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儲單元分為兩類：SLC（Single Level Cell 單層單元）和MLC（Multi-Level Cell多層單元）。此外，SLC閃存的優(yōu)點是復寫次數(shù)高達100000次，比MLC閃存高10倍。

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東芝存儲：存儲級內存比采用SLC技術的TLC快10倍

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簡述NAND閃存的寫入限制與發(fā)展

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鎧俠公布XL-Flash閃存新特性犧牲容量換來性能提升

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SLC供電電源的設計電路

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