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標(biāo)簽 > nexperia
Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家,這些半導(dǎo)體是世界上每個(gè)電子設(shè)計(jì)都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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Nexperia成功增強(qiáng)其CFP功率二極管的范圍
銅夾片 FlatPower (CFP) 產(chǎn)品組合和產(chǎn)能的不斷擴(kuò)展,滿足了現(xiàn)代汽車和工業(yè)應(yīng)用持續(xù)增長(zhǎng)的需求 奈梅亨, 2022 年 10 月 12 日: ...
2022-10-12 標(biāo)簽:Nexperia 494 0
Nexperia擴(kuò)展超低電容ESD保護(hù)二極管產(chǎn)品
靜電放電(ESD)二極管通過(guò)耗散靜電放電的高能量來(lái)保護(hù)關(guān)鍵電子系統(tǒng)和子系統(tǒng)。這可以保護(hù)重要的SOC(系統(tǒng)芯片)和其他器件在ESD事件期間免遭損壞。
2023-10-11 標(biāo)簽:二極管ESD數(shù)據(jù)接口 484 0
Nexperia的變壓器驅(qū)動(dòng)器助力提高工業(yè)和汽車應(yīng)用的效率和性能
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出NXF6501-Q100、NXF6505A-Q100和NXF6505B-Q1...
2024-10-09 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器Nexperia變壓器 452 0
Nexperia近日宣布推出一系列具有高信號(hào)完整性的雙向靜電放電(ESD)保護(hù)二極管,采用創(chuàng)新的倒裝芯片平面柵格陣列(FC-LGA)封裝。這項(xiàng)新型封裝技...
Nexperia推出創(chuàng)新PMIC,大幅降低BOM成本
Nexperia近期宣布,其能源采集產(chǎn)品組合迎來(lái)新成員——全新NEH71x0電源管理IC(PMIC)系列。這一創(chuàng)新產(chǎn)品的推出,不僅進(jìn)一步豐富了Nexpe...
Nexperia推出適用于汽車以太網(wǎng)應(yīng)用的ESD保護(hù)二極管
Nexperia近日宣布了一項(xiàng)重要?jiǎng)?chuàng)新,成功推出首款符合開(kāi)放技術(shù)聯(lián)盟要求的ESD(靜電放電)保護(hù)二極管,專為10BASE-T1S汽車以太網(wǎng)應(yīng)用設(shè)計(jì)。這款...
2025-02-12 標(biāo)簽:ESD保護(hù)Nexperia汽車以太網(wǎng) 400 0
Nexperia推出12通道40V高邊LED驅(qū)動(dòng)器
Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日推出一款符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的12通道、40 V高邊LED驅(qū)動(dòng)器 (IC)。該產(chǎn)品達(dá)到功能安全ASIL-B等級(jí),適...
2025-03-28 標(biāo)簽:led驅(qū)動(dòng)器汽車照明 389 0
Nexperia推出全新CCPAK GaN FET產(chǎn)品組合
Nexperia(安世半導(dǎo)體)融合其近20年來(lái)在高質(zhì)量、高穩(wěn)健性SMD封裝方面的豐富生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn),推出全新CCPAK GaN FET產(chǎn)品組合。基于此久經(jīng)考驗(yàn)...
Nexperia推出高效耐用的1200 V SiC MOSFET,采用創(chuàng)新X.PAK封裝技術(shù)
近日,Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET,專為滿足工業(yè)應(yīng)用中的高效能和耐用性需求而設(shè)計(jì)。這些新產(chǎn)品不僅具備卓越的...
Nexperia推出新款汽車級(jí)SiC MOSFET,具備卓越效率與熱穩(wěn)定性
近日,Nexperia宣布推出一系列高效且堅(jiān)固的汽車級(jí)碳化硅(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,SiCMOSFET),這些新產(chǎn)品在RDS(on)額定值方面分...
2025-05-08 標(biāo)簽:NexperiaSiC MOSFET汽車 202 0
Nexperia MLPAK33封裝60V MOSFET助力優(yōu)化電源開(kāi)關(guān)性能
在挑選MOSFET時(shí),大多數(shù)工程師首先關(guān)注的一個(gè)參數(shù)便是RDS(on)值。然而,面對(duì)消費(fèi)電子、計(jì)算、移動(dòng)設(shè)備乃至工業(yè)子系統(tǒng)的大批量需求,設(shè)計(jì)工程師對(duì)產(chǎn)品...
2025-05-23 標(biāo)簽:MOSFET電源開(kāi)關(guān)Nexperia 182 0
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