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• 四代半導體的發展現狀，氧化鎵新進展介紹

  半導體內部的價電子通常被共價鍵束縛，無法自由移動，自然也就無法參與導電。所有價電子所處的能帶區域被稱為價帶，價電子在受到熱、光、電、磁等方式的激發時...

  2880次閱讀 · 0評論 晶體硅氧化鎵

• 淺談高速數字電路的接地要點注意事項

  在實際電路的PCB上，J、N、L、M形成的“地線環路”將包圍一定的面積，根據電磁感應定律，如果這個環路所包圍的面積中有變化的磁場存在，就會在環路中產生感生電流，形成干擾?？臻g磁場的變化無處不在，于是包圍的面積越大干擾就越嚴重。...

  618次閱讀 · 0評論 pcb阻抗數字電路

• HJ544C功率運算放大器應用指南解析

  HJ544C功率運算放大器是一種符合GJB2438B規定的厚膜混合集成電路。由一個運算放大器、功率驅動器、補償網絡和過流保護網絡組成。在工藝上，采用BeO基板絲網印刷和改進的厚膜集成電路工藝（共晶焊工藝），有效的降低了熱阻，提高了器件的可靠性。...

  4671次閱讀 · 0評論 運算放大器

• 三極管的應用實例

  三極管是電子設計中常用的元器件，關于三極管功能的介紹，網上可以搜出成千上萬的例子。這里我說兩個我在工作中碰到的用三極管的實例，都很簡單，卻很實用。...

  2401次閱讀 · 0評論 三極管單片機元器件控制電路管腳
  

• MOS管的工作原理 采用MOS管開關電源的電路設計

  初步的了解了以上的關于MOS管的一些知識后，一般的就可以簡單的分析，采用MOS管開關電源的電路了。...

  7491次閱讀 · 0評論 三極管萬用表元器件MOS管功率MOS管

• 基于氮化鎵的電力電子器件和轉換器

  對于電阻負載，當前波形的形狀與電壓波形電流波形不平滑，紋波含量高。...

  377次閱讀 · 0評論 轉換器電力電子器件氮化鎵

• 全面的IGBT封裝設計解決方案

  國內龐大的市場基礎、 潛在的電力電子裝備關鍵器件完全依靠進口的風險和國家產業升級共同推動了本土IGBT芯片設計、模塊封裝的技術進步和創新。...

  2158次閱讀 · 0評論 IGBTANSYS

• 電路設計中的電容器的27種作用和電路解析

  濾波電容接在直流電壓的正負極之間,以濾除直流電源中不需要的交流成分,使直流電平滑,通常采用大容量的電解電容,也可以在電路中同時并接其它類型的小容量電容以濾除高頻交流電。...

  3908次閱讀 · 0評論 電容器旁路電容濾波電容調諧

• 三極管和MOS管的工作原理

  在前面我們講了，半導體器件主要可以分為二極管類和三極管類。 本文主要講解三極管類器件的原理，以及它們在工程學上的基本應用。 毫無疑問，二極管和三極管類器件的出現，拉開了邏輯電路的序幕。 那么，三極管類器件和邏輯電路由有什么關系呢？ 在探討這個話題之前，我們有必要先學習下三極管類器件的基本原理的學習。...

  3936次閱讀 · 0評論 三極管二極管半導體MOS管NPN
  

• 功放電路大全L:A類，B類，AB類和D類功放

  對于音頻功放電路，也需要注意以上的問題，根據放大電路的導電方式不同，音頻功放電路按照模擬和數字兩種類型進行分類。...

  6257次閱讀 · 0評論 放大器音頻功放電路

• LM393比較器工作原理及電路圖

  LM393 的應用與LM311 比較器 IC非常相似，只是規格有點不同。LM311 經常被用來替換LM393。與所有電壓比較器一樣，LM393 也有一個反相引腳和一個同相引腳。...

  32083次閱讀 · 0評論 傳感器運算放大器比較器lm393

• IGBT是什么 IGBT的工作原理

  IGBT與MOSFET不同，內部沒有寄生的反向二極管，因此在實際使用中(感性負載)需要搭配適當的快恢復二極管。...

  34610次閱讀 · 2評論 MOSFETIGBT快恢復二極管

• 隧穿場效應晶體管（TFET）的工作原理分析

  每個晶體管的兩個p-n結提供了電荷流動的電子能壘，而晶體管可以通過向溝道上方的柵極施加電壓來導通。...

  11621次閱讀 · 1評論 MOSFET晶體管CMOS電路

• 未來的重點方向：Sic和IGBT

  IGBT、MCU、以及SIC會是接下來新能源汽車智能化比較長期的需求點，根據特斯拉Model3的車型用量來看，單車使用IGBT是84顆，或者48顆Sic MOsfet（技術更優），MCU的供應商是意法半導體，基本可以結論，Sic和IGBT會是未來的重點方向。...

  1086次閱讀 · 0評論 IGBT晶體管碳化硅

• MOS管的基本認識

  不論N溝道還是P溝道MOS管，中間襯底箭頭方向和寄生二極管的箭頭方向總是一致的： 要么都由S指向D，要么都有D指向S。...

  979次閱讀 · 0評論 場效應管MOS管NMOSp溝道寄生二極管

• 共集電極放大電路的設計與實現(二)

  三極管選用S9013三極管，該S9013 hFE的實測值為283。...

  3649次閱讀 · 0評論 三極管電路圖萬用表放大電路共集電極
  

• 共集電極放大電路的設計與實現(一)

  共集電極放大電路又叫射極跟隨器簡稱射隨器，信號由基極輸入由發射極輸出。...

  8112次閱讀 · 0評論 三極管電路圖放大電路共集電極靜態分析
  

• 共基極放大電路的設計與實現(二)

  三極管為S9013 NPN型三極管，Vcc=5V，Rb1、Rb2為B極靜態偏置電阻。...

  1423次閱讀 · 0評論 三極管電路圖放大電路靜態電壓NPN型
  

• 共基極放大電路的設計與實現(一)

  共基極放大電路，輸入信號是由三極管的發射極與基極兩端輸入的，由集電極與基極兩端輸出信號，因為基極是輸入、輸出交流信號的公共端（一般是接地，也有可能接電源正極），所以稱為共基極放大電路。...

  6648次閱讀 · 0評論 電路圖放大電路輸出信號輸出阻抗共基極放大電路
  

• 淺談納米氮化鎵的合成制備方法

  GaN 是一種優異的直接帶隙半導體材料，室溫下禁帶寬度為3.4 eV，具有優良的光電性能、熱穩定性及化學穩定性，是制作高亮度藍綠發光二極管( LED) 、激光二極管( LD) 以及大功率、高溫、高速和惡劣環境條件下工作的光電子器件的理想材料。...

  2197次閱讀 · 0評論 發光二極管激光二極管氮化鎵
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