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標(biāo)簽 > mosfet

mosfet

mosfet

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簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

這是一種更簡(jiǎn)單的方法,可以保護(hù)您的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備免受黑客攻擊

雖然物聯(lián)網(wǎng)繼續(xù)為我們的生活帶來(lái)更大的便利,但如果不加以保護(hù),智能設(shè)備也可能為惡意攻擊打開(kāi)大門,這些攻擊會(huì)鉆入網(wǎng)絡(luò)并試圖訪問(wèn)敏感數(shù)據(jù)。顯然,您必須保護(hù)您的...

2023-06-28 標(biāo)簽:MOSFET物聯(lián)網(wǎng)PUF 1066 0

MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的分類及工作原理

MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的分類及工作原理

1 歷史 1947年威廉.肖克利與他人共同發(fā)明了晶體管,屬于雙極型晶體管(Bipolarjunction Transistor)。此外,晶體管還有另外一...

2023-06-28 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管JFET 5457 0

耗盡型功率MOSFET:被忽略的MOS產(chǎn)品

耗盡型功率MOSFET:被忽略的MOS產(chǎn)品

功率MOSFET最常用于開(kāi)關(guān)型應(yīng)用中,發(fā)揮著開(kāi)關(guān)的作用。

2023-06-27 標(biāo)簽:繼電器MOSFETsmps 1121 0

基于N溝道MOSFET實(shí)現(xiàn)BPS電路的理想方法

基于N溝道MOSFET實(shí)現(xiàn)BPS電路的理想方法

在這個(gè)設(shè)計(jì)中,我們看到了使用N溝道MOSFET實(shí)現(xiàn)BPS電路的理想方法。

2023-06-27 標(biāo)簽:MOSFETN溝道BPS 1581 0

雙向開(kāi)關(guān)的介紹/特性/結(jié)構(gòu)/功能

雙向開(kāi)關(guān)的介紹/特性/結(jié)構(gòu)/功能

雙向電源開(kāi)關(guān) (BPS) 是一種使用 MOSFET 或 IGBT 構(gòu)建的有源器件,在上電時(shí)允許雙向雙向電流流動(dòng),并在斷電時(shí)阻止雙向電壓流。

2023-06-27 標(biāo)簽:MOSFETIGBTBPS 1.0萬(wàn) 0

安森德SJ MOSFET針對(duì)大功率電源的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

安森德SJ MOSFET針對(duì)大功率電源的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

安森德針對(duì)大功率電源等應(yīng)用,自主研發(fā)先進(jìn)多層外延高壓超結(jié)MOS,具有電流密度高、短路能力強(qiáng)、開(kāi)關(guān)速度快、易用性好等特點(diǎn)。安森德高壓超結(jié)MOS在導(dǎo)通電阻方...

2023-06-27 標(biāo)簽:MOSFET功率電源太陽(yáng)能逆變器 951 0

擴(kuò)展600V輸入、無(wú)光耦合器隔離式反激式控制器的電源電壓

擴(kuò)展600V輸入、無(wú)光耦合器隔離式反激式控制器的電源電壓

在傳統(tǒng)的隔離式高壓反激式轉(zhuǎn)換器中,使用光耦合器將穩(wěn)壓信息從副邊基準(zhǔn)電壓源電路傳輸?shù)匠跫?jí)側(cè),可實(shí)現(xiàn)嚴(yán)格的穩(wěn)壓。問(wèn)題在于,光耦合器大大增加了隔離設(shè)計(jì)的復(fù)雜性...

2023-06-26 標(biāo)簽:電源MOSFET光耦合器 1335 0

高效率、20A、單芯片靜音開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器適用于SoC和微處理器應(yīng)用

高效率、20A、單芯片靜音開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器適用于SoC和微處理器應(yīng)用

LTC7150S 提高了工業(yè)和汽車電源的高性能標(biāo)準(zhǔn)。它具有高效率、小尺寸和低 EMI 的特點(diǎn)。集成的高性能 MOSFET 和熱管理功能可從高達(dá) 20V ...

2023-06-26 標(biāo)簽:電源MOSFETEMI 1182 0

42V、2A/3A峰值同步降壓型穩(wěn)壓器,具有2.5μA靜態(tài)電流和超低EMI輻射

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LT8609、LT8609A、LT8609B和LT8609S是同步單芯片降壓型穩(wěn)壓器,具有3 V至42 V寬輸入范圍。該器件系列針對(duì)需要低 EMI、高效...

2023-06-26 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET穩(wěn)壓器 1741 1

高電壓LTC3892控制器系列降低了DC-DC轉(zhuǎn)換器的成本和尺寸

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LTC3892 是一款多功能控制器,廣泛用于汽車和工業(yè)應(yīng)用。該控制器的主要優(yōu)點(diǎn)是能夠通過(guò)調(diào)節(jié)開(kāi)關(guān)MOSFET的柵極電壓來(lái)降低功率損耗,并且靜態(tài)電流極低(...

