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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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連接器被優(yōu)化了,用來(lái)進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)線束橋接,并且我們能看到使用48V Efuse以后,整個(gè)配電單元的體積減小了。我們?cè)谀壳暗男畔?lái)看,48V轉(zhuǎn)換到16V的專...
計(jì)算機(jī)、晶體管的問(wèn)世,MOSFET的創(chuàng)新與制造技術(shù)
晶體管可以用微小的電量控制大量電流的流動(dòng),可謂是顛覆性的創(chuàng)造。科學(xué)家發(fā)現(xiàn),只要使用以下兩種半導(dǎo)體元件,就可以輕而易舉地連接或斷開信號(hào)。
2023-12-18 標(biāo)簽:MOSFETcpu計(jì)算機(jī) 1035 0
龍騰半導(dǎo)體MOSFET和IGBT在戶用光伏儲(chǔ)能上的應(yīng)用
戶用儲(chǔ)能,也被稱為家庭儲(chǔ)能,是一種將分布式光伏與家庭儲(chǔ)能相結(jié)合的能源系統(tǒng)。該系統(tǒng)利用太陽(yáng)能發(fā)電設(shè)備為家庭提供電力,并將多余的電能儲(chǔ)存起來(lái),供給電網(wǎng)或供家庭使用。
2023-12-18 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體太陽(yáng)能發(fā)電 2268 0
功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模分析和應(yīng)用領(lǐng)域
功率器件包括二極管、晶體管和晶閘管三大類,其中晶體管市場(chǎng)份額最大,常見的晶體管主要包括MOSFET、IGBT、BJT等。功率 IC是指將高壓功率器件與其...
中國(guó)功率器件大市場(chǎng)分析報(bào)告
國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體已在眾多領(lǐng)域應(yīng)用,特別是低端產(chǎn)品,如二極管、三極管、晶閘 管、低壓 MOSFET(非車規(guī))等,已初現(xiàn)“規(guī)模化效應(yīng)、國(guó)產(chǎn)化率相對(duì)較高”等特 點(diǎn)。
SiC MOSFET用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的優(yōu)勢(shì)在哪里
在我們的傳統(tǒng)印象中,電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)往往采用IGBT作為開關(guān)器件,而SiCMOSFET作為高速器件往往與光伏和電動(dòng)汽車充電等需要高頻變換的應(yīng)用相關(guān)聯(lián)。但在特...
2023-12-16 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 942 0
隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的演變(IGBT/SiC/GaN)
報(bào)告內(nèi)容包含: 效率和功率密度推動(dòng)變革 基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器功能 驅(qū)動(dòng)器演進(jìn)以支持 IGBT(絕緣柵雙極晶體管) 驅(qū)動(dòng)器進(jìn)化以支持 ...
SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓尖峰與抑制方法分析(上)
高頻、高速開關(guān)是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢(shì)之一,這能顯著提升系統(tǒng)效率,但也會(huì)在寄生電感和電容上產(chǎn)生更大的振蕩,從而讓驅(qū)動(dòng)電壓產(chǎn)生更大的尖峰。
MOS結(jié)構(gòu)和MOSFET反型層電荷的來(lái)源
我們知道,MOS結(jié)構(gòu)的CV曲線是跟頻率相關(guān)的,高頻和低頻曲線長(zhǎng)這樣,但是用MOS管是測(cè)不出來(lái)高頻曲線的,只能測(cè)出低頻曲線,為什么呢,下面來(lái)簡(jiǎn)單盤一盤。
選購(gòu)適配器電源IC和電池充電器IC時(shí),應(yīng)考慮品牌及生產(chǎn)商的規(guī)模、信譽(yù)、售后服務(wù)。具備正規(guī)資質(zhì)、品質(zhì)優(yōu)良且有較好的售后服務(wù)
MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管) 和 IGBT (絕緣柵雙極晶體管) 是兩種常見的功率半導(dǎo)體器件。它們?cè)诓煌膽?yīng)用場(chǎng)景中具有不同的特點(diǎn)和優(yōu)...
2023-12-15 標(biāo)簽:MOSFETIGBT場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1995 0
MOSFET發(fā)生EOS的失效模式有哪些?如何區(qū)分是什么原因失效的?
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件,其主要功能是控制電流的流動(dòng)。
2023-12-15 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管EOS 1.1萬(wàn) 0
SiC 功率 MOSFET 和肖特基二極管正在快速應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體 (PECS) 應(yīng)用,例如電動(dòng)汽車充電和牽引、儲(chǔ)能系統(tǒng)和工業(yè)電源。SiC 功率...
半導(dǎo)體芯片究竟是如何發(fā)展起來(lái)的?又是如何工作的?
1883年,著名發(fā)明家托馬斯·愛(ài)迪生(Thomas Edison)在一次實(shí)驗(yàn)中,觀察到一種奇怪現(xiàn)象。
基于PN8360電源IC的5V/2.4A電源應(yīng)用方案
PN8360電源IC 5V/2.4A電路描述 1、PN8360電路圖中R7、R8和R9為反饋分壓電阻,C5起到環(huán)路補(bǔ)償?shù)淖饔谩? 2、C1、D...
隨著微電子技術(shù)日新月異的發(fā)展,作為傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料的硅(Si)與砷化鎵(GaAs)在半導(dǎo)體器件中表現(xiàn)出的電學(xué)性能已逐漸接近其理論極限。
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