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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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我國GaN產品逐步從小批量研發、向規模化、商業化生產發展。GaN單晶襯底實現2-3英寸小批量產業化,4英寸已經實現樣品生產。GaN異質外延襯底已經實現6...
摘要:通過對感應耦合等離子體(ICP)設備裝片夾具進行改進,提高了背氦的導熱效率,減小了下電極基底與晶圓表面之間的溫度差,提高了冷卻效果。對裝片夾具改進...
為實現低碳社會,電裝開始量產搭載了高品質SiC(碳化硅)功率半導體的新一代升壓用功率模塊*1。2020年12月9日在日本正式發售的豐田新一代“MIRAI...
Cree Wolfspeed攜手泰克,共迎寬禁帶半導體器件發展契機與挑戰
Cree Wolfspeed與泰克共同應對寬禁帶半導體器件的挑戰,共同促進寬禁帶半導體行業的發展。
眾所周知,先發優勢是半導體行業的特點。而在第三代半導體方面,國內外差距沒有一、二代半導體明顯。
我國第三代半導體的產業化之路由來已久,但受制于技術等因素,市場始終不慍不火。然而今年市場出現明顯改觀,各大半導體廠商紛紛加碼投資擴產,諸如天和通訊、吳越...
今年年初,小米公司推出的氮化鎵(GaN)快速充電器引爆了第三代半導體概念。實際上,除了在消費電子領域備受期待的氮化鎵之外,第三代半導體的另一個重要產品碳...
全球SiC產業格局呈現美、歐、日三足鼎立格局,其中美國一家獨大
一個處理物理能源:是信息論在電池電控的應用,用信息控智能量,四兩撥千斤的功率半導體,用少量信息處理控制巨量電流,極大的提高能效和控制精度,其背后需要一系...
SiC是半導體領域最具成長力的材料,預計到2028年市場增長5倍。 來源:ST SiC目前有兩大應用市場,一是電動車逆變器、充電樁、太陽能發電、直流電網...
SiC電子器件提升效率降低裝置損耗,預計2024年將超19億美元
今日啟迪股份技術總監鈕應喜博士發表了題為“碳化硅晶體生長、加工技術和裝備”的主題演講。
今日寬禁帶半導體聯盟秘書長陸敏博士發表了主題為“SiC和GaN功率電子技術及產業發展趨勢”的演講。
11月30日,捷捷微電發布投資者關系活動記錄表稱,晶閘管是2019年占公司總營收49%的產品,由于公司產品結構的調整,今年預計占營收的比重在40%左右,...
11月25日,蘇州固锝在互動平臺上表示,公司在工業控制、5G通訊等行業按規劃在替代中。第三代半導體SiC產品已有開始小批量量產。
2018年,中電化合物半導體項目落戶在杭州灣新區。目前,該項目的6英寸碳化硅襯底及外延片、碳化硅基氮化鎵外延片已進入客戶認證階段。預計最快明年便能實現量...
今年在國家發布的新基建中,5G通訊電源、新能源逆變器和電動汽車驅動等領域,SiC和GaN器件將得到越來越廣泛的應用,這給工程師進行電源轉換器產品設計帶來...
SiC 和 GaN 功率半導體市場趨勢,2019 年以來發生了什么變化?
11月15日消息 根據 Omdia 的《2020 年 SiC 和 GaN 功率半導體報告》,在混合動力及電動汽車、電源和光伏逆變器需求的拉動下,碳化硅(...
近日,晶盛機電接受機構調研時表示,公司通過承擔國家科技重大02專項“300mm硅單晶直拉生長裝備的開發”和“8英寸區熔硅單晶爐國產設備研制”兩項課題為基...
眾多電源系統正在從硅 (Si) 技術向碳化硅 (SiC) 技術轉變。這將是自 20 世紀 80 年代雙極型半導體向絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 轉變...
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