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標(biāo)簽 > mosfet

mosfet

mosfet

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簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

n溝道p溝道怎么區(qū)分增強(qiáng)型

n溝道p溝道怎么區(qū)分增強(qiáng)型

P溝道的源極S接輸入,漏極D導(dǎo)通輸出,N溝道相反;簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)給箭頭方向相反的電流就是導(dǎo)通,方向相同就是截止。

2024-03-06 標(biāo)簽:二極管電路圖MOSFET 2241 0

場(chǎng)效應(yīng)管是如何導(dǎo)通的 場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通和截止的條件

場(chǎng)效應(yīng)管是如何導(dǎo)通的 場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通和截止的條件

在一般情況下,場(chǎng)效應(yīng)管(FET)的導(dǎo)通電阻越小越好,因?yàn)檩^小的導(dǎo)通電阻意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下,F(xiàn)ET可以提供更低的電阻,允許更大的電流通過(guò)。

2024-03-06 標(biāo)簽:放大器開關(guān)電路MOSFET 1.4萬(wàn) 0

5W電機(jī)驅(qū)動(dòng)電源ic上上選—U6202SC

電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器的應(yīng)用已經(jīng)不同程度地滲透到各行各業(yè),電機(jī)驅(qū)動(dòng)電源ic 的選擇需要根據(jù)具體應(yīng)用需求進(jìn)行

2024-03-06 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)載電流DCM 911 0

大幅提高電動(dòng)汽車電池性能的電池監(jiān)控器

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鋰離子(Li-Ion)電池是電動(dòng)汽車常用的儲(chǔ)能方法,這些電池可提供的能量密度在所有現(xiàn)有電池技術(shù)中是非常高的,但是如果要最大限度地提升性能,必須使用電池監(jiān)...

2024-03-06 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車鋰離子電池MOSFET 3.9萬(wàn) 0

關(guān)于LLC諧振半橋變換器的失效模式解析

關(guān)于LLC諧振半橋變換器的失效模式解析

在功率轉(zhuǎn)換市場(chǎng)中,尤其對(duì)于通信/服務(wù)器電源應(yīng)用,不斷提高功率密度和追求更高效率已經(jīng)成為最具挑戰(zhàn)性的議題。

2024-03-06 標(biāo)簽:變壓器MOSFETLLC 4776 0

調(diào)整MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器以用于GaN FETs

調(diào)整MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器以用于GaN FETs

氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管已經(jīng)徹底改變了電力電子行業(yè),具有比傳統(tǒng)硅MOSFETs更小的尺寸、更快的開關(guān)速度、更高的效率和更低的成本等優(yōu)勢(shì)。然而,GaN...

2024-03-05 標(biāo)簽:MOSFET控制器晶體管 4107 0

開關(guān)電源芯片SF1538DP的主要特性及其主引腳說(shuō)明

工程師們?cè)陂_關(guān)電源適配器的新產(chǎn)品研發(fā)設(shè)計(jì)過(guò)程中,通常會(huì)為所設(shè)計(jì)的新產(chǎn)品添加一些保護(hù)措施,以此來(lái)避免開關(guān)電源適配器在使用過(guò)程中出現(xiàn)短路或元件損壞、使其工作...

2024-03-01 標(biāo)簽:MOSFETLED驅(qū)動(dòng)線性電源 2127 0

半導(dǎo)體設(shè)計(jì)面臨高電壓挑戰(zhàn) 高壓功率器件設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)如何破?

半導(dǎo)體設(shè)計(jì)面臨高電壓挑戰(zhàn) 高壓功率器件設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)如何破?

基于開關(guān)電力電子器件的轉(zhuǎn)換器和逆變器是可再生能源發(fā)電廠和電動(dòng)汽車的關(guān)鍵組件。雖然MOSFET和IGBT都可以用在相關(guān)系統(tǒng)中,但前者的柵極驅(qū)動(dòng)功率較低、開...

2024-03-01 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET逆變器 611 0

適配MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器以驅(qū)動(dòng)GaN FETs

適配MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器以驅(qū)動(dòng)GaN FETs

GaN FETs以其體積小、切換速度快、效率高及成本低等優(yōu)勢(shì),為電力電子產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了革命性的變化。然而,GaN技術(shù)的快速發(fā)展有時(shí)超出了專門為GaN設(shè)計(jì)的柵...

2024-02-29 標(biāo)簽:MOSFETGaN柵極驅(qū)動(dòng) 1404 0

淺談門級(jí)驅(qū)動(dòng)電壓對(duì)IGBT性能的影響

淺談門級(jí)驅(qū)動(dòng)電壓對(duì)IGBT性能的影響

絕緣門極雙極型晶體管(IGBT)是復(fù)合了功率場(chǎng)效應(yīng)管和電力晶體管的優(yōu)點(diǎn)而產(chǎn)生的一種新型復(fù)合器件,具有輸入阻抗高、工作速度快、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、飽...

