PN結(jié)一邊是P區(qū)，一邊是N區(qū)，只有P區(qū)電位高于N區(qū)電位，它才會通，而且有P到N導通，反過來，N電位高于P區(qū)，不會導通，稱為反向截止。

將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱PN結(jié)。一塊單晶半導體中 ，一部分摻有受主雜質(zhì)是P型半導體，另一部分摻有施主雜質(zhì)是N型半導體時 ，P 型半導體和N型半導體的交界面附近的過渡區(qū)就是PN結(jié)。

同一個半導體一頭做成P型半導體，一頭做成N型半導體，就會在兩種半導體的交界面處形成一個特殊的接觸面則成為PN結(jié)。P結(jié)種空穴多點在少，N結(jié)種電子多空穴少。

當PN結(jié)加正向電壓時，P區(qū)中空穴（正電荷）在電源正極的排斥下向N區(qū)移動，到了N區(qū)后，又在電源負極的吸引下，向電源負極移動。同理，N區(qū)的電子（負電荷）在電源負極的排斥下，向P區(qū)移動，到了P區(qū)后有在電源正極的吸引下向電源正極移動。這樣就會在PN結(jié)種形成持續(xù)的電流，也就是說，PN結(jié)導通了。所以只要給PN結(jié)加正向電壓PN結(jié)就會導通。

PN結(jié)加正向電壓及PN結(jié)電導調(diào)制作用

如圖1-2a所示，PN結(jié)加上正向電壓，外部電場與內(nèi)部電場方向相反，削弱了內(nèi)電場，空間電荷區(qū)變窄，Ｐ區(qū)多數(shù)載流子空穴以及Ｎ區(qū)多數(shù)載流子電子，容易越過勢壘區(qū)（耗盡層），PN結(jié)導通，又因電源提供了空穴和電子，所以電流可以維持，其大小是由電源電壓以及外串電阻大小決定的。

PN結(jié)加正向電壓及PN結(jié)電導調(diào)制作用-圖1-2

從Ｎ區(qū)擴散到Ｐ區(qū)的電子與Ｐ區(qū)的空穴再結(jié)合而消失，同樣從Ｐ區(qū)擴散到Ｎ區(qū)的空穴與Ｎ區(qū)電子再結(jié)合而消失。圖1-2b為少數(shù)載流子濃度分布圖，隨著遠離空間電荷區(qū)而減小。

圖1-2c所示為ＰＮ結(jié)加正向電壓時電流成分，流過半導體的電流一定，不同地點多數(shù)載流子電流和少數(shù)載流子電流比例不同，Ｐ區(qū)離空間電荷區(qū)遠處幾乎全是空穴電流，Ｎ區(qū)離空間電荷區(qū)遠處幾乎全是電子電流。

PN結(jié)加正向電壓及PN結(jié)電導調(diào)制作用-圖1-3

由ＰＮ結(jié)組成的大功率二極管都正向電流大、反向耐壓高的特點，為滿足反向耐壓高的要求就要選用電阻率高和較厚的硅片，這樣又帶來正向?qū)妷航荡蟆〒p耗大的問題。如果按半導體材料計算正向壓降可達數(shù)百伏，然而實際上正向壓降只有1V左右，硅整流二極管的管芯結(jié)構(gòu)示意，如圖1-3所示。P+N+代表高濃度重摻雜區(qū)，在通大電流時由P+N+區(qū)向ＰＮ區(qū)注入了大量載流子，提高了Ｐ、 Ｎ區(qū)的電導率，降低了體電阻，所以正向壓降小，這種改變電導率的作用叫電導調(diào)制作用。