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      標(biāo)簽　>　RRAM

      RRAM

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      　　RRAM一般指阻變式存儲(chǔ)器，阻變式存儲(chǔ)器（RRAM）是以非導(dǎo)性材料的電阻在外加電場(chǎng)作用下，在高阻態(tài)和低阻態(tài)之間實(shí)現(xiàn)可逆轉(zhuǎn)換為基礎(chǔ)的非易失性存儲(chǔ)器。

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      RRAM簡介

      　　作為阻變式存儲(chǔ)器芯片一個(gè)重要的電子元件，憶阻器（memristor）的電阻會(huì)隨外加電壓的高低而改變。相比其它非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，RRAM是高速存儲(chǔ)器。工程師在對(duì)憶阻器（memristor）技術(shù)進(jìn)行潛心研發(fā)的道路上遇到的攔路虎，恰恰是阻變式存儲(chǔ)器（RRAM）的潛行路徑。

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      rram技術(shù)

      非易失性存儲(chǔ)器和易失性存儲(chǔ)器有什么全部詳細(xì)資料對(duì)比

      非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)是在關(guān)閉計(jì)算機(jī)或者突然性、意外性關(guān)閉計(jì)算機(jī)的時(shí)候數(shù)據(jù)不會(huì)丟失的技術(shù)。非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)得到了快速發(fā)展，非易失性存儲(chǔ)器主要分為塊尋址和字...

      2019-04-07 標(biāo)簽：DRAM存儲(chǔ)器RRAM 9147 0

      NAND閃存面臨的挑戰(zhàn)，是什么阻礙了NAND閃存？

      NAND閃存面臨的挑戰(zhàn)，是什么阻礙了NAND閃存？

      在過去的幾十年里，NAND 對(duì)固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備中的系統(tǒng)控制器提出了苛刻的任務(wù)。這些管理任務(wù)增加了系統(tǒng)復(fù)雜性、功耗、晶體管門數(shù)和整體存儲(chǔ)系統(tǒng)開發(fā)成本。

      2022-05-12 標(biāo)簽：CMOSNANDRRAM 4908 0

      存內(nèi)計(jì)算原理分類——數(shù)字存內(nèi)計(jì)算與模擬存內(nèi)計(jì)算

      存內(nèi)計(jì)算原理分類——數(shù)字存內(nèi)計(jì)算與模擬存內(nèi)計(jì)算

      數(shù)字存內(nèi)計(jì)算與模擬存內(nèi)計(jì)算各有優(yōu)劣，都是存算一體發(fā)展進(jìn)程中的重點(diǎn)發(fā)展路徑，數(shù)字存內(nèi)計(jì)算由于其高速、高精度、抗噪性強(qiáng)、工藝技術(shù)成熟、能效比高等特點(diǎn)，更適用...

      2024-05-21 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器模擬矩陣運(yùn)算 3884 0

      新型存儲(chǔ)技術(shù)：新型SCM類介質(zhì)的特性及使用方法的總結(jié)和介紹

      Storage Class Memory (SCM)是非易失性內(nèi)存，該類介質(zhì)的存取速度略比內(nèi)存慢，但是遠(yuǎn)快于NAND類介質(zhì)。本文對(duì)該類介質(zhì)的特性及使用方...

      2023-01-15 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)器存儲(chǔ)技術(shù) 2788 0

      RRAM機(jī)制、材料及其在神經(jīng)形態(tài)計(jì)算中的應(yīng)用

      RRAM機(jī)制、材料及其在神經(jīng)形態(tài)計(jì)算中的應(yīng)用

      近年來，RRAM 因其結(jié)構(gòu)簡單、保持時(shí)間長、運(yùn)行速度快、超低功耗運(yùn)行能力、能夠在不影響器件性能的情況下擴(kuò)展到更低的尺寸以及可進(jìn)行三維集成的可能性而日益受...

      2024-05-16 標(biāo)簽：芯片存儲(chǔ)器RRAM 2262 0

      全面解讀電阻式內(nèi)存的技術(shù)架構(gòu)及其應(yīng)用

      全面解讀電阻式內(nèi)存的技術(shù)架構(gòu)及其應(yīng)用

      電阻式內(nèi)存 (Resistive Random Access Memory, RRAM) 結(jié)構(gòu)為簡單的金屬-絕緣層-金屬 (Metal-Insulato...

