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sram

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SRAM(Static Random Access Memory),即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

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sram技術(shù)

關(guān)于在Bootloader模式下的應(yīng)用程序下載

STM32 MCU 在 bootloader 模式下,可以通過(guò)多種可用外設(shè)(USART、CAN、USB、I2C、SPI等)將程序下載到內(nèi)部存儲(chǔ)器中,詳細(xì)...

2022-06-16 標(biāo)簽:sramSTM32I2C 4551 0

AVR掉電保護(hù)電路設(shè)計(jì)圖剖析 —電路圖天天讀(221)

AVR自帶的BOD電路,作用是在電壓過(guò)低(低于設(shè)定值)時(shí)產(chǎn)生復(fù)位信號(hào),防止CPU意外動(dòng)作。對(duì)EEPROM的保護(hù)作用是當(dāng)電壓過(guò)低時(shí)保持RESET信號(hào)為低,...

2015-08-11 標(biāo)簽:AVR單片機(jī)保護(hù)電路SRAM 4540 0

SRAM模塊,SRAM模塊結(jié)構(gòu)原理是什么?

SRAM模塊,SRAM模塊結(jié)構(gòu)原理是什么? RAM 結(jié)構(gòu)框圖如圖1 所示。它主要由存儲(chǔ)矩陣(又稱(chēng)存儲(chǔ)體)、地址譯碼器和讀/寫(xiě)電路 3 部分組成。存儲(chǔ)矩陣是存儲(chǔ)

2010-03-24 標(biāo)簽:SRAM 4375 0

易失性存儲(chǔ)器(VM)

易失性存儲(chǔ)器(VM)

在過(guò)去幾十年內(nèi),易失性存儲(chǔ)器沒(méi)有特別大的變化,主要分為DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。它在任何時(shí)候都可以讀寫(xiě),RAM通常...

2022-11-29 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器sram 4374 0

賽普拉斯技術(shù)專(zhuān)家支招:怎樣為網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用選擇正確的同步SRAM存儲(chǔ)器?

賽普拉斯技術(shù)專(zhuān)家支招:怎樣為網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用選擇正確的同步SRAM存儲(chǔ)器?

對(duì)于網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用來(lái)說(shuō),選擇合適的同步SRAM是至關(guān)重要的,因?yàn)榫W(wǎng)絡(luò)應(yīng)用需要增加帶寬來(lái)達(dá)到更好的系統(tǒng)性能。系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員需要明白不同種同步SRAM技術(shù)的特色和優(yōu)...

2013-01-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體賽普拉斯存儲(chǔ)器 4266 0

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程與當(dāng)前挑戰(zhàn)

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程與當(dāng)前挑戰(zhàn)

計(jì)算機(jī)內(nèi)存主要是DRAM和SRAM。二者相比,DRAM的存儲(chǔ)密度更高,而SRAM則具有最快的片上緩存。這兩類(lèi)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器都已經(jīng)歷了數(shù)十年的發(fā)展。

2021-10-13 標(biāo)簽:DRAMsram半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 4180 0

如何不使用AMBA的構(gòu)建典型的 SRAM 存儲(chǔ)器系統(tǒng)

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一個(gè)詳細(xì)的例子,展示了如何設(shè)計(jì)一個(gè)典型的內(nèi)存系統(tǒng)。該示例假設(shè)一個(gè)小端系統(tǒng),僅使用 SRAM 和 ROM。

2021-06-18 標(biāo)簽:arm存儲(chǔ)器sram 4141 0

IS61LV25616AL異步SRAM存儲(chǔ)器功能簡(jiǎn)介

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IS61LV25616AL是ISSI公司的一款容量為256Kx 16bits的且引腳功能完全兼容的4Mb的異步SRAM。也是一款大容量且存儲(chǔ)時(shí)間相對(duì)較短...