2023-06-26 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET控制器 1536 0

先進(jìn)單溝道高壓隔離柵極驅(qū)動(dòng)器GD3160介紹

先進(jìn)單溝道高壓隔離柵極驅(qū)動(dòng)器GD3160介紹

電動(dòng)車逐漸代替燃油車已經(jīng)成為一種不可逆轉(zhuǎn)的趨勢(shì)。電動(dòng)車上最主要的動(dòng)力來(lái)源就是主驅(qū)電機(jī),所以作為主驅(qū)電機(jī)的控制方案就變得尤為重要。

2023-06-26 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 7373 0

雙相高效移動(dòng)CPU電源將尺寸和熱應(yīng)力降至最低

雙相高效移動(dòng)CPU電源將尺寸和熱應(yīng)力降至最低

筆記本電腦對(duì)計(jì)算能力的需求不斷增加,顯著增加了CPU時(shí)鐘頻率和電源電流。即將推出的移動(dòng)CPU需要高達(dá)25A的核心電流來(lái)處理復(fù)雜的計(jì)算任務(wù)。傳統(tǒng)的單相解決...

2023-06-26 標(biāo)簽:電源MOSFET驅(qū)動(dòng)器 745 0

70mΩ受保護(hù)負(fù)載管理開(kāi)關(guān)

70mΩ受保護(hù)負(fù)載管理開(kāi)關(guān)

為了節(jié)約能源,許多電池供電電路中都采用了簡(jiǎn)單的關(guān)斷方案。然而,并非所有電路都適合直接控制,相反,電源必須通過(guò)開(kāi)關(guān)關(guān)閉。LTC?1477 高端開(kāi)關(guān)專為此目...

2023-06-26 標(biāo)簽:電源MOSFET微處理器 681 0

圖形芯片電源在1A時(shí)提供65.26V

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MAX1954為300kHz電流模式降壓控制器。MOSFET 驅(qū)動(dòng)器足夠強(qiáng)大,可以處理 100nC 柵極電荷。給定標(biāo)稱輸入和輸出電壓,占空比為33%,高...

2023-06-26 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器控制器 723 0

簡(jiǎn)單電路將負(fù)載與低壓電源隔離

簡(jiǎn)單電路將負(fù)載與低壓電源隔離

以下應(yīng)用筆記演示了使用電荷泵和微處理器監(jiān)控器斷開(kāi)低電壓電源與負(fù)載的簡(jiǎn)單電路。該電路使用P溝道MOSFET將負(fù)載與1.5V電源斷開(kāi)。

2023-06-26 標(biāo)簽:電源MOSFET微處理器 1029 0

采用MAX25014的LED背光驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的低輸入電壓工作

采用MAX25014的LED背光驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的低輸入電壓工作

本應(yīng)用筆記描述了MAX25014 4通道背光高亮度LED驅(qū)動(dòng)器在低輸入電壓下的工作。介紹了由此產(chǎn)生的問(wèn)題和適當(dāng)?shù)慕M件選擇指南,以及理論計(jì)算和臺(tái)架測(cè)量之間...

2023-06-26 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETLED驅(qū)動(dòng)器 825 0

MOS管封裝分析報(bào)告

MOS管封裝分析報(bào)告

在完成MOS管芯片在制作之后,需要給MOS管芯片加上一個(gè)外殼,這就是MOS管封裝。

2023-06-26 標(biāo)簽:芯片pcbMOSFET 4162 0

簡(jiǎn)單電路斷開(kāi)負(fù)載

簡(jiǎn)單電路斷開(kāi)負(fù)載

本應(yīng)用筆記展示了外部功率MOSFET如何充當(dāng)負(fù)載斷開(kāi)開(kāi)關(guān),并允許開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器在重負(fù)載和低輸入電壓下啟動(dòng)。負(fù)載斷開(kāi)電路將單個(gè)NiMH電池輸出升壓至3.3V,...

2023-06-26 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET穩(wěn)壓器 1325 0

MOSFET調(diào)整元件產(chǎn)生100mV壓差穩(wěn)壓器

MOSFET調(diào)整元件產(chǎn)生100mV壓差穩(wěn)壓器

在該設(shè)計(jì)中,當(dāng)電壓轉(zhuǎn)換器(MAX100)升壓輸入電壓以驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)n溝道MOSFET的穩(wěn)壓器(MAX680)時(shí),不會(huì)產(chǎn)生666mV壓差穩(wěn)壓器。該電路使用n溝...

2023-06-25 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET穩(wěn)壓器 1551 0

平面柵和溝槽柵的MOSFET的導(dǎo)通電阻構(gòu)成

平面柵和溝槽柵的MOSFET的導(dǎo)通電阻構(gòu)成

兩者因?yàn)槠鋿艠O都是在外延表面生長(zhǎng)出來(lái)的平面結(jié)構(gòu)所以都統(tǒng)稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結(jié)構(gòu)是把柵極構(gòu)建在結(jié)構(gòu)內(nèi)部,挖出來(lái)的溝槽里面,叫做溝槽型MOS...

2023-06-25 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管SiC 5233 0

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    基站測(cè)試
    +關(guān)注
    802.11ac與11基站測(cè)試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別,802.11n無(wú)線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
  • SDK
    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包,軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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