      2023-12-07 標(biāo)簽：電阻存儲(chǔ)器物聯(lián)網(wǎng) 1878 0

      Crossbar新型RRAM芯片 郵票大小存儲(chǔ)1TB數(shù)據(jù)

      8月6日消息，美國加州創(chuàng)業(yè)公司Crossbar發(fā)布了一種新型芯片，能以郵票大小存儲(chǔ)1TB的數(shù)據(jù)。該芯片采用RRAM技術(shù)，顛覆傳統(tǒng)的閃速存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)速...

      2013-08-07 標(biāo)簽：存儲(chǔ)技術(shù)SSDRRAM 1632 0

      新型非易失存儲(chǔ)器硬件損耗均衡算法簡介

      需要設(shè)計(jì)一些算法使得能對(duì)整個(gè)存儲(chǔ)器做均衡的訪問，而不是僅僅去對(duì)幾個(gè)特定的區(qū)域持續(xù)寫入，將對(duì)某些塊的操作分布到整片存儲(chǔ)器上，實(shí)現(xiàn)各塊寫入的平衡，這類算法就...

      2022-10-13 標(biāo)簽：PCM寄存器RRAM 1047 0

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      電子存儲(chǔ)器迎來革新，RRAM和MRAM的優(yōu)勢(shì)是什么

      在最近的一年，固態(tài)硬盤和內(nèi)存的漲勢(shì)卻是讓很多廠商都掙得盆滿缽滿的，就連美光也一反頹勢(shì)，取得了相當(dāng)不錯(cuò)的成績。

      2019-11-12 標(biāo)簽：MRAMRRAM 1.1萬 0

      存儲(chǔ)界未來的希望RRAM

      存儲(chǔ)界未來的希望RRAM

      百度百科給出的解釋是：RRAM是一種“根據(jù)施加在金屬氧化物(Metal Oxide)上的電壓的不同，使材料的電阻在高阻態(tài)和低阻態(tài)間發(fā)生相應(yīng)變化，從而開啟...

      2018-05-11 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器RRAM 6880 0

      兆易創(chuàng)新為嵌入式產(chǎn)品提供豐富的存儲(chǔ)解決方案

      雖然此前在DRAM內(nèi)存芯片布局上，兆易創(chuàng)新主要是通過其與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股集團(tuán)合作的長鑫存儲(chǔ)來進(jìn)行布局。但是，兆易創(chuàng)新的自研DRAM項(xiàng)目也早已開始。

      2020-11-03 標(biāo)簽：芯片嵌入式存儲(chǔ) 4765 0

      DRAM將出現(xiàn)替代者 憶阻器RRAM或是最好選擇

      目前DRAM市場(chǎng)需求還在不斷的增加，但是如今價(jià)格的水漲船高已經(jīng)讓很多人開始接受不住。人們一直在尋找更好的替代者。據(jù)悉，RRAM被認(rèn)為是下一代代替DRAM...

      2017-12-13 標(biāo)簽：dramrram 3349 0

      RRAM的研究進(jìn)展 RRAM的四大發(fā)展機(jī)遇

      嵌入式閃存微控制器自推出第一批發(fā)動(dòng)機(jī)管理系統(tǒng)以來，就被用作汽車中的ECU，市場(chǎng)上大多數(shù)MCU系列都基于eFlash技術(shù)，但該技術(shù)一直在努力遷移到28納米...

      2022-11-29 標(biāo)簽：NANDRRAM 2797 0

      存儲(chǔ)器迎來怎樣的2023？

      存儲(chǔ)器的歷史始于1984年，彼時(shí) Masuoka 教授發(fā)明了 NAND Flash（NAND 閃存）。1989年，東芝首款 NAND Flash 上市。...

      2022-11-25 標(biāo)簽：PCM存儲(chǔ)器MRAM 2351 0

      憶阻器（RRAM）存算一體路線再次被肯定

      憶阻器（RRAM）存算一體路線再次被肯定

      近日，清華大學(xué)發(fā)布的一顆憶阻器存算一體芯片，火了。該芯片的火爆源于一個(gè)月前，清華大學(xué)發(fā)的一篇論文

      2023-10-26 標(biāo)簽：CMOS運(yùn)算器憶阻器 2251 0

      IMEC:3D Flash有潛力 RRAM還需等待

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      基于金屬氧化物的非揮發(fā)性記憶體──電阻式 RAM (RRAM)，在 11nm 節(jié)點(diǎn)前不可能進(jìn)入市場(chǎng);在此之前，堆疊式浮閘 NAND 快閃記憶體相對(duì)較具潛...

