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標簽 > nand flash
Nand-flash存儲器是flash存儲器的一種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。
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我們使用的智能手機除了有一個可用的空間(如蘋果8G、16G等),還有一個RAM容量,很多人都不是很清楚,為什么需要二個這樣的芯片做存儲呢,這就是我們下面...
2012-09-25 標簽:flashNAND flashNOR flash 15.9萬 5
STM32單片機對NAND Flash的讀寫以及在ASF中的使用
NAND Flash的容量較大。整片F(xiàn)lash分為若干個塊(Block),每個Block分為若干個頁(Page)。在每個頁中,除了數(shù)據(jù)區(qū)域,也包含若干“...
2018-12-11 標簽:nand flashstm32單片機 1.6萬 0
數(shù)據(jù)存儲技術(shù)之nand_flash結(jié)構(gòu)和原理剖析
1. 引言 NAND FLASH被廣泛應(yīng)用于電子系統(tǒng)中作為數(shù)據(jù)存儲。在各種高端電子系統(tǒng)中現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)已被廣泛應(yīng)用。FPGA靈活的硬件邏輯...
2017-12-01 標簽:Nand flash數(shù)據(jù)存儲技術(shù) 1.4萬 0
相信有很多人都對計算機里的各種存儲器(ROM、RAM、FLASH 等等)傻傻分不清,就會存在,內(nèi)存條是 dram 還是 nand?nand flash ...
2020-12-17 標簽:DRAMsramNand flash 1.2萬 0
全面介紹新型存儲技術(shù):PCM/MRAM/RRAM/ReRAM
MRAM是一種基于隧穿磁阻效應(yīng)的技術(shù),MRAM的產(chǎn)品主要適用于容量要求低的特殊應(yīng)用領(lǐng)域以及新興的IoT嵌入式存儲領(lǐng)域,該技術(shù)擁有讀寫次數(shù)無限、寫入速度快...
2023-01-07 標簽:DRAM存儲器Nand flash 6527 0
wafer、die、cell是什么?它們有何關(guān)系和區(qū)別呢?
可能你偶爾會聽見硬件工程師,或者芯片設(shè)計工程師講述一些專業(yè)名詞,比如今天說的wafer、die、cell等。
Flash名稱的由來,F(xiàn)lash的擦除操作是以block塊為單位的,與此相對應(yīng)的是其他很多存儲設(shè)備,是以bit位為最小讀取/寫入的單位
2023-07-03 標簽:MOSFETLinux系統(tǒng)MLC 4413 0
基于K9F2G08U0A的Nand Flash操作和電路原理
由于K9F2G08U0A的總線寬度為8位,頁大小為2048字節(jié),需要5個尋址命令,所以NCON、GPG13和GPG14應(yīng)該接高電平,GPG15應(yīng)該接低電平。
2020-09-07 標簽:控制器寄存器Nand flash 4218 0
DRAM和NAND閃存和其它存儲器技術(shù)的區(qū)別
相變存儲器或 PCM 使用材料的一些主要物理轉(zhuǎn)變——例如結(jié)晶態(tài)和非晶態(tài)之間的轉(zhuǎn)變——以及相關(guān)的電氣特性變化——來存儲數(shù)據(jù)。
2022-10-18 標簽:相變存儲器DRAMNand flash 3743 0
NOR FLASH和NAND FLASH基本結(jié)構(gòu)和特點介紹
非易失性存儲元件有很多種,如EPROM、EEPROM、NOR FLASH和NAND FLASH,前兩者已經(jīng)基本被淘汰了,因此我僅關(guān)注后兩者
2023-06-29 標簽:場效應(yīng)管EPROMNand flash 3577 1
NAND Flash上的,指的是用于向閃存單元寫入數(shù)據(jù)時使用的較高編程電壓。通常高于用于其他操作如讀取或擦除的正常工作電壓。
2024-05-30 標簽:電荷泵VccNand flash 3433 0
描述mcp內(nèi)核常見問題的排查方法幫助快速排查定位問題
任何系統(tǒng),硬件故障和軟件故障都不可避免。比如車載系統(tǒng),由于汽車行駛過程中的震動,發(fā)熱,電瓶饋電等,很容易影響電子元件的特性,這對設(shè)備是致命的影響,會直接...
2022-07-12 標簽:存儲Nand flashMCP 2840 0
NVMe SSD的標準時面向PCIe SSD的,使用原生PCIe通道與CPU直連可以免去SATA與SAS接口的外置控制器(PCH)與CPU通信所帶來的延時。
2022-09-09 標簽:SSDNand flash 2470 0
nandflash和norflash的主要特點和區(qū)別
NAND Flash和NOR Flash都是基于浮柵場效應(yīng)晶體管(Floating Gate FET)的結(jié)構(gòu)。它們都包含源極(Source)、漏極(Dr...
2024-02-19 標簽:場效應(yīng)晶體管Nand flashNOR flash 2197 0
i.MXRTxxx里FLEXSPI_MCR0寄存器保留位會造成IP CMD讀寫異常?
痞子衡最近需要在恩智浦無線系列 SoC(RW612)上調(diào)試串行 NAND Flash 驅(qū)動,簡單理解這顆芯片其實就是 RT600 + 多模無線 SIP ...
在嵌入式開發(fā)中,常常要操作寄存器,對寄存器進行寫入,讀出等等操作。每個寄存器都有自己固有的地址,通過C語言訪問這些地址就變得尤為重要。
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