2024-02-27 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)IGBT 1491 0

MOSFET的電路符號(hào)和開關(guān)應(yīng)用 MOSFET功率放大器電路圖分享

MOSFET的電路符號(hào)和開關(guān)應(yīng)用 MOSFET功率放大器電路圖分享

MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的縮寫。它是一種 FET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管),其柵極和溝道之間具有絕緣金屬氧化物層。相反,JFET 的柵極與其溝道...

2024-02-27 標(biāo)簽:電路圖MOSFET功率放大器 5895 0

逆變器的工作原理 逆變器電路圖分享

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逆變器(Inverter)是一種電源轉(zhuǎn)換裝置,可以將直流電(DC)轉(zhuǎn)換為交流電(AC),或者將一種交流電轉(zhuǎn)換為另一種交流電。這種轉(zhuǎn)換是通過(guò)半導(dǎo)體開關(guān)設(shè)備...

2024-02-27 標(biāo)簽:變壓器電路圖MOSFET 1.8萬(wàn) 0

絕緣柵雙極晶體管的工作原理和結(jié)構(gòu)

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絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是一種功率半導(dǎo)體,具有MOSFET 的高速、電壓相關(guān)柵極...

2024-02-27 標(biāo)簽:MOSFETIGBT晶體管 3654 0

如何定義MOSFET數(shù)據(jù)表

如何定義MOSFET數(shù)據(jù)表

作為一名功率MOSFET的產(chǎn)品營(yíng)銷工程師,在FET數(shù)據(jù)表的所有內(nèi)容中,除了電流額定值之外,我被問(wèn)到的最多的問(wèn)題可能就是安全工作區(qū) (SOA) 曲線了。

2024-02-27 標(biāo)簽:MOSFET電感器函數(shù) 579 0

功率MOSFET的UIS(UIL)特性深度解析

功率MOSFET的UIS(UIL)特性深度解析

選擇一個(gè)工作點(diǎn)而不是另一個(gè)工作點(diǎn)作為數(shù)據(jù)表“最大”額定值的一些原因包括:選擇工作點(diǎn)作為在生產(chǎn)線末端測(cè)試時(shí)用于篩選器件的相同工作點(diǎn),或者出于營(yíng)銷或客戶目的...

2024-02-27 標(biāo)簽:MOSFET晶體管體二極管 2377 0

什么是MOS管

MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET 金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor F...

2024-02-26 標(biāo)簽:MOSFETMOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2584 0

MOSFET柵極電路的常見(jiàn)作用 PNP加速關(guān)斷驅(qū)動(dòng)電路

MOSFET柵極電路的常見(jiàn)作用 PNP加速關(guān)斷驅(qū)動(dòng)電路

首先說(shuō)一下電源IC直接驅(qū)動(dòng),下圖是我們最常用的直接驅(qū)動(dòng)方式,在這類方式中,我們由于驅(qū)動(dòng)電路未做過(guò)多處理,因此我們進(jìn)行PCB LAYOUT時(shí)要盡量進(jìn)行優(yōu)化。

2024-02-26 標(biāo)簽:變壓器二極管電流 3574 0

雪崩失效的原因 雪崩能量的失效機(jī)理模式

雪崩失效的原因 雪崩能量的失效機(jī)理模式

功率MOSFET的雪崩損壞有三種模式:熱損壞、寄生三極管導(dǎo)通損壞和VGS尖峰誤觸發(fā)導(dǎo)通損壞。

2024-02-25 標(biāo)簽:三極管MOSFET雪崩能量 2826 0

MOSFET雪崩擊穿圖解 MOSFET避免雪崩失效的方法

MOSFET雪崩擊穿圖解 MOSFET避免雪崩失效的方法

當(dāng)功率器件承受的雪崩耐量超過(guò)極限后,芯片最終會(huì)損壞,然而單脈沖雪崩與重復(fù)雪崩的失效機(jī)理并不相同。

2024-02-25 標(biāo)簽:MOSFET雪崩擊穿功率器件 6009 0

線性穩(wěn)壓器工作原理是什么

線性穩(wěn)壓器工作原理是什么

線性穩(wěn)壓器是一種電源管理集成電路,用于將輸入電壓穩(wěn)定在恒定的輸出電壓。它的工作原理是通過(guò)一個(gè)調(diào)節(jié)元件(通常是晶體管)來(lái)調(diào)整輸入電壓,使輸出電壓保持在設(shè)定...

2024-02-25 標(biāo)簽:MOSFET電壓線性穩(wěn)壓器 3099 0

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  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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