      2011-10-24 標(biāo)簽：3DFlashRRAM 2087 0

      RRAM：走向新型嵌入式存儲(chǔ)之路

      據(jù)Web-Feet Research等分析公司預(yù)測(cè)，到2018年，消費(fèi)類電子設(shè)備的嵌入式內(nèi)存市場(chǎng)將突破28.8億美元，現(xiàn)在是我們?yōu)檫@一問題想出解決方案的...

      2016-07-19 標(biāo)簽：RRAMCrossbar電阻式RAM 2064 0

      臺(tái)積電重返內(nèi)存市場(chǎng) 瞄準(zhǔn)MRAM和RRAM | 老邢點(diǎn)評(píng)

      臺(tái)積電重返內(nèi)存市場(chǎng) 瞄準(zhǔn)MRAM和RRAM | 老邢點(diǎn)評(píng)

      晶圓代工大廠臺(tái)積電和三星的競(jìng)爭，現(xiàn)由邏輯芯片擴(kuò)及內(nèi)存市場(chǎng)。 臺(tái)積電這次重返內(nèi)存市場(chǎng)，瞄準(zhǔn)是訴求更高速及低耗電的MRAM和RRAM等次世代內(nèi)存，因傳輸速度...

      2017-06-07 標(biāo)簽：臺(tái)積電MRAMRRAM 1829 0

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        電池
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        電池（Battery）指盛有電解質(zhì)溶液和金屬電極以產(chǎn)生電流的杯、槽或其他容器或復(fù)合容器的部分空間，能將化學(xué)能轉(zhuǎn)化成電能的裝置。具有正極、負(fù)極之分。隨著科技的進(jìn)步，電池泛指能產(chǎn)生電能的小型裝置。如太陽能電池。電池的性能參數(shù)主要有電動(dòng)勢(shì)、容量、比能量和電阻。
      • Littelfuse
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        充電樁
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        充電樁其功能類似于加油站里面的加油機(jī)，可以固定在地面或墻壁，安裝于公共建筑（公共樓宇、商場(chǎng)、公共停車場(chǎng)等）和居民小區(qū)停車場(chǎng)或充電站內(nèi)，可以根據(jù)不同的電壓等級(jí)為各種型號(hào)的電動(dòng)汽車充電。
      • e絡(luò)盟
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        +關(guān)注
        e絡(luò)盟是電子元器件分銷商，授權(quán)經(jīng)銷3500余家半導(dǎo)體、連接器、光電和顯示產(chǎn)品、無源、電源和機(jī)電產(chǎn)品、軟件等產(chǎn)品，為電子行業(yè)的設(shè)計(jì)工程師和采購專員提供服務(wù)。
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        Arrow Electronics 是向工業(yè)和商業(yè)電子元器件和企業(yè)運(yùn)算解決方案用戶提供產(chǎn)品、服務(wù)和解決方案的全球供應(yīng)商，2016 年銷售額達(dá) 23.8 億美元。Arrow 作為供應(yīng)渠道合作伙伴，通過遍布全球 90 多個(gè)國家和地區(qū)的 465 多個(gè)地點(diǎn)構(gòu)成的全球網(wǎng)絡(luò)，為超過 125,000 家原始設(shè)備制造商、合約制造商和商業(yè)客戶提供服務(wù)。
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        　　Vivado設(shè)計(jì)套件，是FPGA廠商賽靈思公司2012年發(fā)布的集成設(shè)計(jì)環(huán)境。包括高度集成的設(shè)計(jì)環(huán)境和新一代從系統(tǒng)到IC級(jí)的工具，這些均建立在共享的可擴(kuò)展數(shù)據(jù)模型和通用調(diào)試環(huán)境基礎(chǔ)上。
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        全志科技是領(lǐng)先的智能應(yīng)用處理器SoC和智能模擬芯片設(shè)計(jì)廠商。公司主要產(chǎn)品為多核智能終端應(yīng)用處理器、智能電源管理芯片等。憑借卓越的研發(fā)團(tuán)隊(duì)及技術(shù)實(shí)力，全志科技在超高清視頻編解碼、高性能CPU/GPU多核整合、先進(jìn)工藝的高集成度、超低功耗等方面處于業(yè)界領(lǐng)先水平，是全球平板電腦、高清視頻、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備以及智能電源管理等市場(chǎng)領(lǐng)域的主流供應(yīng)商之一。公司總部設(shè)于中國珠海。
      • iPhone5
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        iPhone5是蘋果公司（Apple）在2012年9月推出的一款手機(jī)，已于2012年9月21日正式上市。
