重要的， 今天就來
2013-01-10 14:32:04
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
amplifier fabricated on Qorvo's production 0.15um GaN on SiC process. The TGA2239 operates from 13 - 15.5
2018-10-19 18:51:24
作者： Steve Tom在德州儀器不斷推出的“技術(shù)前沿”系列博客中，一些TI全球頂尖人才正在探討目前最大的技術(shù)趨勢以及如何應(yīng)對未來挑戰(zhàn)等問題。相較于以往使用的硅晶體管，氮化鎵 (GaN) 可以讓
2018-09-10 15:02:53
鎵(Ga) 是一種化學(xué)元素，原子序數(shù)為31。鎵在自然界中不存在游離態(tài)，而是鋅和鋁生產(chǎn)過程中的副產(chǎn)品。GaN 化合物由鎵原子和氮原子排列構(gòu)成，最常見的是纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)。纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)（如下圖所示）呈六
2019-08-01 07:24:28
什么是GaN？如何面對GaN在測試方面的挑戰(zhàn)？
2021-05-06 07:52:03
移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與國防應(yīng)用中核心技術(shù)與 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?, Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布，發(fā)布兩款全新的氮化鎵（GaN）功率放大器（PA）系列產(chǎn)品
2019-09-11 11:51:15
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領(lǐng)先地位。『三點(diǎn)半說』經(jīng)多方專家指點(diǎn)查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
產(chǎn)品、技術(shù)和服務(wù)。《電子元器件供應(yīng)商手冊》是電子元件技術(shù)網(wǎng)為社區(qū)網(wǎng)友精心整理一本實(shí)用性手冊，它反映電子元器件供應(yīng)商的產(chǎn)品組合、供貨能力、產(chǎn)品優(yōu)勢、技術(shù)支持、服務(wù)網(wǎng)絡(luò)等采購選擇中的要點(diǎn)。它是采購工程師
2010-08-23 19:25:50
的某些特性。在汽車中，飛行時間（TOF）通常用于確定范圍。LIDAR的精度和分辨率取決于各種因素，包括開關(guān)頻率和激光信號的清晰度。短脈沖激光是皮質(zhì)的，以確保眼睛安全。LMG1020 GaN激光驅(qū)動器演示
2019-11-11 15:48:09
的功率放大器功能。GaN 工藝能為5G 移動電話帶來哪些優(yōu)勢呢？正如我們所見，隨著頻率標(biāo)準(zhǔn)越來越高（Ka 頻段或mmW），低壓GaN 工藝需要進(jìn)一步發(fā)展。圖2: Qorvo's GaN
2017-07-28 19:38:38
本帖最后由 1142437339 于 2018-12-4 15:27 編輯
近日，華為首次對外公布2018年核心供應(yīng)商名單92家，該名單共分為六大類，包括“連續(xù)十年金牌供應(yīng)商”、“金牌供應(yīng)商
2018-11-29 13:57:36
嗨，我正在嘗試創(chuàng)建一個多接口USB描述符。我想知道在哪里可以找到供應(yīng)商設(shè)備類（0xFF）的設(shè)備子類。我可以為我需要的子類實(shí)現(xiàn)一個控制接口（0xFF）。謝謝，尤努斯
2019-10-16 10:46:24
。這些優(yōu)勢正是當(dāng)下高功耗高密度系統(tǒng)、服務(wù)器和計(jì)算機(jī)所需要的，可以說專家所預(yù)測的拐點(diǎn)已經(jīng)到來！時下，多個廠商正在大量的生產(chǎn)GaN器件，這些GaN器件正在被應(yīng)用于工業(yè)、商業(yè)甚至要求極為嚴(yán)格的汽車領(lǐng)域的電力
2019-06-21 08:27:30
變換損耗減少30%。無線服務(wù)：大范圍的5G網(wǎng)絡(luò)覆蓋要求運(yùn)營商部署更高功率和運(yùn)行頻率的設(shè)備。鑒于網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營商不希望提高信號塔設(shè)備的尺寸，GaN的功率密度優(yōu)勢可以滿足他們的需求。可再生能源：可再生能源的產(chǎn)生
2019-03-01 09:52:45
氮化鎵(GaN) 功率放大器(PA) 設(shè)計(jì)是當(dāng)前的熱門話題。出于多種原因，GaN HEMT 器件已成為滿足大多數(shù)新型微波功率放大器需求的領(lǐng)先解決方案。過去，PA 設(shè)計(jì)以大致的起點(diǎn)開始并運(yùn)用大量
2019-07-31 08:13:22
您已了解GaN晶體管出色的性能，您很興奮。樣品總算來到，您將它們放入板中。您打開電源，施加負(fù)載，結(jié)果……性能并沒有比以前更好。更糟糕的是，遇到了以前不存在的開關(guān)問題。這些晶體管不好。真遺憾。為何出現(xiàn)這種情況？有沒有可能遺漏了什么？如何正確理解GaN？十分重要！
