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探討1,200-V 300-A SiC MOSFET對開關(guān)頻率的影響
由于快速的開關(guān),傳導(dǎo)損耗和擊穿電壓的增加,在現(xiàn)代工業(yè)應(yīng)用中增加了SiC MOSFET的使用。通過最快速的開關(guān)速度和更高的頻率賦能,該框架減小了尺寸并提高...
2021-03-19 標簽:MOSFET開關(guān)頻率SiC MOSFET 8218 0
在本系列的前幾篇文章中[1-7],我們介紹了基于安森美豐富的SiC功率模塊和其他功率器件開發(fā)的25 kW EV快充系統(tǒng)。
SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有單電源正電壓時如何實現(xiàn)負壓?
用+14V左右的穩(wěn)壓管Z1加上Z2管正向?qū)▔航担陂_通時候?qū)㈦妷悍€(wěn)定在+15V左右,這樣在開關(guān)管導(dǎo)通時電容C10上就會有3V壓降。
2021-12-06 標簽:單電源SiC MOSFET 5377 0
高壓SiC MOSFET發(fā)展歷程與研究現(xiàn)狀
高壓 SiC MOSFET 由于其單極工作模式,高擊穿電壓將嚴重限制器件的導(dǎo)通電流能力。例如對于10 kV 等級器件來說,室溫下其電流等級約為 20~4...
2023-02-03 標簽:SiCSiC MOSFET 4375 0
關(guān)于SiC MOSFET的新的電路設(shè)計挑戰(zhàn)
碳化硅(SiC)MOSFET提供了巨大的新特性和功能,但同時也帶來了新的挑戰(zhàn)。ROHM半導(dǎo)體器件使工程師能夠充分利用SiC MOSFET,同時克服了驅(qū)動...
2021-04-02 標簽:MOSFET半導(dǎo)體器件柵極驅(qū)動器 4267 0
SiC MOSFET替代Si MOSFET,自舉電路是否適用?
自舉式懸浮驅(qū)動電路可以極大的簡化驅(qū)動電源的設(shè)計,只需要一路電源就可以驅(qū)動上下橋臂兩個開關(guān)管的驅(qū)動,可以節(jié)省Si MOSFET功率器件方案的成本。
2022-01-14 標簽:驅(qū)動電源自舉電路SiC MOSFET 4133 0
TI柵極驅(qū)動器提供大量設(shè)計支持工具幫助簡化設(shè)計
過去,牽引逆變器使用絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)。然而,隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進步,碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管具有比 IGBT 更高的...
2022-10-11 標簽:ti柵極驅(qū)動器SiC MOSFET 3405 0
如何復(fù)制下一代柵極驅(qū)動光電耦合器的改進,以驅(qū)動和保護SiC MOSFET
為了匹配CREE SiC MOSFET的低開關(guān)損耗,柵極驅(qū)動器必須能夠以快速壓擺率提供高輸出電流和電壓,以克服SiC MOSFET的柵極電容。
2021-05-24 標簽:光電耦合器柵極驅(qū)動器SiC MOSFET 3208 0
隨著云計算的概念越來越流行,數(shù)據(jù)量越來越大,數(shù)據(jù)中心每天都在改進,最終開始以更快的速度增長。它們已成為最大和最快的能源消耗來源,而 UPS(不間斷電源)...
2021-06-14 標簽:整流器碳化硅SiC MOSFET 3152 0
作者:Martin Warnke和Yazdi Mehrdad Baghaie 各種拓撲結(jié)構(gòu)中SiC MOSFET的出現(xiàn)大大提高了性能和效率。但是,如果使...
2021-03-11 標簽:MOSFETSiC MOSFET 3136 0
在本系列的前幾篇文章中[1-6],我們介紹了基于安森美(onsemi)的SiC功率模塊和其他功率器件開發(fā)的25kW EV快充系統(tǒng),包括這個可擴展系統(tǒng)的整...
2022-06-27 標簽:安森美輔助電源SiC MOSFET 2915 0
SiC設(shè)計干貨分享(一):SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討
SiC設(shè)計干貨分享(一):SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討
2023-12-05 標簽:SiC驅(qū)動電壓SiC MOSFET 2876 0
驅(qū)動電路設(shè)計(七)——自舉電源在5kW交錯調(diào)制圖騰柱PFC應(yīng)用
隨著功率半導(dǎo)體IGBT,SiCMOSFET技術(shù)的發(fā)展和系統(tǒng)設(shè)計的優(yōu)化,電平位移驅(qū)動電路應(yīng)用場景越來越廣,電壓從600V拓展到了1200V。英飛凌1200...
關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問題,英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料,幫助大家更好的理解與應(yīng)用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境,...
2022-08-01 標簽:英飛凌仿真SiC MOSFET 2617 0
一文詳解功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計方案
通過對現(xiàn)有功率器件封裝方面文獻的總結(jié),從器件封裝結(jié)構(gòu)散熱路徑的角度可以將功率器件分為單面散熱器件、雙面散熱器件和多面散熱器件。
2023-04-26 標簽:pcb半導(dǎo)體技術(shù)功率器件 2191 0
SiC MOSFET的短路測試下的引線鍵合應(yīng)力分析
除了提供緊湊,高效的解決方案外,WBG材料還必須在異常或關(guān)鍵工作條件(例如短路和極端溫度操作)的情況下滿足安全要求。
2021-05-18 標簽:轉(zhuǎn)換器功率轉(zhuǎn)換器CAD 2076 0
橋式結(jié)構(gòu)中低邊SiC MOSFET關(guān)斷時的行為
具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET,與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比,SiC MOSF...
2022-07-06 標簽:驅(qū)動器引腳SiC MOSFET 1820 1
寄生電感是SiC MOSFET Vds尖峰和振鈴的主要原因。SiC MOSFET的快速開關(guān)速度會導(dǎo)致較高Vds尖峰和較長的振鈴時間。這種尖峰會降低設(shè)備的...
SiC MOSFET的采用是中期展望的主旋律,將迅速增長并主導(dǎo)市場份額,IDTechEx在報告中給出了各類器件的應(yīng)用時間表。雖然經(jīng)過驗證的SiC MOS...
2023-02-23 標簽:電動汽車功率器件SiC MOSFET 1665 0
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