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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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在SiC的BaSiC博客系列中,我們將探討碳化硅的許多不同功能。讓我們從這種不尋常材料的特性和應(yīng)用的快速入門開始。
電子電路仿真基礎(chǔ):什么是熱動態(tài)模型(Thermal Dynamic Model)
上一篇文章中,簡單介紹了SPICE模型中的熱模型(Thermal Model),它是用來進(jìn)行熱仿真的SPICE模型之一。本文將簡單介紹另一個熱仿真用的S...
Al2O3/AIN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件結(jié)構(gòu)與特性
通過AlN柵介質(zhì)層MIS-HEMT和Al2O3柵介質(zhì)層MOS-HEMT器件對比研究發(fā)現(xiàn),PEALD沉積AlN柵絕緣層可以大幅改善絕緣柵器件的界面和溝道輸...
淺談各種SiC IGBT器件的制作過程與相關(guān)性能
通常來講,全控型半導(dǎo)體器件可以依照其導(dǎo)通狀態(tài)下的載流子類型分為單極型半導(dǎo)體器件和雙極型半導(dǎo)體器件,在每一類中又可以分為電流控制型和電壓控制型。
2023-02-13 標(biāo)簽:IGBTSiC功率半導(dǎo)體 2401 0
碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面,與相同功率等級的Si MOSFET相比,SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低,適用于更高的工作頻率...
碳化硅,是一種無機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅為應(yīng)用最廣泛、...
碳化硅SiC MOSFET器件的結(jié)構(gòu)及特性
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu),主要有二種:平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu),如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡單,單元...
SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢,在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地擴(kuò)大。其中一個...
2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFETSiC寬禁帶半導(dǎo)體 1780 0
碳化硅(SiC)材料是功率半導(dǎo)體行業(yè)主要進(jìn)步發(fā)展方向,用于制作功率器件,可顯著提高電能利用率。
具體而言,SiC 近年來在很多領(lǐng)域都有應(yīng)用,比如工業(yè)領(lǐng)域。對于 GAN 來說,可使用場景非常廣泛。SiC 產(chǎn)品在高功率市場中有著很好的應(yīng)用,例如 IGB...
搭載了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模塊介紹
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC...
實(shí)現(xiàn)大電流化的技術(shù)要點(diǎn)
轉(zhuǎn)換器,開發(fā)出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。
1200V耐壓、400A/600A的全SiC功率模塊BSM400D12P3G002和BSM600D12P3G001
ROHM面向工業(yè)設(shè)備用電源、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器,開發(fā)出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D1...
BD9S系列: 配置Power Good功能的車載ADAS用超小型降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器(2)
ROHM最近面向ADAS(高級駕駛輔助系統(tǒng))的傳感器、攝像頭及雷達(dá)等要求小型化、節(jié)能化和高可靠性的汽車安全駕駛輔助模塊,開發(fā)出二次降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器“...
2023-02-09 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 828 0
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