ROHM的SiC功率元器件被應(yīng)用于UAES的電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器

ROHM的SiC　MOSFET被UAES公司的OBC產(chǎn)品采用，與以往的OBC相比，新OBC所在單元的效率提高了1%（效率高達(dá)95.7%，功率損耗比以往降...

2020-03-18 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)SiCRohm 1889 1

山西開(kāi)展第三代半導(dǎo)體核心技術(shù)攻關(guān)，解決制約產(chǎn)業(yè)發(fā)展的難題

集微網(wǎng)消息，日前，山西省發(fā)布重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)集群關(guān)鍵核心、共性技術(shù)研發(fā)攻關(guān)專項(xiàng)指南，以調(diào)動(dòng)創(chuàng)新資源，聚焦重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新，解決制約產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“卡脖子”難題。

2020-03-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC 3358 0

Cissoid推出1.2kV 450A碳化硅三相mosfet功率模塊 適用于汽車(chē)等應(yīng)用

Cissoid首席執(zhí)行官Dave Hutton表示：“開(kāi)發(fā)和優(yōu)化快速開(kāi)關(guān)SiC電源模塊并可靠地驅(qū)動(dòng)它們?nèi)匀皇且粋€(gè)挑戰(zhàn)，這款SiC智能電源模塊是針對(duì)極端溫...

2020-03-07 標(biāo)簽：MOSFETSiC 3024 0

碳化硅功率器件下一站關(guān)鍵點(diǎn)將在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域

到2023年，SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)將達(dá)到15億美元。

2020-03-01 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 919 0

從電動(dòng)汽車(chē)?yán)m(xù)航痛點(diǎn)到安全挑戰(zhàn) SiC功率元器件的作用逐漸在顯現(xiàn)

動(dòng)力電池是新能源汽車(chē)的核心能量源。為保障電池高效、可靠、安全運(yùn)行，需要通過(guò)電池管理系統(tǒng)（BMS）對(duì)動(dòng)力電池進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控、故障診斷、SOC 估算、短路保護(hù)...

2020-02-27 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)SiC功率元器件 1273 0

UnitedSiC推出具有最低RDS（on）的DFN 8x8格式FET

新發(fā)布的產(chǎn)品應(yīng)用范圍包括無(wú)線和電信系統(tǒng)中50～500KHz頻率范圍的LLC和相移全橋（PSFB）功率轉(zhuǎn)換，以及功率因數(shù)校正（PFC）中的標(biāo)準(zhǔn)硬開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。

2020-02-05 標(biāo)簽：FETSiCUnitedSiC 1365 0

UnitedSiC推具有最低RDS（on）的DFN 8x8格式FET器件

UnitedSiC的UF3SC065030D8S和UF3SC065040D8S具有超低的柵極電荷和出色的反向恢復(fù)特性，因而非常適合于在任何采用標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)...

2020-02-05 標(biāo)簽：MOSFETSiC碳化硅 3287 0

GaN和SiC能促電動(dòng)汽車(chē)電池降本？ 一大波半導(dǎo)體器件商表關(guān)注

迄今為止，電動(dòng)汽車(chē)電池的價(jià)格昂貴，體積大且效率低。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）是汽車(chē)電子領(lǐng)域的兩項(xiàng)半導(dǎo)體新技術(shù)，它們也許可以改變這一切。 較新的化...

2020-01-09 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)SiCGaN 5396 0

正式落戶西安！中德第三代半導(dǎo)體材料項(xiàng)目舉行簽約

西安西咸新區(qū)涇河新城舉行外資招商項(xiàng)目集中簽約儀式。中德第三代半導(dǎo)體材料聯(lián)合研究院等四個(gè)項(xiàng)目簽約落戶西安涇河新城。

2019-12-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體sic 1.4萬(wàn) 0

UnitedSiC發(fā)布四款全新UF3C SiC FET器件，其RDS（ON）值低至7mΩ

UnitedSiC布將推出四種新型SiC FET，其RDS（ON）值可低至7mΩ，并可提供前所未有的性能和高效率，適用于電動(dòng)汽車(chē)（EV）逆變器、高功率D...

