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Nexperia是大批量生產基本半導體的領先專家,這些半導體是世界上每個電子設計都需要的組件。該公司廣泛的產品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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Nexperia推適用于CAN-FD應用的新款無引腳ESD保護器件,支持使用AOI工具
Nexperia推出符合AEC-Q101標準的無引腳CAN-FD保護二極管,具有行業領先的ESD性能兼容AOI,出色的RF性能。
Nexperia為多個汽車應用領域貢獻力量,約270款Nexperia產品運用在不同的汽車應用中。
Nexperia全新定義MOSFET產品 為特定應用提供優化的參數
Nexperia為電池隔離、電機控制、熱插拔和以太網供電(PoE)應用提供ASFET系列。
Nexperia推出首款帶可焊性側面、采用DFN封裝的LED驅動器
采用DFN2020D-6 (SOT1118D)封裝,能有效節省空間。
Nexperia推出用于HDMI 2.1和DP端口的具有ESD保護的共模濾波器
HDMI 2.1使顯示器具有更高的分辨率和更出色的色彩。但是,這需要更優秀的抗干擾保護,尤其是在緊湊的無線應用中。
Nexperia推出四款全新兼具高信號完整性的TrEOS ESD保護器件
具備行業基準性能的器件,符合AEC-Q101標準,可保護信息娛樂、多媒體和ADAS系統。
Nexperia宣布推出新一代氮化鎵技術;中芯國際回復首輪問詢…
據有關媒體報道,近段時間內,包括蘋果、高通、聯發科、AMD等在內,都紛紛向臺積電大幅追加第四季度的7nm訂單。第四季度是個耐人尋味的時間點,因為美方5月...
Nexperia(安世半導體)宣布推出新一代650V氮化鎵 (GaN) 技術
新一代氮化鎵技術針對汽車、5G 和數據中心等應用;新器件采用了傳統的TO-247封裝和創新的銅夾片貼片封裝CCPAK
半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia推出了一系列反向電壓為120 V、150 V和200 V的新鍺化硅(SiGe)整流器,兼具肖特基...
Nexperia推出反向電壓為120 V、150 V和200 V的新鍺化硅(SiGe)整流器
PMEG SiGe設備(PMEGxGxELR/P)采用功率二極管行業標準的節省空間、高熱效率的CFP3和CFP5封裝。
Nexperia發布P溝道MOSFET,采用節省空間的堅固LFPAK56封裝
LFPAK封裝采用銅夾片結構,由Nexperia率先應用,已在汽車等要求嚴格的應用領域中使用近20年。
Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%,且具備低導通電阻RDS(on)
PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝,占位面積僅為0.62 x 0.62 mm,與前一代DFN1006器件相比,節省了超過36%的空間。
TrEOS二極管完全支持USB4TM標準;具有低鉗位、低電容、低泄露特性,極高的魯棒性
Nexperia與Ricardo合作開發基于GaN的EV逆變器設計
的汽車咨詢公司在技術演示器中采用Nexperia已獲AEC-Q101認證的GaN FET器件
Nexperia針對汽車以太網推具有開創性且符合OPEN Alliance 標準的硅基ESD器件
分立元件、MOSFET 元件及模擬和邏輯 IC 的專業制造商 Nexperia,日前宣布針對 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 汽車以太...
MJD雙極晶體管(高達8A)豐富了Nexperia功率產品系列
Nexperia公司今日推出一款全新高質量、高可靠性 的MJD 3 A 和 8 A 功率汽車雙極晶體管(符合 AEC-Q101 標準以及消費者/工業標準)。
總部位于荷蘭的分立和 MOSFET 器件及模擬與邏輯 IC領域的專家Nexperia公司今日推出一款全新高質量、高可靠性的MJD 3 A 和 8 A 功...
Nexperia推出了一款適用于電動汽車中的Nexperia氮化鎵器件
GAN063-650WSA的特點是低導通電阻(最大RDS(on) 僅為 60 m)以及快速的開關切換;效率非常高。 Nexperia氮化鎵器件的目標是高...
Nexperia推出650V的功率器件GAN063-650WSA
Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其進入氮化鎵場效應管(GaN)市場。
分立器件、MOSFET器件及模擬與邏輯集成電路元件行業專家Nexperia(安世)于近日宣布,其已成功籌得等值15億美元的高級信貸額度。這筆資金將用于對...
2019-09-06 標簽:Nexperia 6797 0
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