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標(biāo)簽 > pn結(jié)
采用不同的摻雜工藝,通過擴(kuò)散作用,將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體(通常是硅或鍺)基片上,在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。
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當(dāng)正向電壓減小時(shí),又會(huì)有電子、空穴從耗盡區(qū)分別流入N區(qū)、P 區(qū),相當(dāng)于電容放電。加反向電壓升高時(shí),一方面會(huì)使耗盡區(qū)變寬,會(huì)使P區(qū)的空穴進(jìn)一步遠(yuǎn)離耗盡區(qū),...
EE工程師都會(huì)面臨MOSFET的選型問題,無論是功率級(jí)別應(yīng)用的Power MOS還是信號(hào)級(jí)別的Signal MOSFET,他們的Datasheet中,一...
MOS管知識(shí)最全收錄技術(shù)參數(shù)詳解!MOS管的種類及結(jié)構(gòu)
N溝道增強(qiáng)型MOS管在P型半導(dǎo)體上生成一層SiO2薄膜絕緣層,然后用光刻工藝擴(kuò)散兩個(gè)高摻雜的N型區(qū),從N型區(qū)引出電極(漏極D、源極S);在源極和漏極之間...
第三個(gè)特性,當(dāng)E極接地,如果足夠大,那么就更加的大,這就預(yù)示著之間的電阻就更加的小。因?yàn)殡娏髟酱螅娮杈驮叫 P〉轿覀兘频恼J(rèn)為CE之間是短路的。電流大...
PN結(jié)加正向電壓及PN結(jié)電導(dǎo)調(diào)制作用
同一個(gè)半導(dǎo)體一頭做成P型半導(dǎo)體,一頭做成N型半導(dǎo)體,就會(huì)在兩種半導(dǎo)體的交界面處形成一個(gè)特殊的接觸面則成為PN結(jié)。P結(jié)種空穴多點(diǎn)在少,N結(jié)種電子多空穴少。
設(shè)VD為二極管正向壓降(硅管為0.7V左右),當(dāng)VF遠(yuǎn)大于VD時(shí),VD可略去不計(jì),則在t1時(shí),V1突然從+VF變?yōu)?VR。在理想情況下 ,二極管將立刻轉(zhuǎn)...
NPN和PNP是兩種不同類型的三極管,除了極性相反之外,其用法也不一樣,在電路板上應(yīng)用時(shí),到底選NPN還是PNP三極管需根據(jù)電路的實(shí)際情況而定,并不是可...
2019-09-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體PN結(jié)單向?qū)щ娦?/a> 2.2萬 0
2019-09-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體PN結(jié)單向?qū)щ娦?/a> 2.2萬 0
2019-09-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體PN結(jié)單向?qū)щ娦?/a> 2.1萬 0
關(guān)于二極管的PN結(jié)的知識(shí)介紹
PN結(jié)形成當(dāng)把P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體制作在一起時(shí),在它們的交界面處,由于兩種半導(dǎo)體多數(shù)載流子的濃度差很大,因此P區(qū)的空穴會(huì)向N區(qū)擴(kuò)散,同時(shí),N區(qū)的自由電...
穩(wěn)壓二極管的工作原理、主要參數(shù)及應(yīng)用實(shí)例
穩(wěn)壓二極管,是指利用PN結(jié)反向擊穿狀態(tài),其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的現(xiàn)象,制成的起穩(wěn)壓作用的二極管。
2023-11-03 標(biāo)簽:二極管電流穩(wěn)壓二極管 1.8萬 0
2018-09-06 標(biāo)簽:PN結(jié)單向?qū)щ娦?/a> 1.7萬 0
如圖2-1,將一塊P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體相結(jié)合后,構(gòu)成PN結(jié)。P區(qū)與N區(qū)兩塊半導(dǎo)體之間形成了空間電荷區(qū)。(空間電荷區(qū)又稱阻擋層、耗盡層、勢壘區(qū))
三極管的工作狀態(tài)、主要參數(shù)及電路應(yīng)用
三極管(BJT)是一種電流控制型半導(dǎo)體器件,由兩個(gè)PN結(jié)組成,兩個(gè)PN結(jié)把整塊半導(dǎo)體分成三部分,中間部分是基區(qū),兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)。
當(dāng)加在三極管發(fā)射結(jié)的電壓大于PN結(jié)的導(dǎo)通電壓,并處于某一恰當(dāng)?shù)闹禃r(shí),三極管的發(fā)射結(jié)正向偏置,集電結(jié)反向偏置,這時(shí)基極電流對(duì)集電極電流起著控制作用,使三極...
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