2019-07-30 06:21:32
設(shè)計(jì)中”，它說“在本例中添加對供應(yīng)商命令和事件的支持”，我不明白它的意思。如何在設(shè)計(jì)中添加供應(yīng)商命令的支持？？？PNG70.1 K
2019-09-29 12:09:21
GaN PA 設(shè)計(jì)？）后，了解I-V 曲線（亦稱為電流-電壓特性曲線）是一個很好的起點(diǎn)。本篇文章探討I-V 曲線的重要性，及其在非線性GaN 模型（如Modelithics Qorvo GaN 庫里的模型）中的表示如何精確高效的完成GaN PA中的I-V曲線設(shè)計(jì)？
2019-07-31 06:44:26
頻率和更高功率密度的開發(fā)人員更是如此。RF GaN是一項(xiàng)已大批量生產(chǎn)的經(jīng)驗(yàn)證技術(shù)，由于其相對于硅材料所具有的優(yōu)勢，這項(xiàng)技術(shù)用于蜂窩基站和數(shù)款軍用/航空航天系統(tǒng)中的功率放大器。在這篇文章中，我們將比
2019-07-12 12:56:17
你好，實(shí)現(xiàn)大容量存儲和供應(yīng)商級之間的區(qū)別是什么？有什么相關(guān)的文件嗎？請?zhí)峁┙o我。謝謝您。 以上來自于百度翻譯 以下為原文Hi,what is the difference between
2018-10-10 14:57:15
小弟正在做LED驅(qū)動開發(fā)及單片機(jī)相關(guān)產(chǎn)品 ，本公司生產(chǎn)LED球泡燈，桶燈，吸頂燈，T8，T5日光燈，戶外礦燈，及無線紅外，遙控，感應(yīng)等產(chǎn)品，由于手頭供應(yīng)商太少，現(xiàn)尋LED驅(qū)動電源IC供應(yīng)商和單片機(jī)
2013-08-26 09:10:33
小弟在一家LED燈具公司做驅(qū)動電源開發(fā)，目前剛起步，急需LED驅(qū)動電源設(shè)計(jì)方案和元器件供應(yīng)商，包括IC，變壓器，及電源相關(guān)的各種元器件，希望IC供應(yīng)商最好能夠提供DEMO板和技術(shù)支持。有的留下聯(lián)系方式。先謝了
2012-08-16 13:34:48
Honcharenko表示：“MACOM是領(lǐng)先的GaN－on－Si（硅基氮化鎵）器件開發(fā)商。GaN－on－Si器件可提供更高的效率，這有助于開發(fā)商設(shè)計(jì)和部署更小、更輕的基站硬件。網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營商致力于提供
2019-12-20 16:51:12
來看，基站功率放大器主要采用基于硅的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)。然而，越來越苛刻的要求逐漸暴露出LDMOS的局限性，并導(dǎo)致眾多供應(yīng)商在高功率基站功率放大器技術(shù)方面轉(zhuǎn)向了氮化鎵(GaN
2018-12-05 15:18:26
想用炬力ATS2815做一個藍(lán)牙小音箱，求供應(yīng)商
2018-04-27 17:37:54
您好，有人能告訴我如何在原理圖窗口中添加GaN器件，因?yàn)楫?dāng)我在ADS的原理圖窗口中搜索它時，它只顯示GaAs，JFET和BJT器件。我想做一個功率放大器模擬，我需要一個GaN器件。請?zhí)岢瞿愕慕ㄗh
2019-01-17 15:55:31
，松下一直是唯一一家公開宣布完全消除當(dāng)前崩潰問題的GaN元件供應(yīng)商。圖5和圖6顯示了松下解決問題的獨(dú)特方法。類似于柵極的附加p摻雜結(jié)構(gòu)在漏極附近生長并與其電連接。該結(jié)構(gòu)在GaN組件中注入空穴，其與被捕
2023-02-27 15:53:50
如圖，四個連接插件叫什么插件？有做這個的供應(yīng)商嗎？謝謝！
2017-07-06 11:49:54
采用熱傳導(dǎo)率更優(yōu)的SiC做襯底，因此GaN功率器件具有較高的結(jié)溫，能在高溫環(huán)境下工作。不同材料體系射頻器件功率-頻率工作區(qū)間GaN將在高功率，高頻率射頻市場優(yōu)勢明顯相比于4G，5G的通信頻段往高頻波段
2019-04-13 22:28:48
緯湃科技選擇羅姆為其SiC技術(shù)的首選供應(yīng)商
2021-03-11 08:01:56
請問一下SiC和GaN具有的優(yōu)勢主要有哪些？
2021-08-03 07:34:15
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
模型的信息數(shù)據(jù)手冊中查看各個Modelithics 模型的功能，可雙擊仿真器中的模型，然后單擊幫助(ADS) 或供應(yīng)商幫助(AWR) 按鈕獲得。GaN 設(shè)計(jì)中散熱的重要性GaN 成為最熱門的PA 晶體管
2018-08-04 14:55:07
日前，射頻功率技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商飛思卡爾宣布為其Airfast RF功率解決方案推出最新成員：包括三個LDMOS功率晶體管與一個氮化鎵（GaN）晶體管，所有產(chǎn)品均超越地面移動市場要求。
