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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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英飛凌賦能Flex Power Modules全新開關式電容中間總線轉換器,為48V數據中心應用提供高功率密度
Flex Power Modules推出BMR310——一款非隔離式開關電容中間總線轉換器(IBC),可為數據中心提供高功率密度供電,從而提高電路板空間...
電子發燒友網報道(文/李誠)工業4.0時代及電動汽車快速的普及,工業電源、高壓充電器對功率器件開關損耗、功率密度等性能也隨之提高,傳統的Si-MosFe...
英飛凌和松下攜手加速650V GaN功率器件的GaN技術開發
對于許多設計來說,氮化鎵(GaN)比硅具有根本的優勢。與硅MOSFET相比,氮化鎵HEMT具有出色的特定動態導通電阻和更小的電容,因此更適于做高速開關。
東芝推出了一款以小型貼片式MOSFET為主導的產品—XPN3R804NC
MOSFET是電路中最基本的元器件,其憑借著開關速度快、導通電壓低、電壓驅動簡單等特點,被廣泛應用在各個電子領域之中,其中不乏汽車電子領域方面。 眾所周...
接下來討論低閾值管子的優勢。那么,MOSFET的導通閾值低,它的好處就說對信號的幅值要求就小了。假設MOSFET的導通閾值是1V 或者2V,那么一個3....
2021-08-13 標簽:MOSFET 5993 0
探究羅姆非隔離型柵極驅動器以及超級結MOSFET PrestoMOS
ROHM不僅提供電機驅動器IC,還提供適用于電機驅動的非隔離型柵極驅動器,以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。 我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅動...
英飛凌推出采用高性能AIN陶瓷的新EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET功率模塊,助力提升功率密度和實現更緊湊的設計
英飛凌科技股份公司將EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET模塊升級為新型氮化鋁(AIN) 陶瓷。
適用于熱插拔的Nexperia新款特定應用MOSFET (ASFET)將SOA增加了166%,并將PCB占用空間減小80%
新推出的80 V和100 V器件最大限度降低額定值,并改善均流,從而提供最佳性能、高可靠性并降低系統成本。
MOSFET的開關特性解析|必看 MOS管最顯著的特點也是具有放大能力。不過它是通過柵極電壓uGS控制其工作狀態的,是一種具有放大特性的由電壓uGS控制...
2021-07-23 標簽:MOSFET 9733 0
在電子元件市場中,芯片一路水漲船高的價格一直牢牢抓住著電子人的心。從“哇塞這價格高到離譜,還是我認識的那顆料嗎?”,到“又漲了?哦又漲了!”等等,電子人...
Nexperia獲得Newport Wafer Fab的100%所有權,正式更名為Nexperia Newport
這家威爾士半導體工廠將繼續專注于MOSFET、IGBT、Analog、化合物半導體等車規級產品的生產
功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心,主要用于改變電子裝置中電壓和頻率,及直流交流轉換等。只要在擁有電流電壓及相位轉換的電路系統中,都會用到功...
三星首款基于MOSFET冰箱變頻器設計采用英飛凌600V CoolMOS? PFD7
變頻是當代變頻器設計中,采用直流轉交流的新興轉換趨勢。與傳統的開/關控制相比,變頻能讓產品應用更安靜平穩地運轉,同時也能減少平均耗電量。
Nexperia新8英寸晶圓生產線啟動,首批產品具有行業內極低的Qrr品質因數(RDS(on)x Qrr)
Nexperia今日宣布,位于英國曼徹斯特的新8英寸晶圓生產線啟動,首批產品使用最新的NextPower芯片技術的低RDS(on)和低Qrr ,80 V...
2021年6月,富士經濟對SiC(碳化硅)、Si(硅)功率半導體等下一代功率半導體的全球市場進行了調查。功率半導體市場預計到 2030 年將達到 404...
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