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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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提高功率密度已經(jīng)成為電源變換器的發(fā)展趨勢(shì)。對(duì)于當(dāng)今的開關(guān)電源(SMPS)而言,具有高可靠性也是非常重要的。LLC 諧振半橋變換器因其自身具有的多種優(yōu)勢(shì)逐...
2023-07-15 標(biāo)簽:二極管MOSFET開關(guān)電源 3441 0
柵極驅(qū)動(dòng)芯片選型要求,如何為SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)芯片
柵極驅(qū)動(dòng)芯片可根據(jù)功能分為多種類型,如單路、雙路、多路等。因此,在選型時(shí)需要根據(jù)具體應(yīng)用情況進(jìn)行選擇。
2023-07-14 標(biāo)簽:MOSFETSiC柵極驅(qū)動(dòng) 6173 0
為什么需要柵極驅(qū)動(dòng)器,柵極驅(qū)動(dòng)器的關(guān)鍵參數(shù)
IGBT/功率MOSFET的結(jié)構(gòu)使得柵極形成一個(gè)非線性電容。給柵極電容充電會(huì)使功率器件導(dǎo)通,并允許電流在其漏極和源極引腳之間流動(dòng),而放電則會(huì)使器件關(guān)斷,...
2023-07-14 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器 3333 0
dV/dt對(duì)MOSFET動(dòng)態(tài)性能的影響有哪些?
①靜態(tài)dV/dt:會(huì)引起MOSFET柵極電壓變化,導(dǎo)致錯(cuò)誤開通。在柵源間并聯(lián)電阻,可防止誤開通。
智能配電相比傳統(tǒng)配電有哪些優(yōu)勢(shì)
相較于傳統(tǒng)配電方式, 智能配電技術(shù)存在較大的優(yōu)勢(shì) 第一, 能源管理。 根據(jù)用戶場(chǎng)景進(jìn)行智能化精準(zhǔn)配電, 減少不必要的電力浪費(fèi), 讓電力得到最優(yōu)化的利用。...
思瑞浦CMTI±150kV/μs隔離柵極驅(qū)動(dòng)TPM2351x系列產(chǎn)品簡(jiǎn)介
聚焦高性能模擬芯片和嵌入式處理器的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司——思瑞浦3PEAK(股票代碼:688536)推出CMTI ±150kV/μs隔離柵極驅(qū)動(dòng)——TPM23...
今年以來(lái),國(guó)外某些國(guó)家仍然在拉動(dòng)其盟友在對(duì)中國(guó)的半導(dǎo)體領(lǐng)域進(jìn)行打擊,意味著國(guó)產(chǎn)化半導(dǎo)體的進(jìn)程將進(jìn)一步加速。如今在國(guó)內(nèi),是否有純國(guó)產(chǎn)的IGBT單管生產(chǎn)廠家...
飛虹半導(dǎo)體IGBT單管在逆變器中的應(yīng)用
逆變器在不僅在家庭、工業(yè)、交通的領(lǐng)域進(jìn)行應(yīng)用,而且還在太陽(yáng)能、風(fēng)能、電池等新能源領(lǐng)域應(yīng)用越來(lái)越廣泛。逆變器的廣泛應(yīng)用意味著IGBT作為其核心元器件,也會(huì)...
了解變壓器繞組間電容對(duì)共模 (CM) 發(fā)射噪聲的影響尤其重要。共模噪聲主要是由變壓器繞組間寄生電容以及電源開關(guān)與底盤/接地端之間的寄生電容內(nèi)的位移電流所...
2023-07-14 標(biāo)簽:電源變壓器轉(zhuǎn)換器 1118 0
IGBT模塊的常規(guī)檢查以及常見故障問(wèn)題維修方法
IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn);當(dāng)前市場(chǎng)上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品,一般所說(shuō)的IGBT也指IGBT模塊;
反激式充電器和適配器的同步整流芯片U7710SG是一種開關(guān)電源的同步整流電路,它集成了N通道MOSFET和驅(qū)動(dòng)電路
該實(shí)驗(yàn)板的硬件組成框圖如下圖所示。其中主要包括:輸入濾波電容、控制芯片SG3525、N-MOSFET功率開關(guān)、整流二極管、儲(chǔ)能電感、輸出濾波電容、驅(qū)動(dòng)...
N溝道MOSFET YC30D2519K在筋膜槍中的應(yīng)用
筋膜槍的流行反映出了人們對(duì)于健康品質(zhì)生活的追求;目前市面上的筋膜槍大致構(gòu)造普遍都大同小異,一般是通過(guò)電容觸控電路、PWM信號(hào)控制、集成功率MOS等架構(gòu)組...
2023-07-13 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管PWM 852 0
碳化硅MOSFET B2M035120YP用于太陽(yáng)能逆變器
隨著光伏逆變器功率等級(jí)的不斷提高,光伏行業(yè)對(duì)功率器件的規(guī)格和散熱要求也越來(lái)越高。相比于傳統(tǒng)硅器件,碳化硅功率器件能帶來(lái)更高的轉(zhuǎn)換效率和更低的能量損耗,從...
65W副邊外驅(qū)MOS充電器芯片U2281是一個(gè)高度集成的PWM控制集成電路的反轉(zhuǎn)換器,專門為需六級(jí)能效的開關(guān)電源而設(shè)計(jì)的。
2023-07-12 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源MOS管 746 0
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