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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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在電子工程設(shè)計的世界里,一款得心應(yīng)手的電路仿真工具對于工程師來說尤為重要,它不僅能夠幫助設(shè)計師在器件選型時做出更明智的決策,還能夠節(jié)省大量的時間和資源。...
LM5122ZA 具有多相功能的 3V 至 65V 寬 VIN、電流模式同步升壓控制器數(shù)據(jù)手冊
LM5122ZA 是一款支持多相的同步升壓控制器,適用于高效同步升壓穩(wěn)壓器應(yīng)用。控制方法基于峰值電流模式控制。電流模式控制提供固有的線路前饋、逐周期電流...
2025-03-21 標簽:MOSFET升壓控制器環(huán)路補償 358 0
華為手機新品Pura X,稱為全球首款闊折疊屏手機,折疊起來,就變成小手機,合上很小巧,正面和背面都有屏幕。它還能擴屏使用,橫過來用就像平板一樣體驗。這...
UCC24624 用于 LLC 轉(zhuǎn)換器的高頻、雙同步整流器控制器數(shù)據(jù)手冊
UCC24624 SR 控制器使用漏源電壓傳感方法來實現(xiàn) SR MOSFET 的開和關(guān)控制。采用比例柵極驅(qū)動以延長 SR 導(dǎo)通時間,最大限度地減少體二極...
納祥科技NX7010,PIN TO PIN AP20H03DF的30V 20A雙N溝道MOSFET
NAXIANGTECHNOLOGY納祥科技NX701030V20A雙N溝道MOSFET30V20A雙N溝道MOSFET納祥科技NX7010是一款30V2...
TPS59632-Q1 2.5V 至 24V、3 相、2 相和 1 相降壓無人控制器數(shù)據(jù)手冊
TPS59632-Q1 器件是一款三相無人驅(qū)動降壓控制器,具有 D-CAP+ ? 控制架構(gòu)等高級功能,具有輸出電壓過沖減少 (OSR) 和下沖減少 (U...
2025-03-21 標簽:MOSFET降壓控制器降壓轉(zhuǎn)換器 322 0
UCC28065 具有高頻開關(guān)的自然交錯?過渡模式 PFC 控制器數(shù)據(jù)手冊
UCC28065 交錯式 PFC 控制器能夠以比以前更高的額定功率實現(xiàn)轉(zhuǎn)換模式 PFC。該器件使用自然交錯?技術(shù)來保持 180 度相移。兩個通道都作為主...
同步整流芯片在PD快充領(lǐng)域的應(yīng)用主要體現(xiàn)在提升效率、降低損耗以及適配小型化設(shè)計等方面。深圳銀聯(lián)寶科技同步整流芯片U7610B采用低導(dǎo)阻MOSFET替代傳...
SiC MOSFET與肖特基勢壘二極管的完美結(jié)合,提升電力轉(zhuǎn)換性能
使用反向并聯(lián)的肖特基勢壘二極管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的性能和可靠性。本文將展示兩家SiC器件制造商在集成SBD與MOSFE...
MOSFET(金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是電子電路中常用的關(guān)鍵器件,尤其在開關(guān)電源、電機驅(qū)動等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。對于初學者會遇到不知如何識別GDS極和...
TO-252封裝N溝道MOSFET,智能機器人領(lǐng)域的首選器件
從工廠流水線到家庭服務(wù),人形機器人正掀起新一輪革命。但無論是奔跑跳躍的關(guān)節(jié)電機,還是精準避障的傳感器,背后都離不開最基礎(chǔ)的“隱形功臣”——二極管、三極管...
高性能N溝道MOSFET是開關(guān)、放大和驅(qū)動領(lǐng)域的最優(yōu)選擇
N溝道MOSFET通過控制柵源電壓來控制源漏間電子通路的導(dǎo)通與截止。當柵源電壓高于閾值電壓時,柵極下方會形成N型導(dǎo)電溝道,源極電子在電場作用下流向漏極,...
在光伏逆變器、車載充電器及牽引逆變器等應(yīng)用領(lǐng)域中,由第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)制成的SiC MOSFET正逐步替代由傳統(tǒng)硅基(Si)制成的Si IGBT。
電子設(shè)備正常運轉(zhuǎn)離不開“邏輯”的精密驅(qū)動。例如,當我們在手機上滑動屏幕時,背后就有無數(shù)個CMOS邏輯電路在默默工作,它們通過復(fù)雜的邏輯運算,將我們的觸摸...
SiC模塊解決儲能變流器PCS中SiC MOSFET雙極性退化失效痛點
碳化硅(SiC) MOSFET的雙極性退化(Bipolar Degradation)是其在實際應(yīng)用中面臨的重要可靠性問題,尤其在儲能變流器(PCS)等高...
KP8562X 在 BLDC 驅(qū)動中的應(yīng)用介紹
無刷直流電機 (BLDC) 具有壽命長、靜音、高動態(tài)響應(yīng)等諸多優(yōu)點,在各類應(yīng)用中的使用已越來越普遍。常用的 BLDC 驅(qū)動多由控制單元、三顆半橋柵極驅(qū)動...
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