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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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美高森美展出新型30 kW三相Vienna PFC參考設(shè)計(jì)和SiC解決方案

致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)方案供應(yīng)商美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)...

2018-05-23 標(biāo)簽：pfc sic 美高森美 1.6萬 0

全球第三代半導(dǎo)體電力電子產(chǎn)業(yè)格局呈現(xiàn)美國、歐洲、日本三足鼎立態(tài)勢

隨著技術(shù)進(jìn)步，半導(dǎo)體照明的應(yīng)用領(lǐng)域不斷拓寬，市場規(guī)模不斷增長。據(jù)美國產(chǎn)業(yè)研究機(jī)構(gòu)Strategies Unlimited 2016年發(fā)布的報(bào)告顯示，20...

2018-05-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電力電子 SiC 1.5萬 0

第三代化合物半導(dǎo)體SiC及GaN市場及應(yīng)用分析

SiC適合高壓領(lǐng)域，GaN更適用于低壓及高頻領(lǐng)域。

2019-05-04 標(biāo)簽：新能源汽車 MOSFET 功率器件 1.5萬 0

SiC需求增長快于供應(yīng)（內(nèi)附SiC器件主要供應(yīng)商）

寬禁帶半導(dǎo)體材料越來越受行業(yè)歡迎。在碳化硅（SiC）正處于大力擴(kuò)張之時(shí)，供應(yīng)商都在努力滿足SiC功率器件和硅片市場的潛在需求。譬如，Cree計(jì)劃投資高...

2019-07-19 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 1.4萬 0

PI汽車IC家族擴(kuò)容，新IC適合電動(dòng)汽車應(yīng)用

PI于近期推出了專門適合此應(yīng)用的一款反激式開關(guān)芯片InnoSwitch3-AQ，該芯片支持400V或者800V的母線供電。

2020-07-30 標(biāo)簽：PI SiC 應(yīng)急電源 1.4萬 0

碳化硅市場契機(jī)迎爆發(fā) 瀚天天成尋求IPO上市

隨著全球人口的增加與城市化進(jìn)程的加快，環(huán)保與可持續(xù)發(fā)展意識(shí)越發(fā)受到眾人重視。作為安全、節(jié)能和高效的功率轉(zhuǎn)換材料，碳化硅（SiC）打開了新一代半導(dǎo)體能源大...

2018-07-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 1.4萬 0

正式落戶西安！中德第三代半導(dǎo)體材料項(xiàng)目舉行簽約

西安西咸新區(qū)涇河新城舉行外資招商項(xiàng)目集中簽約儀式。中德第三代半導(dǎo)體材料聯(lián)合研究院等四個(gè)項(xiàng)目簽約落戶西安涇河新城。

2019-12-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 sic 1.4萬 0

簡述碳化硅外延技術(shù)突破或改變產(chǎn)業(yè)格局

碳化硅外延領(lǐng)域捷報(bào)連連！我國碳化硅產(chǎn)業(yè)或迎來史詩級利好進(jìn)入2021年以來，在碳化硅外延領(lǐng)域，國內(nèi)外企業(yè)紛紛捷報(bào)連連。 ? 2021年3月1日，日本豐...

2021-05-07 標(biāo)簽：納米 SiC 晶片 1.3萬 0

IGBT與SiC的性能對比

近幾年來，電動(dòng)汽車、電化學(xué)儲(chǔ)能、以及光伏和風(fēng)電等新能源市場的快速發(fā)展，市場對功率器件的需求量大增，特別是電動(dòng)汽車的興起，讓IGBT常年處于供應(yīng)緊張狀態(tài)，...

2022-09-07 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 功率器件 1.3萬 1

第三代半導(dǎo)體制造材料碳化硅性能優(yōu)勢突出

半導(dǎo)體材料市場空間廣闊，制造材料銷售額占比不斷提高。全球半導(dǎo)體材料銷售額規(guī)模不斷上升，2015 年至 2019 年復(fù)合增長率為 4.8%；中國大陸半導(dǎo)體...

