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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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應(yīng)能微電子推出Load Switch APL0501系列
在快速發(fā)展的智能穿戴、智能手寫(xiě)筆等市場(chǎng),受限于產(chǎn)品的體積,及鋰電池的容量通常都比較小(40mAh到500mAh)。為了更好的延長(zhǎng)使用時(shí)間,需要利用電源分...
雷卯電子leiditech高功率TVS 二極管可防止反激浪涌損壞MOSFET 或繼電器觸點(diǎn)開(kāi)關(guān),而MOSFET 或繼電器觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)可能在短路斷開(kāi)時(shí)發(fā)生。我...
薩科微slkor技術(shù)總監(jiān)、清華大學(xué)李健雄介紹IGBT系列產(chǎn)品
薩科微slkor半導(dǎo)體技術(shù)總監(jiān)、清華大學(xué)李健雄介紹說(shuō),IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),即絕緣柵雙極型晶體...
派恩杰半導(dǎo)體上榜2023中國(guó)IC設(shè)計(jì)TOP 10功率器件公司
日前,AspenCore在上海發(fā)布了2023 中國(guó)IC設(shè)計(jì) Fabless100 排行榜。 該榜單由AspenCore分析師團(tuán)隊(duì)根據(jù)量化數(shù)學(xué)模型、企業(yè)公...
2023-04-03 標(biāo)簽:MOSFETIC設(shè)計(jì)功率器件 3256 0
東芝推出150V N溝道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,推出150V N溝道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”,其采用最新一代[1]U-MOSX-...
2023-03-31 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET東芝 1471 0
瞻芯電子獲評(píng)高新技術(shù)企業(yè),展現(xiàn)SiC MOSFET研發(fā)創(chuàng)新水平
日前,上海瞻芯電子有限公司(簡(jiǎn)稱“瞻芯電子”)榮獲上海市科學(xué)技術(shù)委員會(huì)、上海市財(cái)政局、國(guó)家稅務(wù)總局上海市稅務(wù)局聯(lián)合頒發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)證書(shū),正式邁入中國(guó)高...
EDA探索之MOSFET的微縮- Moore’s Law介紹
摩爾定律提出的時(shí)候,還處于Happy Scaling Era(EDA探索丨第11期:MOSFET收縮,Happy Scaling Era)。所以除了器件...
在其報(bào)告中,Yole SystemPlus 分析了當(dāng)前可用的器件設(shè)計(jì)技術(shù)。該公司比較了多達(dá) 14 個(gè)橫截面的 1200 V 晶體管。大多數(shù)廠商都采用平面...
國(guó)產(chǎn)SIC MOSFET功率器件推出1200V大電流MOSFET獲得車(chē)規(guī)認(rèn)證
2022年11月,上海瞻芯電子開(kāi)發(fā)的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通過(guò)了車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101),該產(chǎn)品為T(mén)O247...
AOS推出適用于USB Type-C型EPR 3.1的強(qiáng)大新型保護(hù)開(kāi)關(guān)
集設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)和全球銷(xiāo)售一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片供應(yīng)商 Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS, 納斯...
2023-03-20 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)MOSFETusb 3737 0
應(yīng)對(duì)大電流場(chǎng)景的“法寶”,維安TOLL MOSFET優(yōu)勢(shì)講解
應(yīng)對(duì)大電流場(chǎng)景的“法寶”,維安TOLL MOSFET優(yōu)勢(shì)講解
FPGA、功率 MOSFET 和汽車(chē)電阻器短缺問(wèn)題依舊持續(xù)
預(yù)計(jì)第一季度全球電子元件需求和采購(gòu)活動(dòng)環(huán)比下降 2%,而工程預(yù)計(jì)下降 20%——進(jìn)一步證明需求下降。
羅姆第4代SiC MOSFET,三大優(yōu)勢(shì)凸顯!
羅姆半導(dǎo)體(上海)有限公司市場(chǎng)宣傳課高級(jí)經(jīng)理張嘉煜表示,羅姆擁有世界先進(jìn)的碳化硅及氮化鎵技術(shù),打造了高效處理電力的功率半導(dǎo)體器件,面向汽車(chē)、工業(yè)設(shè)備等應(yīng)...
千億市場(chǎng),第三代半導(dǎo)體技術(shù)從何突破?
隨著高壓、高頻及高溫領(lǐng)域應(yīng)用的逐漸提高,第三代半導(dǎo)體技術(shù)高頻化和可靠性等性能的要求已是必須。 第三代半導(dǎo)體材料通常是指氮化鎵、碳化硅、氧化鋅、金剛石等,...
低壓PowerPath驅(qū)動(dòng)器可從3.3V或5V電源切換到備用電池
LTC1473L 解決了在高電流水平下在 3.3V 或 5V 電源和備用電池組 (3 節(jié)或 4 節(jié) NiMH) 之間無(wú)縫切換電源的問(wèn)題。通過(guò)驅(qū)動(dòng)兩組背靠...
瞻芯電子完成數(shù)億元B輪融資為國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件加碼
近日,上海瞻芯電子科技有限公司(簡(jiǎn)稱“ 瞻芯電子 ”)完成數(shù)億元B輪融資,本輪融資由國(guó)方創(chuàng)新領(lǐng)投,國(guó)中資本、臨港新片區(qū)基金、金石投資、鐘鼎資本、長(zhǎng)石資本...
SiC工藝特點(diǎn)核心裝備發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)
器件性能和成本的持續(xù)倒逼和規(guī)模化生產(chǎn)對(duì)裝備支撐能力不斷提出新要求, 比如要求大尺寸、高效率和高產(chǎn)能、低污染等。
產(chǎn)品詳細(xì)介紹 產(chǎn)品概述: PL9405是寶礫微電子推出的同步4開(kāi)關(guān)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器,能夠?qū)⑤敵鲭妷赫{(diào)節(jié)為**或**輸入電壓。PL9405可在3.6V...
2023-03-06 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETIC 582 0
WT5105集成非隔離式電源控制器,高雪崩能力功率MOSFET,內(nèi)部集成650 VMOSFET,用于外圍元 器件精簡(jiǎn)的小功率非隔離開(kāi)關(guān)電源。多模式輸出:...
寶礫微MOS管 PL0807N10 DFN5*6 100V/74.4A N溝道MOSFET
應(yīng)用領(lǐng)域: DC-DC轉(zhuǎn)換 SMPS中的同步整流 硬開(kāi)關(guān)和高速電路 電動(dòng)工具 電機(jī)控制 概述: PL0807N10是寶礫微推出的漏源電壓100V的N溝道...
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