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      標簽　>　sige

      sige

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      sige技術

      當CMOS技術遇上微波傳感器，更先進的雷達系統誕生了

      隨著武器測試技術的進步、傳統的測速技術，如靶圈測試、天幕靶測試等方法因測試過程 繁瑣，精度較差，已不能滿足實時戰地測試的需要。而毫米波測速雷達將毫米波技...

      2017-12-28 標簽：CMOSSiGeadas 9389 0

      使用SiGe和28nm CMOS的24GHz至44GHz無線電的完整解決方案

      完整的寬帶解決方案，涵蓋26 GHz至44 GHz范圍內的所有無線電設計。這款完整的信號鏈采用高度集成的寬帶高性能部件，可減少元件數量，簡化設計架構，加...

      2018-06-06 標簽：CMOSadi寬帶 5851 0

      用于頻率生成和轉換的高集成度SiGe解決方案

      ADI公司拓展用于微波頻率生成和轉換的高集成度SiGe解決方案系列，為航空飛行、汽車雷達和5G等各種客戶應用提供寬帶性能。

      2018-06-06 標簽：adiSiGe雷達 3626 0

      SiGe外延工藝及其在外延生長、應變硅應用及GAA結構中的作用

      SiGe外延工藝及其在外延生長、應變硅應用及GAA結構中的作用

      本文介紹SiGe外延工藝及其在外延生長、應變硅應用以及GAA結構中的作用。 ? 在現代半導體技術中，隨著器件尺寸的不斷縮小，傳統的硅基材料逐漸難以滿足高...

      2024-12-20 標簽：半導體工藝SiGe 2979 0

      源漏嵌入SiGe應變技術簡介

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      與通過源漏嵌入 SiC 應變材料來提高NMOS 的速度類似，通過源漏嵌入 SiGe 應變材料可以提高PMOS的速度。源漏嵌入 SiGe 應變技術被廣泛用...

      2024-07-26 標簽：SiGePMOS晶格 2464 0

      以CMOS技術實現的微型化毫米波傳感器

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      大多數商用雷達系統，特別是高級駕駛員輔助系統 (ADAS) 中的雷達系統，均基于鍺硅(SiGe)技術。目前的高端車輛都有一個多芯片SiGe雷達系統。雖然...

      2023-04-07 標簽：SiGeadas雷達系統 1789 0

      硅鍺技術增強無線電前端性能

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      本應用筆記介紹了硅鍺如何增強RF應用中的IC性能。賈科萊托模型用于分析噪聲效應。SiGe技術的更寬增益帶寬表明可提供更低的噪聲性能。探討了SiGe對線性...

      2023-02-24 標簽：SiGeRF無線電 1614 0

      用毫米波傳感器為汽車帶來高級視覺

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      相對于基于傳統鍺硅（SiGe)的傳感器技術，TI基于RFCMOS的雷達傳感器引入了更高的數字和模擬集成度，以實現高輸出功率、低功耗（比市面上現有解決方案...

      2023-04-07 標簽：SiGeAPI雷達傳感器 1557 0

      利用氧化和“轉化-蝕刻”機制對富鍺SiGe的熱原子層蝕刻 引言

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      器件尺寸的不斷縮小促使半導體工業開發先進的工藝技術。近年來，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經成為小型化的重要加工技術。ALD是一種沉積技術...

      2023-06-15 標簽：半導體晶圓SiGe 1238 0

      用于WCDMA應用的MAX2322

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      MAX2322為高性能SiGe接收器前端IC，優化用于PCS （1900MHz）頻段CDMA（碼分多址）應用。它包括一個LNA、一個混頻器和一個可選頻率...

      2023-02-23 標簽：接收器SiGe混頻器 1027 0

      SiGe整流器：熱穩定效率

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      SiGe整流器集肖特基整流器的效率與快速恢復二極管的熱穩定性于一身，讓工程師能夠優化100-200V功率電路的設計，從而達到更高的效率。該器件面向汽車、...

      2023-02-09 標簽：整流器SiGeCFP 947 0

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      從封裝的角度來看，這些功率二極管一直使用傳統的功率器件封裝，例如DPAK和D2PAK、TO220和TO-247。但是，為了提高系統效率，更好地將器件的熱...

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