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      標(biāo)簽　>　nand

      nand

      nand

      +關(guān)注16人關(guān)注

      NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

      文章：1542個(gè) 瀏覽：138088次 帖子：345個(gè)

      nand資訊

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      2023-09-11 標(biāo)簽：芯片閃存NAND 958 0

      美光業(yè)界領(lǐng)先的232 層NAND可滿足 AI 海量數(shù)據(jù)的存儲需求

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      由于長期nand型需求沒有得到恢復(fù)，鎧俠將在日本巖手縣其他場建設(shè)的生產(chǎn)工廠的啟動(dòng)時(shí)間從當(dāng)初的2023年推遲到了2024年以后。另外，成套設(shè)備的交貨也在推遲。

      2023-08-14 標(biāo)簽：NAND晶圓存儲芯片 670 0

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      一、什么是pSLCpSLC（Pseudo-SingleLevelCell）即偽SLC，是一種將MLC/TLC改為SLC的一種技術(shù)，現(xiàn)NandFlash基...

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