2019-12-10 標(biāo)簽：FETSiC碳化硅 2315 0

意法半導(dǎo)體完成對(duì)碳化硅晶圓廠商N(yùn)orstel AB的并購(gòu)

從材料專業(yè)知識(shí)和工藝工程，到SiC MOSFET和二極管設(shè)計(jì)制造，意法半導(dǎo)體加強(qiáng)內(nèi)部SiC生態(tài)系統(tǒng)建設(shè)。

2019-12-03 標(biāo)簽：晶圓意法半導(dǎo)體SiC 1161 0

意法半導(dǎo)體完成Norstel AB整體收購(gòu),可應(yīng)對(duì)SiC晶圓產(chǎn)能緊缺

據(jù)了解，Norstel將被完全整合到意法半導(dǎo)體的全球研發(fā)和制造業(yè)務(wù)中，繼續(xù)發(fā)展150mm碳化硅裸片和外延片生產(chǎn)業(yè)務(wù)研發(fā)200mm晶圓以及更廣泛的寬禁帶材料。

2019-12-03 標(biāo)簽：晶圓意法半導(dǎo)體sic 6765 0

SiC和GaN半導(dǎo)體產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)激烈，日本企業(yè)實(shí)力雄厚

近兩年來(lái)，各國(guó)科技企業(yè)都在關(guān)注半導(dǎo)體建設(shè)，加快在半導(dǎo)體領(lǐng)域中的自主研發(fā)步伐，畢竟半導(dǎo)體涉及到的領(lǐng)域也比較廣，能夠?yàn)楦餍懈鳂I(yè)的發(fā)展提供幫助，可以說(shuō)生活中所...

2019-11-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體sicgan 3882 0

科銳助力ABB進(jìn)入高增長(zhǎng)EV電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)

電子發(fā)燒友訊，11月19日消息，全球碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)科銳宣布與ABB達(dá)成合作，該公司將采用科銳Wolfspeed SiC基半導(dǎo)體用于高速增長(zhǎng)...

2019-11-19 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)SiC科銳 4310 0

格力20億入股三安光電，再次加大芯片投入！

格力11月11日晚發(fā)布公告，擬以自有資金20億元認(rèn)購(gòu)三安光電非公開(kāi)發(fā)行的股份，三安光電此次非公開(kāi)發(fā)行A股股票，擬募集資金總額不超過(guò)70億元，先導(dǎo)高芯擬認(rèn)...

2019-11-12 標(biāo)簽：格力SiC三安光電 1.8萬(wàn) 0

最新SiC器件與Si IGBT的性能比較

直到最近，功率模塊市場(chǎng)仍被硅（Si）絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）把持。需求的轉(zhuǎn)移和對(duì)更高性能的關(guān)注，使得這些傳統(tǒng)模塊不太適合大功率應(yīng)用，這就帶來(lái)了 S...

2019-11-08 標(biāo)簽：逆變器晶體管sic 1.9萬(wàn) 0

GaN和SiC增利效應(yīng)拉高，市場(chǎng)競(jìng)逐日趨白熱化

Wolfspeed，英飛凌，三菱，安森美半導(dǎo)體，意法半導(dǎo)體，ROHM和Toshiba等供應(yīng)商正在推出下一波基于氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）的功率半...

2019-11-11 標(biāo)簽：SiCGaN功率半導(dǎo)體 1.1萬(wàn) 0

科銳與采埃孚推進(jìn)電驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域合作

全球碳化硅（SiC）半導(dǎo)體領(lǐng)先企業(yè)科銳（Cree）與德國(guó)采埃孚（ZF Friedrichshafen AG）宣布達(dá)成戰(zhàn)略合作，開(kāi)發(fā)業(yè)界領(lǐng)先的高效率電傳動(dòng)...

2019-11-06 標(biāo)簽：SiC科銳電驅(qū)動(dòng) 4310 0