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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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在傳統的PFC電路中,整流橋二極管的損耗一直對電源整體效率和散熱管理造成相當大的挑戰, 如果用“圖騰柱”配置的開關取代傳統的二極管,并同時整合升壓PFC...
東芝推出150V N溝道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出150V N溝道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”,其采用最新一代[1]U-MOSX-...
新型EMIPAK 1B 封裝二極管和MOSFET功率模塊,滿足車載充電應用
Vishay?七款新型二極管和 MOSFET 功率模塊 靈活的器件采用 PressFit 引腳壓合技術 在小型封裝中內置各種電路配置 Vishay? 針...
Vishay推出新款200V N溝道MOSFET的RDS(ON)導通電阻達到業內最低水平,提高系統功率密度且節省能源
TrenchFETa器件典型RDS(ON)為 61 mΩ,優值系數為 854 mΩ*nC,封裝面積10.89 mm2
安世半導體宣布推出業界領先的1200 V碳化硅(SiC)MOSFET
Nexperia(安世半導體)近日宣布,公司現推出業界領先的 1200 V 碳化硅(SiC) MOSFET,采用D2PAK-7 表面貼裝器件(SMD)封...
IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列,可為各種高效工業應用提供基準導通電阻 (Rds(on)) ,全新功率MOSFET系列具有極低...
根據Omdia的數據,2020年全球功率MOSFET的市場規模為81億美元,在新能源汽車,工業控制、5G通訊等市場需求的加持下,全球增速將保持高速增長,...
2023年5月8日,三菱電機宣布將于5月31日開始提供一款新型集成SBD*1的SiC*2-MOSFET*3模塊樣品,該半橋模塊額定電壓為3.3kV,絕緣...
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET-...
專為強化諧振拓撲運作性能打造,英飛凌推出全新 650 V CoolMOS? CFD7
新款 650 V器件擴展了聲譽卓越的 CoolMOS CFD7 系列的電壓范圍,且為 CoolMOS CFD2 的后繼產品。
MOSFET-零溫度系數點ZTC(Zero Temperature Coefficient)
MOSFET完全導通時,RDS(ON)處于正溫度系數區,局部單元的溫度增加,電流減小溫度降低,芯片具有自動平衡電流的分配能力。 但在跨越線性區時,...
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