2022-11-25 標(biāo)簽:CMOS存儲(chǔ)器sram 4118 0

淺析SRAM的性能及其結(jié)構(gòu)

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SRAM它也由晶體管組成。接通代表1,斷開(kāi)表示0,并且狀態(tài)會(huì)保持到接收了一個(gè)改變信號(hào)為止。這些晶體管不需要刷新,但停機(jī)或斷電時(shí),它們同DRAM一樣,會(huì)丟掉信息。

2022-11-18 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器sram 4081 0

探索存內(nèi)計(jì)算—基于 SRAM 的存內(nèi)計(jì)算與基于 MRAM 的存算一體的探究

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本文深入探討了基于SRAM和MRAM的存算一體技術(shù)在計(jì)算領(lǐng)域的應(yīng)用和發(fā)展。首先,介紹了基于SRAM的存內(nèi)邏輯計(jì)算技術(shù),包括其原理、優(yōu)勢(shì)以及在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域...

2024-05-16 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)sram 4015 0

DRAM SRAM SDRAM內(nèi)存精華問(wèn)題匯總

問(wèn)題1:什么是DRAM、SRAM、SDRAM? 答:名詞解釋如下 DRAM--------動(dòng)態(tài)隨即存取器,需要不斷的刷新,才能保存數(shù)據(jù),而且是行列地址復(fù)...

2012-11-13 標(biāo)簽:DRAMSDRAM存儲(chǔ)器 3969 2

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中央處理器CPU,包括運(yùn)算器、控制器和寄存器組。是MCU內(nèi)部的核心部件,由運(yùn)算部件和控制部件兩大部分組成。前者能完成數(shù)據(jù)的算術(shù)邏輯運(yùn)算、位變量處理和數(shù)據(jù)...

2018-10-16 標(biāo)簽:fpgamcucpu 3925 0

SOC中多片嵌入式SRAM的DFT實(shí)現(xiàn)方法

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本文基于MBIST的一般測(cè)試方法來(lái)對(duì)多片SRAM的可測(cè)試設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化,提出了一種通過(guò)一個(gè)MBIST控制邏輯來(lái)實(shí)現(xiàn)多片SRAM的MBIST測(cè)試的優(yōu)化方法。

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SRAM和FRAM的共同屬性有哪些

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2020-10-16 標(biāo)簽:sramfram 3786 0

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本文主要介紹FPGA中常用的RAM、ROM、CAM、SRAM、DRAM、FLASH等資源,包括特性、工作原理、應(yīng)用場(chǎng)景等。

2023-08-15 標(biāo)簽:fpgaDRAMFlaSh 3670 0

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在芯片設(shè)計(jì)時(shí),通常需要用到各種類(lèi)型的存儲(chǔ)單元,用以臨時(shí)或者永久地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)合的不同,所用到的存儲(chǔ)單元也不同。本文對(duì)常見(jiàn)的幾個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行了介紹...

2022-12-02 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)單元sram 3623 0

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人工智能時(shí)代對(duì)計(jì)算芯片的算力和能效都提出了極高要求。存算一體芯片技術(shù)被認(rèn)為是有望解決處理器芯片“存儲(chǔ)墻”瓶頸,大幅提升人工智能算力能效和算力密度的關(guān)鍵技...

2024-01-02 標(biāo)簽:處理器芯片cpu 3553 0

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現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA,F(xiàn)ield-Programmable Gate Array)是當(dāng)今電子領(lǐng)域不可或缺的一部分,具有出色的靈活性和可配置性。不過(guò)...

2023-11-23 標(biāo)簽:fpgasram可編程門(mén)陣列 3519 0

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2014-07-28 標(biāo)簽:FPGASRAMSDI 3503 0

sram讀寫(xiě)電路設(shè)計(jì)

SRAM (Static Random Access Memory)是一種高速、隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)的存儲(chǔ)器,它以其快速的讀寫(xiě)操作和不需要刷新的特點(diǎn)而受到廣泛使用。...

2023-12-18 標(biāo)簽:電路存儲(chǔ)器數(shù)據(jù) 3493 0

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變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
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Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
語(yǔ)音識(shí)別 萬(wàn)用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護(hù)電路 看門(mén)狗
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