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• 瑞薩MCU RA8系列教程:RA8單片機SysTick使用描述

  ? 每個Cortex-M內核都集成了一個SysTick模塊，那是因為這個模塊幾乎是單片機項目必備的一個（定時器）功能。 不管是最新的Cortex-M85內核，還是經典的Cortex-M3內核單片機，都集成了SysTick模塊。 ? cm3.h與cm85.h ? 單片機開發者，接觸最多的就是core_...

  類別：電子說 1012次閱讀 · 0評論 單片機瑞薩RA8Systick
  

• 逆變電路中功率器件的損耗分析

  在研究逆變電路的損耗時，所使用的功率器件選型也非常重要。不僅要實現預期的電路工作和特性，同時還需要進行優化以將損耗降至更低。本文將功率器件的損耗分為開關損耗和導通損耗進行分析，以此介紹選擇合適器件的方法。...

  類別：電子說 987次閱讀 · 0評論 轉換器仿真功率器件逆變電路損耗分析
  

• 12V電源設計防護電路詳解

  一般的產品用的都是直流電源，像手持產品多是5V電源，一些小設備也是5V，大一些的設備12V的稍多一些，車載電子產品有12V和24V兩種電源。...

  類別：電子說 4240次閱讀 · 0評論 電源設計濾波電路防護電路直流電源二級管
  

• 基于ADI MAX17598的二次自整流電路設計

  對于有源鉗位正激轉換器(ACFC)，占空比是一個關鍵參數，會影響輸出電壓和效率。通常，正激轉換器的最大占空比以50%為限。采用有源鉗位技術，占空比可以高于50%，超越傳統設計的限制。有許多文章都說明了最大占空比與ACFC拓撲之間的關系，但討論如何設計最小占空比的文章并不多。...

  類別：電子說 3101次閱讀 · 0評論 MOSFETADI整流電路有源鉗位正激轉換器
  

• Low-K材料在芯片中的作用

  Low-K材料是介電常數顯著低于傳統二氧化硅（SiO?，k=3.9–4.2）的絕緣材料，主要用于芯片制造中的層間電介質（ILD）。其核心目標是通過降低金屬互連線間的寄生電容，解決RC延遲（電阻-電容延遲）和信號串擾問題，從而提升芯片性能和集成度。...

  類別：電子說 1618次閱讀 · 0評論 材料芯片制造寄生電容
  

• MOS管學習筆記

  Vgs大于一定的值就會導通，適合用于源極接地時的情況（低端驅動），只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。...

  類別：電子說 3208次閱讀 · 0評論 二極管MOS管NMOSPMOS
  

• 模電與數電的基本知識 (學習備用)

  類似TTL和CMOS區別的基礎面試題1，TTL電平：輸出高電平>2.4V,輸出低電平=2.0V，輸入低電平Vih，輸入低電平Vih>Vt>Vil>Vol。6：Ioh：邏輯門輸出為高電平時的負載電流（為拉電流）。7：Iol：邏輯門輸出為低電平時的負載電流（為灌電流）。8：Iih...

  類別：電子說 1154次閱讀 · 0評論 TTL模電數電COMS
  

• 幾種常見涌浪保護元件介紹及其工作原理

  對于許多電路來說，涌浪電壓會導致電路系統不穩定，因此透過涌浪保護電路來，維持電路的耐受穩定性。國際安規標準IEC 61000訂定了對于電子產品的抗擾度要求，其中IEC 61000-4-5 雷擊突波耐受是針對產品由于瞬間開關或閃電瞬變引起的過電壓，定義了幾個不同的測試級別以適用于不同環境。本文將討論幾...

  類別：電子說 792次閱讀 · 0評論 保護電路壓敏電阻保護元件LC濾波器放電管
  

• Zynq7000處理器的配置詳解

  添加好ZYNQ7 Processing System IP核后，需要對其進行配置，雙擊彈出如下窗口。綠色部分表示ZYNQ PS部分中可配置的項目，可以雙擊轉向相應的設置界面，也可以直接在左邊的導航列表中選擇。...

  類別：電子說 1148次閱讀 · 0評論 處理器時鐘中斷IP核Zynq7000
  

• FPGA學習筆記

  線網類型表示硬件電路元件之間實際存在的物理連線，有很多種：wire、tri、wor等等，當然日常使用wire最多，其他的都沒遇到過。...

  類別：電子說 748次閱讀 · 0評論 FPGA集成電路Verilog觸發器可編程邏輯器件
  

• 光刻工藝的主要流程和關鍵指標

  光刻工藝貫穿整個芯片制造流程的多次重復轉印環節，對于集成電路的微縮化和高性能起著決定性作用。隨著半導體制造工藝演進，對光刻分辨率、套準精度和可靠性的要求持續攀升，光刻技術也將不斷演化，支持更為先進的制程與更復雜的器件設計。...

