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簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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隨著制造技術的發展和進步，系統設計人員必須跟上技術的發展步伐，才能為其設計挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統中的基本部件，工程師需要深入了解它...
三、熱阻Thermalresistance熱阻描述了物質的熱傳導特性，該參數直接影響器件的散熱效率和穩定性。熱阻越小，意味著器件的散熱能力越強。針對這份...
功率MOSFET及其雪崩擊穿額定值背后的理論和設計過程中的局限性
一些功率半導體器件設計為在有限時間內承受一定量的雪崩電流，因此可以達到雪崩額定值。其他人會在雪崩開始后很快失敗。性能差異源于特定的設備物理、設計和制造。
硬件面試中有遇到過這樣的事嗎？通常讓你畫一個增強型的MOSFET，或是N溝道MOSFET或是P溝道MOSFET
輻射這東西，看不見摸不著，整改還按小時算，一不小心幾萬塊就沒了。不得不說，EMC整改，真難。本文主要分享理論+實際案例，文章篇幅較長，建議先收藏再閱讀。
三極管在電路設計與維修中無處不在，從簡單的開關控制到復雜的信號放大，三極管都有其獨特的應用場景。初學者往往只看到“它有三個腳”，但從實際應用來看，不同類...
為了保障高頻開關所需的快速上升和下降時間，載流導體應保持長度最小。每厘米長度增加約 8 nH 的電感，因此 95 A/μs 的 di/dt 會產生每厘米...
當向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時，就會發生擊穿。當施加高于BVDSS的高電場時，自由電子被加速并帶有很大的能量。這會導致碰撞電離...
SiC設計分享（三）：onsemi同等功率的SiC與SiMOST進行比較
本文作為系列文章的第三篇，會從SiC MOS寄生電容損耗與傳統Si MOS作比較，給出分析和計算過程，供設計工程師在選擇功率開關器件時參考！
隨著新能源汽車的快速發展，市場的普及，越來越多的用戶在使用過程中，對新能源汽車的充電仍是一個頭疼的事情。
IGBT由柵極（G）、發射（E）和集電極（C）三個極控制。 如圖1，IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGB...
本文主要介紹了米勒效應的由來，并詳細分析了MOSFET開關過程米勒效應的影響，幫助定性理解米勒平臺的形成機制。最后給出了場效應管柵極電荷的作用。
功率MOSFET的雪崩強度限值是衡量器件針對于感性負載在開關動作應用中的重要參數。 清楚地理解雪崩強度的定義，失效的現象及評估的方法是功率MOSFET電...
半導體是電子電路中使用最廣泛的元件之一，它們保證了可靠性、高電阻和低成本。半導體器件的制造過程通常用于創建集成電路，包括一系列多個照相和化學處理步驟，在...
近年來，半導體行業最為火熱的話題非寬禁帶半導體莫屬，如碳化硅(SiC)。由于其優越的物理和電氣特性，如高能量帶隙(eV)，高臨界擊穿場強(MV/cm)和...
在電動機控制等部分應用中，放緩開關期間的dV/dt非常重要。速度過快會導致電動機上出現電壓峰值，從而損壞繞組絕緣層，進而縮短電動機壽命。
該OnSemi公司的LV5980MC是單個內嵌P MOSFET的單通道DC-DC轉換器，工作電壓范圍為4.5V至23V，最大輸出電流為3A。可實現低功率...
邊緣周圍的接觸墊有助于檢查并實現輕松布線，甚至允許使用兩層基板，包括基板。特殊的接地平面布局意味著模塊在回流期間可以有效地“浮動”到位
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