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MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫入。
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非易失性存儲(chǔ)器MR20H40CDF概述及優(yōu)勢(shì)
Everspin MRAM是面向數(shù)據(jù)持久性和完整性、低延遲和安全性至關(guān)重要的市場(chǎng)和應(yīng)用的翹楚。MR20H40CDF是位寬512Kx8的非易失性存儲(chǔ)器MR...
MR10Q010是理想的存儲(chǔ)器解決方案,適用于必須使用少量引腳、低功耗和24引腳BGA或16引腳SOIC封裝快速存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用。Quad S...
非易失性串口MRAM存儲(chǔ)器MR25H256CDF概述及特征
MRAM是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù),可以在不需要電源的情況下將其內(nèi)容保留至少10年。它適用于在系統(tǒng)崩潰期間需要保存數(shù)據(jù)的商業(yè)應(yīng)用。基于MRAM的設(shè)備可以為“...
“持久性存儲(chǔ)器”通常是指駐留在存儲(chǔ)器總線上的高性能、字節(jié)可尋址、非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備。MRAM(磁性只讀存儲(chǔ)器)和FRAM(鐵電RAM)都聲稱具有相似的性...
串口MRAM存儲(chǔ)器MR25H256ACDF概述及特征
MRAM是一種利用電子自旋來(lái)存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力,能夠?qū)⒋鎯?chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度相結(jié)合,同時(shí)具有非易失性和節(jié)能性...
MR1A16A是一款具有2097152位的非易失性存儲(chǔ)器
Everspin Technologies,Inc是設(shè)計(jì)制造MRAMSTT-MRAM的翹楚,其市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和可靠性。完整性,低延遲和安全...
醫(yī)療刺激裝置如何通過(guò)外部存儲(chǔ)器來(lái)實(shí)現(xiàn)高性能
隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,消費(fèi)類、便攜式醫(yī)療設(shè)備的功能越來(lái)越強(qiáng)大,越來(lái)越完善,極大地提高了準(zhǔn)確性、可靠性、連接性和易用性,同時(shí)保證了用戶健康信息的安全性,價(jià)格...
Everspin MRAM加強(qiáng)了RIM智能電表的即時(shí)非易失性
今天介紹Everspin的MR25H40非易失性存儲(chǔ)器MRAM如何在RIM的三相智能電表中提供強(qiáng)大的系統(tǒng)存儲(chǔ)優(yōu)勢(shì)。 Everspin的4Mbit MR2...
256Mb ST-DDR3自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM的詳細(xì)介紹
Everspin公司型號(hào)EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM(STT-MRAM)是非易失性存儲(chǔ)器,在DDR3速度下具...
Everspin MRAM非易失性存儲(chǔ)器在太空探索中的應(yīng)用
Everspin半導(dǎo)體為環(huán)境苛刻的應(yīng)用,如軍事、航空航天、工業(yè)和汽車系統(tǒng)等提供非易失性存儲(chǔ)技術(shù)。Angstrom Aerospace在其磁力計(jì)子系統(tǒng)中使...
MR3A16A是一款MRAM非易失性存儲(chǔ)器,它有哪些特點(diǎn)
產(chǎn)品描述 MR3A16A是一款MRAM非易失性存儲(chǔ)器,位寬為512K x 16。MR3A16A提供SRAM兼容的35ns讀/寫時(shí)序,具有無(wú)限的耐久性。數(shù)...
與富士通FRAM相比,Everspin MRAM有哪些優(yōu)勢(shì)
Everspin是設(shè)計(jì)制造MRAM到市場(chǎng)和應(yīng)用程序的翹楚,在這些市場(chǎng)和應(yīng)用程序中,數(shù)據(jù)持久性和完整性,低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin是MRAM...
并行MRAM存儲(chǔ)芯片MR5A16A的特點(diǎn)是怎樣的
MR5A16A是一個(gè)33,554,432位MRAM存儲(chǔ)芯片器件,組織為2097152個(gè)16位字。MR5A16A提供SRAM兼容的35ns讀/寫時(shí)序(對(duì)于...
MR4A16B是一個(gè)16,777,216位磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)設(shè)備,組織為1,048,576個(gè)16位字。 MR4A16B提供SRAM兼容的35...
非易失性存儲(chǔ)器在DDR3速度下具有非揮發(fā)性和高耐久性
EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM(STT-MRAM)是非易失性存儲(chǔ)器,在DDR3速度下具有非揮發(fā)性和高耐久性。該...
Everspin MRAM非易失性存儲(chǔ)器的五大優(yōu)勢(shì)介紹
MRAM是一種使用電子自旋來(lái)存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力-能夠?qū)⒋鎯?chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起,同時(shí)始終保持非易失性...
對(duì)于長(zhǎng)期處于困境的MRAM行業(yè)來(lái)說(shuō),自旋注人方式可以說(shuō)是一項(xiàng)能夠扭轉(zhuǎn)危機(jī)的革新技術(shù)。 MRAM轟轟烈烈地問(wèn)世。但此后,MRAM在工藝發(fā)展和大容量方面并沒(méi)...
將賽普拉斯nvSRAM替換為MRAM的詳細(xì)說(shuō)明
存儲(chǔ)器芯片供應(yīng)商宇芯電子本章節(jié)對(duì)賽普拉斯4Mbit(256K x 16)nvSRAM 和?MRAM器件分別在 44 引腳 TSOP-II(薄小外型封裝-...
關(guān)于?Everspin MRAM常見(jiàn)問(wèn)題的詳細(xì)解答
Everspin Technologies,Inc是設(shè)計(jì)制造MRAM和STT-MRAM的全球領(lǐng)導(dǎo)者其市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性,低延遲和安全性...
SoC有基于應(yīng)用程序的內(nèi)存,內(nèi)存類型包括哪些
SoC有基于應(yīng)用程序的內(nèi)存。這些存儲(chǔ)器是用于計(jì)算的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器塊。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器通常是指在單個(gè)硅片上制造的金屬氧化物半導(dǎo)體存儲(chǔ)器單元。內(nèi)存類型包括: 易失...
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