  類別：電子說 1401次閱讀 · 0評論 集成電路半導體制造工藝光刻工藝
  

• 安森美SiC JFET共源共柵結構詳解

  安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場效應晶體管）在硬開關和軟開關應用中有諸多優勢，SiC JFET cascode應用指南講解了共源共柵（cascode）結構、關鍵參數、獨特功能和設計支持。本文為第一篇，將重點介紹Cascode結構。...

  類別：電子說 1227次閱讀 · 0評論 MOSFET安森美晶體管SiC共源共柵
  

• YXC低抖動HCSL差分晶振助力PCIE 5.0

  PCIE協議下的參考時鐘基本為100MHz HCSL輸出，要求確保數據傳輸的正確性和穩定性，解決時鐘抖動、偏移和噪聲問題。...

  類別：電子說 1007次閱讀 · 0評論 有源晶振晶振PCIePCIe5.0差分晶振
  

• SiC MOSFET的動態特性

  本文詳細介紹了SiC MOSFET的動態特性。包括閾值電壓特性、開通和關斷特性以及體二極管的反向恢復特性。此外，還應注意測試波形的準確性。...

  類別：電子說 910次閱讀 · 0評論 MOSFET半導體三菱電機SiC
  

• 技術分享 |多模態自動駕駛混合渲染HRMAD：將NeRF和3DGS進行感知驗證和端到端AD測試

  多模態自動駕駛混合渲染HRMAD，融合NeRF與3DGS技術，實現超10萬㎡場景重建，多傳感器實時輸出，仿真更接近真實數據！然而，如何用高保真仿真場景快速驗證自動駕駛算法？HRMAD已集成至aiSim平臺，端到端測試即刻開啟！...

  類別：電子說 3392次閱讀 · 0評論 端到端測試算法仿真渲染場景
  

• 基于小華HC32F334的兩路交錯無橋圖騰柱TCM PFC參考設計

  本文介紹了基于小華HC32F334數字電源控制器的兩路交錯無橋圖騰柱TCM_PFC參考設計：著重介紹了工頻過零點電流畸變控制、工頻過零點附近的邏輯處理、輕載效率和THD優化、準確負電流檢測與防干擾設計、變頻交錯功能實現、以及保護功能設計，更多功能期待大家親測品鑒。...

  類別：電子說 3811次閱讀 · 0評論 控制器服務器數字電源PFCTCM
  

• 芯科科技SiWx917 Wi-Fi 6 SoC的功耗測試

  電池壽命是購買者在比較無線物聯網設備時首先考慮的特性之一，設備越省電其市場競爭力就越強。根據NovusLabs進行的互操作性和功耗測試，SiWx917 Wi-Fi 6 SoC在極端網絡擁堵情況下仍能提供穩定且高效的連接。測試結果表明，SiWx917可為智能門鎖提供長達5年的電池壽命，為設備制造商帶來...

  類別：電子說 1057次閱讀 · 0評論 物聯網wi-fi電池芯科科技
  

• 參考設計#40 ARMS 三相電機驅動逆變器（原理圖+BOM+PCB）

  EPC91200 演示板是一款三相無刷直流（BLDC）電機驅動逆變器板，采用 EPC2305 eGaN FET，具有3 mΩ的最大導通電阻 (R DS(on) ) 和150 V的最大器件電壓，適用于96 V電池。EPC91200能夠提供高達60 Apk（40 A RMS ）的最大輸出電流。該板支持電...

  類別：電子說 1325次閱讀 · 0評論 逆變器電機驅動逆變器
  

• 中科芯CKS32K148系列MCU的外設橋模塊解析

  外設橋（AIPS-Lite）模塊是用于連接處理器內核與外圍設備的關鍵組件，其中AIPS指的是“高級外設接口保護系統”（AIPS, advanced peripheral interface protection system），它通過硬件方式對外設接口進行訪問控制和保護，用于避免芯片上的外設接口受惡...

  類別：電子說 1006次閱讀 · 0評論 處理器mcu模塊接口總線
  

• 中科芯CKS32K148系列MCU的PDB模塊解析

  PDB（可編程延遲模塊）提供從觸發源到ADC的硬件觸發器輸入的可控延遲，觸發源來自內部、外部觸發器或可編程間隔時鐘。PDB可以選擇性的提供脈沖輸出，脈沖輸出可用作CMP（比較器）中的采樣窗口。...

  類別：電子說 981次閱讀 · 0評論 mcu模塊adc比較器觸發器
  
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