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        Nordic
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        Nordic是一家無晶圓半導(dǎo)體公司，專長是開發(fā)短距離無線技術(shù)和低功耗蜂窩物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。該公司率先推出超低功耗無線技術(shù)，并幫助開發(fā)廣泛采用的低功耗藍(lán)牙(Bluetooth Low Energy)無線技術(shù)。
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        西部數(shù)據(jù)
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        西部數(shù)據(jù)公司（Western Digital Corp）是一家全球知名的硬盤廠商，成立于1970年，目前總部位于美國加州，在世界各地設(shè)有分公司或辦事處，為全球五大洲用戶提供存儲(chǔ)器產(chǎn)品。
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        　　隨著Vivado 設(shè)計(jì)套件通用版本的發(fā)布，賽靈思還針對(duì)All Programmable 7系列 FPGA和Zynq？-7000 EPP SoC器件推出Vivado高層次綜合（HLS）工具，繼續(xù)延續(xù)其在電子系統(tǒng)級(jí)（ESL）設(shè)計(jì)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
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        羅德與施瓦茨
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        據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)（WSTS）日前發(fā)布的一份預(yù)測(cè)報(bào)告顯示，世界半導(dǎo)體市場(chǎng)未來三年將保持兩位數(shù)的增長，這份報(bào)告還表明，全球半導(dǎo)體業(yè)之所以能夠復(fù)蘇，通信產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展功不可沒，近年來通信集成電路IC芯片的需求大幅度增長，給全球半導(dǎo)體業(yè)注入了新的活力。
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        格羅方德半導(dǎo)體股份有限公司由AMD拆分而來、與阿聯(lián)酋阿布扎比先進(jìn)技術(shù)投資公司(ATIC)和穆巴達(dá)拉發(fā)展公司(Mubadala)聯(lián)合投資成立的半導(dǎo)體制造企業(yè)。
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        WiFi芯片
        +關(guān)注
        wifi是當(dāng)今使用最廣的一種無線網(wǎng)絡(luò)傳輸技術(shù)，實(shí)際上就是把有線網(wǎng)絡(luò)信號(hào)轉(zhuǎn)換成無線信號(hào)，供支持其技術(shù)的設(shè)備接收。
      • Siri
        Siri
        +關(guān)注
        Siri是蘋果公司在其產(chǎn)品iPhone4S，iPad 3及以上版本手機(jī)和Mac上應(yīng)用的一項(xiàng)智能語音控制功能。
      • 基帶芯片
        基帶芯片
        +關(guān)注
        基帶芯片是指用來合成即將發(fā)射的基帶信號(hào)，或?qū)邮盏降幕鶐盘?hào)進(jìn)行解碼的芯片。具體地說，就是發(fā)射時(shí)，把語音或其他數(shù)據(jù)信號(hào)編碼成用來發(fā)射的基帶碼；接收時(shí)，把收到的基帶碼解碼為語音或其他數(shù)據(jù)信號(hào)，它主要完成通信終端的信息處理功能。
      • 世強(qiáng)
        世強(qiáng)
        +關(guān)注
      • MRAM
        MRAM
        +關(guān)注
        MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory） 是一種非易失性（Non-Volatile）的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
      • 便攜醫(yī)療
        便攜醫(yī)療
        +關(guān)注
        受惠于中國政府醫(yī)療改革以及居民對(duì)健康保健的重視，未來3年，中國便攜醫(yī)療電子市場(chǎng)年復(fù)合增長率將超過30％！其市場(chǎng)規(guī)模從2006年的80億元迅速擴(kuò)大到2011的280億元！
      換一批

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