2013-06-09 10:18:371842 Modelithics， Inc. 和 Qorvo 宣布，近期將擴(kuò)展用于 Qorvo GaN 晶體管的 Modelithics? 高精度非線性模型庫。當(dāng)前的 GaN 模型版本 （v1.5） 廣受歡迎并具有 29 種封裝器件及裸芯片晶體管模型。新計(jì)劃將增加20逾種新型 Qorvo GaN 晶體管模型。
2015-08-28 17:00:002780 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo， Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布，已成功地將專有的碳化硅（SiC）基QGaN25氮化鎵（GaN）工藝技術(shù)擴(kuò)展
2015-09-15 10:28:50642 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo， Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）日前宣布推出一款極具成本效益的高性能 Ka 波段 3W GaN 功率放大器，用于傳輸高速互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)的商用 VSAT 衛(wèi)星地面終端。
2015-09-17 13:40:44982 移動設(shè)備、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo，Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）近日宣布公司新推出的第 3 代 RF Flex? RF 前端模塊已開始供貨，以支持多個智能手機(jī) OEM。
2016-03-03 16:09:501770 中國北京，2016年03月10日 – 移動設(shè)備、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo，Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）近日宣布Qorvo 高頻段 （HB） 模塊 RF
2016-03-10 13:53:341492 近期Qorvo發(fā)布了一系列六款全新的氮化鎵（GaN）芯片晶體管——TGF2933-36和TGF2941-42，新產(chǎn)品的高頻性能更出色，噪聲更低，這對先進(jìn)的通信、雷達(dá)和國防RF系統(tǒng)應(yīng)用而言甚為關(guān)鍵。
2016-11-04 15:36:121117 
移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?， Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布，其 5G RF 前端（RFFE）--- QM19000榮獲 GTI
2018-02-27 10:35:127229 
再次展現(xiàn)了 Qorvo 在 5G 行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)地位 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo, Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布，其 5G RF 前端
2018-02-27 16:27:39130 
關(guān)鍵型IFF和航空電子應(yīng)用的信號完整性和范圍得到大幅提升 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo, Inc.近日推出全球功率最高的碳化硅基氮化
2018-04-06 11:18:006850 GaN已經(jīng)迅速發(fā)展成為促成一系列當(dāng)前和未來系統(tǒng)的一種技術(shù)，但這也對pre-5G和5G網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用帶來了較大影響。Qorvo的Gary Burgin將要討論GaN技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)哪些功能和如何針對載波聚合擴(kuò)展
2018-07-06 02:06:003985 在碳化硅（GaN SiC）半導(dǎo)體技術(shù)上的高性能氮化鎵正在基礎(chǔ)設(shè)施、航空航天、國防和商業(yè)產(chǎn)品中取得進(jìn)展。QoVo?是高功率RF器件、功率放大器、晶體管、振蕩器、開關(guān)以及更多的GaN的先鋒，致力于提供高性能、可靠的器件來解決世界領(lǐng)先公司的RF挑戰(zhàn)。一個高質(zhì)量的GaN供應(yīng)商的特征是什么？
2018-08-02 11:29:00
6 出現(xiàn)，但GaN-on-SiC在技術(shù)上已經(jīng)變得更加成熟。GaN-on-SiC目前主導(dǎo)了RF GaN市場，已滲透到4G LTE無線基礎(chǔ)設(shè)施市場，預(yù)計(jì)將部署在5G sub-6Ghz的RRH架構(gòu)中。
2019-05-09 10:25:184319 
據(jù)麥姆斯咨詢介紹，近年來，由于氮化鎵（GaN）在射頻（RF）功率應(yīng)用中的附加價值（例如高頻率下的更高功率輸出和更小的占位面積），RF GaN產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了驚人的高增長。根據(jù)Yole最近發(fā)布的《射頻氮化
