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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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什么是氮化鎵技術指標體系分解

小編在這里給大家分享一下什么是氮化鎵技術指標？什么是氮化鎵技術指標體系？以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導體，具有高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、...

2023-02-16 標簽：SiC 氮化鎵 GaN 2615 0

SiC MOSFET在電源轉(zhuǎn)換器設計中的優(yōu)化方案

作者：英飛凌科技資深高級工程師René Mente 談起電源轉(zhuǎn)換器的設計，諸如碳化硅（SiC）等寬禁帶（WBG）技術是當今進行器件選擇時的現(xiàn)實考慮。65...

2021-03-25 標簽：MOSFET 電源轉(zhuǎn)換器 SiC 2608 0

電源設計筆記:適用于高性能應用的SiC JFET

本文檢查了 JFET SJEP120R100A 的功能和性能——這篇文章純粹是指導性的;此組件不再可用。但是這種簡單的方法也可以應用于其他新組件。在接下...

2022-07-29 標簽：電源設計 JFET SiC 2603 0

在半導體行業(yè)中碳化硅有哪些應用呢？

碳化硅（SiC）又叫金剛砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過電阻爐高溫冶煉而成，其實碳化硅很久以前就被發(fā)現(xiàn)了

2023-02-07 標簽：半導體 SiC 碳化硅 2596 0

意法半導體SiC MOSFET的路線圖

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2023-03-14 標簽：MOSFET 特斯拉 SiC 2593 0

SiC功率模塊的液冷散熱設計與節(jié)能分析

為綜合評估SiC功率模塊的液冷冷板散熱效果，設計了串聯(lián)、并聯(lián)與串并聯(lián)三種冷板流道結(jié)構(gòu)，從器件溫升、系統(tǒng)能效、散熱性能三個方面共計10項指標評估了冷板性...

2024-01-04 標簽：MOSFET 功率器件 SiC 2592 0

Boost變換器中SiC與IGBT模塊熱損耗對比研究

摘要：針對Boost變換器中SiC(碳化硅)與IGBT模塊熱損耗問題，給出了Boost電路中功率模塊熱損耗的估算方法，并提供了具體的估算公式。以30k...

2023-12-14 標簽：變換器 IGBT Boost 2575 0

如何在使用SiC MOSFET時最大限度地降低EMI和開關損耗

碳化硅（SiC） MOSFET 的快速開關速度、高額定電壓和低導通 RDS（on）使其對電源設計人員極具吸引力，這些設計人員不斷尋找提高效率和功率密...

2022-11-23 標簽：MOSFET emi SiC 2574 0

碳化硅器件介紹與仿真

本推文主要介碳化硅器件，想要入門碳化硅器件的同學可以學習了解。

2023-11-27 標簽：二極管半導體仿真 2564 0

SiC二極管概述和技術參數(shù)

SiC二極管，全稱SiC碳化硅勢壘二極管，也被稱為SiC碳化硅肖特基二極管（SiC SBD），是碳化硅（SiC）功率器件的一種，屬于第三代半導體材料的應...

2024-09-10 標簽：二極管 SiC 碳化硅 2550 0

第三代雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET介紹

在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽...

2023-02-08 標簽：MOSFET SiC 2550 0

如何實現(xiàn)一種7.5kW電動汽車碳化硅逆變器的設計呢？

第三代功率半導體碳化硅SiC具有高耐壓等級、開關速度快以及耐高溫的特點，能顯著提高電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)的效率、功率密度和可靠性。

2023-12-28 標簽：電動汽車逆變器散熱器 2542 0

碳化硅在下一代工業(yè)電機驅(qū)動器中的作用

使用WBG材料如碳化硅(SiC)可制造出性能超越硅(Si)的同類產(chǎn)品。雖然有各種重要的機會使用這項技術，但工業(yè)電機驅(qū)動正獲得最大的興趣和關注。

2021-07-04 標簽：SiC 電機驅(qū)動器碳化硅 2538 0

基于SIC功率模塊的200kW車載逆變控制器介紹

在電動汽車驅(qū)動控制器中，逆變控制器是實現(xiàn)能量交直流轉(zhuǎn)化的關鍵部件，用于電機的驅(qū)動或制動時的能量回收或是提供交流電源。市場對于逆變控制器的能量傳輸效率、功...

2023-05-11 標簽：電動汽車控制器晶體管 2512 0

碳化硅相對于硅的特性和優(yōu)勢有哪些

未來幾年將看到電子設備和邏輯板的飛躍式增長。但作為電子產(chǎn)品和半導體滲透到新的行業(yè)和產(chǎn)品，設計師和制造商一直在尋找更好、更智能的制造方式這些重要組成部分。

2023-04-11 標簽：MOSFET 電感器 IGBT 2507 0

碳化硅晶片為什么存在C面和Si面

SiC是一種Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本結(jié)構(gòu)單元為 Si-C 四面體。

2024-01-18 標簽：半導體 SiC 晶片 2507 0

溝槽結(jié)構(gòu)SiC MOSFET常見的類型

SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復雜，單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。

2023-04-01 標簽：MOSFET JFET SiC 2504 0

安森美發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET—M3S

安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開關。

2024-03-26 標簽：電動汽車 MOSFET 安森美 2480 0

碳化硅MOSFET的經(jīng)濟高效且可靠的大功率解決方案

碳化硅已被證明是高功率和高電壓設備的理想材料。但是，設備的可靠性極其重要，我們不僅指短期可靠性，還指長期可靠性。性能、成本和可制造性也是其他重要因素，但...

2022-08-09 標簽：MOSFET 逆變器 SiC 2467 0

GeneSiC的起源和碳化硅的未來

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2023-10-25 標簽：二極管驅(qū)動器功率器件 2461 0

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