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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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基于NX封裝的低雜感SiC MOSFET模塊設(shè)計(jì)
功率模塊從硅IGBT技術(shù)過(guò)渡到基于SiC MOSFET技術(shù)是不可避免的。然而,從硅IGBT時(shí)代留下來(lái)的外形尺寸偏好仍然阻礙著SiC技術(shù)的商業(yè)化,因?yàn)樗鼈?..
安建半導(dǎo)體推出針對(duì)大電流高功率應(yīng)用的SGT MOSFET器件
近年來(lái),工業(yè)及消費(fèi)市場(chǎng)對(duì)于系統(tǒng)的要求不斷提高,為達(dá)到更優(yōu)秀的效率、可靠性及熱性能,MOSFET作為功率核心部件擔(dān)當(dāng)著非常重要的角色。
2024-05-06 標(biāo)簽:MOSFET寄生電感柵極驅(qū)動(dòng)器 2064 0
介紹一款專(zhuān)為三相無(wú)刷直流電機(jī)而設(shè)計(jì)的高性能柵極驅(qū)動(dòng)器SCT55610
近年來(lái)的,無(wú)刷直流電機(jī)(Brushless DC Motor, BLDC)在工業(yè)、汽車(chē)、家電、醫(yī)療器械等各個(gè)領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。
2024-04-30 標(biāo)簽:MOSFETQFN封裝無(wú)刷直流電機(jī) 1550 0
功率系統(tǒng)中SiC MOSFET/Si IGBT柵極參數(shù)自動(dòng)測(cè)試與計(jì)算新方案
柵極參數(shù)設(shè)計(jì)是通過(guò)理論計(jì)算或建模仿真,模擬器件的開(kāi)關(guān)狀態(tài),掌握其動(dòng)態(tài)特性。常用的仿真軟件有ANSYS和MATLAB等,其核心還是理論計(jì)算。
一種軟件可配置的SiC MOSFET門(mén)驅(qū)動(dòng)方法
SiC技術(shù)已廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)、可再生能源/電網(wǎng)和其他應(yīng)用的中壓和高壓應(yīng)用中。為了充分發(fā)揮其優(yōu)勢(shì),系統(tǒng)開(kāi)發(fā)人員必須首先抵消其更快的開(kāi)關(guān)速度帶來(lái)的不...
2024-04-28 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)SiC 655 0
根據(jù)負(fù)載的電流大小,可以分為大/小電流用電器,30A是汽車(chē)單顆智能MOSFET行業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)閾值。根據(jù)用電器的控制方式,可以劃分為開(kāi)關(guān)控制和功率調(diào)節(jié)控制兩類(lèi)。
門(mén)極驅(qū)動(dòng)正壓對(duì)功率半導(dǎo)體性能的影響
對(duì)于半導(dǎo)體功率器件來(lái)說(shuō),門(mén)極電壓的取值對(duì)器件特性影響很大。以前曾經(jīng)聊過(guò)門(mén)極負(fù)壓對(duì)器件開(kāi)關(guān)特性的影響,而今天我們來(lái)一起看看門(mén)極正電壓對(duì)器件的影響。文章將會(huì)...
2024-05-11 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 658 0
凌鷗創(chuàng)芯推出汽車(chē)水泵電機(jī)控制方案
車(chē)規(guī)級(jí)MCU芯片LKS32AT086N8Q9和LKS32AT089XLN8Q9,集成32位Cortex-M0內(nèi)核與三相全橋自舉式柵極驅(qū)動(dòng)模塊,可直接驅(qū)動(dòng)...
與數(shù)字電路市場(chǎng)的大起大落不同,電源管理芯片保持著長(zhǎng)期、穩(wěn)定的增長(zhǎng)勢(shì)頭,各種電源管理芯片也在節(jié)能環(huán)保這一領(lǐng)域發(fā)揮越來(lái)越重要的作用。
MOSFET作為開(kāi)關(guān)元件,在開(kāi)關(guān)電源中需要頻繁地切換兩種狀態(tài):導(dǎo)通和截止,以控制電流的通斷。這種切換過(guò)程對(duì)于電源的穩(wěn)定輸出至關(guān)重要。
2024-04-25 標(biāo)簽:集成電路MOSFET開(kāi)關(guān)電源 2514 0
DC/DC 開(kāi)關(guān)控制器的 MOSFET 選擇是一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程。僅僅考慮 MOSFET 的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的 MOSFET。
2024-04-25 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源控制電路 5394 0
碳化硅 (SiC) MOSFET:為汽車(chē)電氣化的未來(lái)提供動(dòng)力
隨著人們更加注重可持續(xù)性發(fā)展的經(jīng)濟(jì)新模式,我們的居住方式、工作狀態(tài)以及使用車(chē)輛的通勤和休閑方式都在發(fā)生相應(yīng)的變化。尤其是在交通運(yùn)輸領(lǐng)域的變革,因?yàn)槲覀冃?..
同步整流芯片U7612內(nèi)部集成有智能開(kāi)通檢測(cè)功能,可以有效防止反激電路中由于寄生參數(shù)振蕩引起的同步整流開(kāi)關(guān)誤開(kāi)通,提高了系統(tǒng)效率及可靠性,是一款高頻率、...
介紹一款原邊反饋/內(nèi)置MOSFET適配器電源ic U6217
為了節(jié)省副邊反饋網(wǎng)絡(luò)和光耦等元件,在小功率應(yīng)用場(chǎng)合,一般電路采用PSR(原邊反饋)控制方式。
2024-04-22 標(biāo)簽:MOSFET運(yùn)算放大器適配器 1479 0
在實(shí)際應(yīng)用中,G極一般串聯(lián)一個(gè)電阻,防止MOS管被擊穿,也可以加上穩(wěn)壓二極管,并聯(lián)在分壓電阻上的電容,有一個(gè)軟啟動(dòng)的作用。
2024-04-22 標(biāo)簽:MOSFET穩(wěn)壓二極管MOS管 2740 0
光伏儲(chǔ)能系統(tǒng)中使用的芯片種類(lèi)多樣,它們?cè)谙到y(tǒng)的不同部分發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
2024-04-22 標(biāo)簽:MOSFETIGBT場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2323 0
MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案
必須在基極和發(fā)射極之間施加電流,以在集電極中產(chǎn)生電流。圖1.2示出了MOSFET,當(dāng)在柵極和源極端子之間施加電壓時(shí)在漏極中產(chǎn)生電流。
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