2022-06-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 1.3萬 0

英飛凌科技：看好新能源汽車和AIoT市場增長潛力，打造創(chuàng)新產(chǎn)品為客戶增加價(jià)值

英飛凌科技表示：“2024 財(cái)年，英飛凌表現(xiàn)良好，業(yè)績符合預(yù)期。回顧近幾年，電子行業(yè)既承載了低碳化數(shù)字化轉(zhuǎn)型帶來的機(jī)遇，也面臨著由市場波動(dòng)和不確定性帶來...

2025-02-10 標(biāo)簽：英飛凌 SiC AI服務(wù)器 1.2萬 0

半導(dǎo)體材料：Si、SiC和GaN

作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)極限，而此時(shí)以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過一段時(shí)間的積累也正在變得很普及。所以，出現(xiàn)了以...

2020-08-27 標(biāo)簽：SiC GaN 半導(dǎo)體器件 1.2萬 0

理想汽車自研SiC團(tuán)隊(duì)成果：提高SiC MOSFET可靠性的方式

? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）SiC在電動(dòng)汽車上的大規(guī)模應(yīng)用，到目前為止已經(jīng)經(jīng)歷8年時(shí)間，行業(yè)已經(jīng)稱得上成熟。但作為一種半導(dǎo)體功率器件，由于SiC襯...

2025-06-09 標(biāo)簽：MOSFET SiC 1.2萬 0

GaN和SiC增利效應(yīng)拉高，市場競逐日趨白熱化

Wolfspeed，英飛凌，三菱，安森美半導(dǎo)體，意法半導(dǎo)體，ROHM和Toshiba等供應(yīng)商正在推出下一波基于氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）的功率半...

2019-11-11 標(biāo)簽：SiC GaN 功率半導(dǎo)體 1.1萬 0

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來發(fā)展熱潮

? 第三代半導(dǎo)體材料是支撐經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展和保障國家安全的戰(zhàn)略性和基礎(chǔ)性產(chǎn)業(yè)，是國家新材料發(fā)展計(jì)劃的重中之重。“十四五”期間，我國將在教育、科研、開發(fā)、融資...

2021-06-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 TSMC SiC 1.1萬 0

SiC MOSFET體二極管雙極性退化問題

今天我們繼續(xù)講解 ? 《淺談SiC MOSFET體二極管雙極性退化問題》 ? 機(jī)制在雙極性運(yùn)行（PN結(jié)，比如MOSFET的體二極管，在導(dǎo)電時(shí)）條件下，...

2021-02-08 標(biāo)簽：二極管 MOSFET SiC 1.1萬 0

國內(nèi)首條碳化硅智能功率模塊生產(chǎn)線在廈門芯光潤澤科技正式投產(chǎn)

SiC材料本身的寬禁帶、高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、電子遷移率以及抗輻射特性使得碳化硅基的SBD以及MOSFET在高頻、高溫、高壓、高功率以及耐輻射的應(yīng)用場合...

2018-09-26 標(biāo)簽：集成電路 SiC 功率模塊 1.1萬 0

第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料SiC和GaN研究

第一代半導(dǎo)體材料一般是指硅（Si）元素和鍺（Ge）元素，其奠定了20 世紀(jì)電子工業(yè)的基礎(chǔ)。第二代半導(dǎo)體材料主要指化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵（GaAs）、...

2020-04-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC GaN 1.0萬 0

碳化硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展史及未來展望

碳化硅襯底生產(chǎn)的國外核心企業(yè)，主要是美國CREE，美國 II-VI，和日本昭和電工，三者合計(jì)占據(jù)75%以上的市場。技術(shù)上，正在從 4 英寸襯底向 6 英...

2020-10-19 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體 SiC 1.0萬 0

2027年超越100億美元！GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模暴增

功率半導(dǎo)體市場一直都處于溫溫不火的狀態(tài)的，但是隨著混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車、電力和光伏（PV）逆變器的需求，GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模呈現(xiàn)井噴式增長。

2018-05-23 標(biāo)簽：SiC GaN 功率半導(dǎo)體 1.0萬 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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浪涌抑制器

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
USB-PD

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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
醫(yī)療電源

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共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費(fèi)者對共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報(bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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