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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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安森美半導(dǎo)體門極驅(qū)動(dòng)器方案的快速評(píng)估和測(cè)試解決方案
這些板設(shè)計(jì)為直接插入基板或易于替換為現(xiàn)有的應(yīng)用板。圖3顯示了幾種架構(gòu),其中迷你驅(qū)動(dòng)器板已連接以驅(qū)動(dòng)采用TO-247封裝的開關(guān)。
基于仿真數(shù)據(jù)的gm/Id模擬集成電路設(shè)計(jì)方案
由于這些參數(shù)曲線與MOS管的柵寬和源漏電壓關(guān)系很小,所以以一定的柵寬和源漏電壓作為仿真條件,對(duì)MOS管柵極電壓進(jìn)行直流參數(shù)掃描。
通過雙脈沖測(cè)試評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性ー總結(jié)ー
在“通過雙脈沖測(cè)試評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性”中,重點(diǎn)關(guān)注了由于逆變器電路、Totem Pole型功率因數(shù)校正(PFC)電路等是兩個(gè)MOSFET串聯(lián)...
為什么需要柵極驅(qū)動(dòng)器,柵極驅(qū)動(dòng)器的關(guān)鍵參數(shù)
IGBT/功率MOSFET的結(jié)構(gòu)使得柵極形成一個(gè)非線性電容。給柵極電容充電會(huì)使功率器件導(dǎo)通,并允許電流在其漏極和源極引腳之間流動(dòng),而放電則會(huì)使器件關(guān)斷,...
2023-07-14 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器 3208 0
驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET使用米勒鉗位功能的必要性分析
相較于硅MOSFET和硅IGBT,碳化硅MOSFET具有更快的開關(guān)速度、導(dǎo)通電阻更低、開啟電壓更低的特點(diǎn),越來越廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)、交通、醫(yī)療等...
2024-06-21 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片碳化硅 3201 0
硅功率 MOSFET 沒有跟上電力電子行業(yè)的演進(jìn)變化,其中效率、功率密度和更小的外形因素是社區(qū)的主要需求。電力電子行業(yè)已經(jīng)看到硅 MOSFET 的理論極...
引言:在進(jìn)行工程設(shè)計(jì)時(shí),我們常常關(guān)注電壓的安全性,因?yàn)殡娏鞯牟缓弥苯訙y(cè)量,導(dǎo)致對(duì)電流的關(guān)注比較少,但其實(shí)電流中隱藏的浪涌也往往有很大的隱患。當(dāng)接通子系統(tǒng)...
2023-10-26 標(biāo)簽:MOSFET熱敏電阻電源開關(guān) 3194 0
反激式開關(guān)電源是一種將輸入電源轉(zhuǎn)換為所需輸出電壓的開關(guān)電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。它通過周期性地開關(guān)功率開關(guān)器件,控制電能的傳輸和變換。
2023-09-25 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源IGBT 3188 0
在現(xiàn)代電子技術(shù)中,MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效...
MOSFET有三個(gè)極,柵極、源級(jí)和漏極,由MOSFET構(gòu)成的放大電路通常有三種,共源級(jí)放大電路,共柵極放大電路和共漏極放大電路。其中,共源級(jí)放大電路用的...
數(shù)明半導(dǎo)體單通道隔離門極驅(qū)動(dòng)芯片簡(jiǎn)述
數(shù)明半導(dǎo)體最新推出的SiLM59xx和SiLM58xx系列是帶有主動(dòng)保護(hù)和高CMTI的單通道隔離門極驅(qū)動(dòng)芯片,擁有強(qiáng)勁的驅(qū)動(dòng)能力、完善的保護(hù)功能、超高的...
說明:功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效,該電阻與溫度有關(guān),溫度升高,該電阻變大;它還與門極驅(qū)動(dòng)電壓的大小有關(guān),驅(qū)動(dòng)電壓升高,該電阻變小。詳細(xì)...
基于SiC MOSFET的儲(chǔ)能變流器功率單元設(shè)計(jì)方法
摘要:隨著儲(chǔ)能變流器向大容量、模塊化發(fā)展,碳化硅(SiC)器件由于其低損耗、耐高溫的特性,逐漸成為研究熱點(diǎn)。然而SiC器件過高的開關(guān)速度使其對(duì)電路中雜散...
通過調(diào)節(jié)頻率使PFC電感電流在每個(gè)高頻周期過零,以實(shí)現(xiàn)PFC二極管的零電流關(guān)斷,消除反向恢復(fù)損耗。PFC二極管電流過零后,PFC電感與MOSFET寄生電...
Trench工藝和平面工藝MOSFET的區(qū)別在哪呢?
上海雷卯電子有Trench工藝和平面工藝MOSFET,為什么有時(shí)候推薦平面工藝MOSFET呢,有時(shí)候推薦用Trench工藝MOSFET, 上海雷卯EMC...
LED作為新型照明光源,具有高效節(jié)能、工作壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn),目前已廣泛使用于LED顯示、車用電子、生活照明等各種照明場(chǎng)景。LED恒流驅(qū)動(dòng)特征需要特定的AC-...
2022-07-20 標(biāo)簽:ledMOSFET驅(qū)動(dòng)電源 3163 0
根據(jù)MOSFET傳輸特性,新的MOSFET (IRF和INFINEON)的熱穩(wěn)定性不如NXP MOSFET,因?yàn)镹XP的熱穩(wěn)定性(曲線相交)在37,5A...
2018-09-25 標(biāo)簽:MOSFET 3160 0
同步降壓轉(zhuǎn)換器(Synchronous Buck Converter),作為一種重要的電源管理電路,其工作原理和作用在電子技術(shù)和電力電子領(lǐng)域中占據(jù)著重要...
2024-08-14 標(biāo)簽:MOSFET整流管同步降壓轉(zhuǎn)換器 3149 0
處理電源電壓反轉(zhuǎn)有幾種方法,最明顯的方法是在電源和負(fù)載之間連接一個(gè)二極管,但是由于二極管正向電壓的原因,這種做法會(huì)產(chǎn)生額外的功耗。
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