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      標簽　>　sbd

      sbd

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      sbd資訊

      JBS or MPS：兩種結構相似和設計方法完全不同的器件

      本周《漲知識啦》主要給大家介紹的是結勢壘肖特基二極管（JBS：Junction Barrier Controlled Schottky Diode）和混...

      2020-11-19 標簽：二極管SBD 1.1萬 0

      200V肖特基勢壘二極管在xEV市場迎來替代良機

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      2019-09-06 標簽：二極管SBDxEV 7501 0

      SBD器件中的肖特基二極管漏電流機制

      SBD器件中的肖特基二極管漏電流機制

      根據(jù)《漲知識啦》第32期可知，隨著反向偏壓的增大，肖特基二極管漏電流的增幅遠遠超過了耗盡區(qū)內(nèi)空間電荷產(chǎn)生電流的水平，隨后，研究人員發(fā)現(xiàn)在肖特基勢壘二極管...

      2021-05-12 標簽：二極管SBD 4861 0

      肖特基勢壘二極管(SBD)基本的電流輸運機制的講解

      肖特基勢壘二極管(SBD)基本的電流輸運機制的講解

      大家好，本周小賽給大家介紹的是《漲知識啦》系列內(nèi)容：肖特基勢壘二極管(SBD)基本的電流輸運機制。 圖1展示了SBD外加正向偏置時，器件內(nèi)部的能帶及載流...

      2020-11-19 標簽：電流SBD 3088 0

      肖特基二極管失效機理

      肖特基二極管失效機理? 肖特基二極管（Schottky Barrier Diode, SBD）作為一種快速開關元件，在電子設備中得到了廣泛的應用。但是，...

      2023-08-29 標簽：二極管肖特基二極管SBD 3034 0

      SBD器件中的肖特基二極管漏電流機制 (上)

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      肖特基勢壘二極管 (Schottky barrier diodes, 簡稱 SBD) 是與PN結二極管有著同樣整流接觸的功率二極管結構，它是通過金屬和半...

      2021-04-07 標簽：二極管SBD 3002 0

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      具有 TI 無線 SoC 處理器以及時鐘和接口解決方案的電信基帶單元的系統(tǒng)方框圖 (SBD)。

      2012-06-13 標簽：SBD電信基帶單元 2959 0

      第三代半導體高速成長GaN功率元件今年產(chǎn)值可望大增9成

      2021年6月，富士經(jīng)濟對SiC（碳化硅）、Si（硅）功率半導體等下一代功率半導體的全球市場進行了調(diào)查。功率半導體市場預計到 2030 年將達到 404...

      2021-06-23 標簽：MOSFET半導體IGBT 2363 0

      肖特基勢壘二極管(SBD)基本的電流輸運機制

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      2020-11-02 標簽：電流SBD 2163 0

      液相法碳化硅單晶生長技術研究

      液相法碳化硅單晶生長技術研究

      碳化硅具有高熱導率、高擊穿電場、高飽和電子漂移速度、良好的耐輻射性和化學穩(wěn)定性、GaN的近晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)等優(yōu)勢。

      2023-12-18 標簽：新能源汽車晶圓SBD 2051 0

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      日本以NaFlux法制成GaN基SBD用于LED驅動電路 豐田中央研究所和三墾電氣分別利用以稱為“NaFlux法”的結晶成長法制成的GaN底板，試制出

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      羅姆展出了采用溝道構造的SiC制肖特基勢壘二極管(SBD)和MOSFET。溝道型SBD的特點在于，與普通SiC制SBD相比二極管導通電壓(以下稱導通電壓...

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      在車載市場中擁有豐碩業(yè)績的小型高效SBD“RBR/RBQ系列”產(chǎn)品陣容進一步壯大

      在車載市場中擁有豐碩業(yè)績的小型高效SBD“RBR/RBQ系列”產(chǎn)品陣容進一步壯大

      通過采用新工藝，RBR系列和RBQ系列的芯片性能都得到很大提升，與ROHM以往產(chǎn)品相比，效率提高了25%。

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      成果一 基于Crosslight公司先進的半導體器件設計平臺，技術團隊深入探索了實現(xiàn)GaN VCSEL橫向電流限制的根本原因。研究發(fā)現(xiàn)，橫向電流限制不是...

      2020-03-10 標簽：激光器肖特基二極管SBD 1255 0

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