2019-05-10 17:15:544300 Qorvo近日宣布收購世界領(lǐng)先的高性能 RF MEMS 天線調(diào)諧應(yīng)用技術(shù)供應(yīng)商 Cavendish Kinetics， Inc.。
2019-10-09 14:30:08803 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo?, Inc推出全球性能最高的寬帶功率放大器 (PA)--- TGA2962。
2020-05-17 09:41:242385 
移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與國防應(yīng)用中核心技術(shù)與RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo宣布收購世界領(lǐng)先的高性能 RF MEMS 天線調(diào)諧應(yīng)用技術(shù)供應(yīng)商 Cavendish Kinetics, Inc.。
2020-05-17 10:38:421745 絕大部分。而作為射頻領(lǐng)域的專家，Qorvo 在這個領(lǐng)域也有著領(lǐng)先的優(yōu)勢。 Qorvo 提供全面的 GaN/GaAs 代工流程和先進(jìn)的封裝專業(yè)知識產(chǎn)品組合，能提供業(yè)界廣泛的 RF GaN
2020-09-10 10:18:401565 知名市場分析機(jī)構(gòu) Yole Développement（Yole）在其報(bào)告中表示，在過去的幾年中，射頻（RF）應(yīng)用由于 GaN 技術(shù)的實(shí)施而得到了推動。但 GaN RF 市場的主要驅(qū)動力仍然是電信
2020-09-17 17:10:30864 
氮化鎵 (GaN) 是一種寬帶隙材料，在高功率射頻 (RF) 應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢。
2021-07-05 14:46:502779 
Qorvo今天宣布，已收購位于新澤西州普林斯頓領(lǐng)先碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商UnitedSiC公司。
2021-11-04 15:00:28714 這家國際航空電子供應(yīng)商因GaN驅(qū)動的更高功率密度而勝過競爭對手加州戈勒塔--(美國商業(yè)資訊)--首家獲得JEDEC和AEC-Q101認(rèn)證、具有最高可靠性的氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)導(dǎo)者
2022-01-11 10:52:211 中國北京 – 2022 年 6 月 14 日 – 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo, Inc.(納斯達(dá)克代碼：QRVO)今日宣布推出
2022-06-14 16:17:50977 獎項(xiàng)表彰了 Qorvo 的卓越表現(xiàn)與協(xié)作支持 美國北卡羅來納州格林斯巴勒市，2023 年 2 月 1?日– ?移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo
2023-02-03 08:30:04587 、光伏發(fā)電、光伏逆變器等領(lǐng)域。 GaN功率器件有哪些優(yōu)勢？功率密度高，開關(guān)速度快，損耗低，功耗小；高頻高速，可以有效降低系統(tǒng)成本；可在更高頻率下工作；更高的散熱能力和可靠性。 GaN的優(yōu)勢 GaN功率器件是在傳統(tǒng)的硅基功率器件上疊加了
2023-04-21 14:05:42831 由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，GaN 充電器的運(yùn)行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領(lǐng)域主要優(yōu)勢在于高效率、低損耗與高頻率，GaN 材料的這一特性令其在充電器行業(yè)大放異彩。
2023-04-25 15:08:212337 
，達(dá) 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應(yīng)用超出了蜂窩基站和軍用雷達(dá)范疇，在所有 RF 細(xì)分市場中獲得應(yīng)用。
2023-05-19 11:50:49626 
氮化鎵（GaN）是用于在干擾器中構(gòu)建RF功率放大器（PA）的主要技術(shù)。GaN 具有獨(dú)特的電氣特性 – 3.4 eV 的帶隙使 GaN 的擊穿場比其他射頻半導(dǎo)體技術(shù)高 20 倍。這不僅是GaN的高溫可靠性的原因，也是功率密度能力的原因。因此，GaN使干擾設(shè)備能夠滿足上述所有要求。
2023-05-24 10:48:091059 
其在GaN領(lǐng)域的地位。 Transphorm長期以來一直是偉詮電在GaN方面的合作伙伴，而隨著其被瑞薩收購，偉詮電有望在瑞薩這一全球重要供應(yīng)商的供應(yīng)鏈中占據(jù)更為重要的一席之地。 瑞薩公司的收購行動旨在在電動車、數(shù)據(jù)中心、人工智能（AI）和再生能源等增長性市場加
2024-01-16 18:43:46506
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