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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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MOSFET作為開關(guān)的工作原理和優(yōu)勢 MOSFET開關(guān)電路圖
MOSFET,全稱為金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,是一種電壓控制的開關(guān)器件。它的工作原理是,通過在柵極施加電壓,控制漏極和源極之間的電流。當(dāng)柵極施加...
2024-01-03 標(biāo)簽:電路圖開關(guān)電路MOSFET 5046 0
基于SiC MOSFET的三相全橋數(shù)字化智能驅(qū)動器
隨著無人機(jī)和多電飛機(jī)的發(fā)展,更高的功率和效率成了機(jī)載電機(jī)驅(qū)動器的主要研究方向之一。現(xiàn)有的Si MOSFET開關(guān)速度雖快,但耐壓和耐流能力有限,無法實(shí)現(xiàn)大...
2022-04-29 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動器霍爾電流傳感器 5041 0
MOS管也可以沒有柵極電阻的情況下工作,但添加一個柵極電阻可以防止一些潛在的問題。一般為1000 Ω就可以。
隨著科技的不斷發(fā)展,功率分立器件封裝技術(shù)也在持續(xù)進(jìn)步。為了提高功率密度和優(yōu)化電源轉(zhuǎn)化效率,封測企業(yè)正在為新產(chǎn)品研發(fā)更先進(jìn)的封裝工藝、封裝技術(shù)及封裝外形等...
如何混合Si和SiC器件實(shí)現(xiàn)完整SiC MOSFET轉(zhuǎn)換器相同效率的調(diào)制方案
在現(xiàn)代時代,隨著電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)領(lǐng)域的所有進(jìn)步對具有高功率密度和效率的轉(zhuǎn)換器的需求已經(jīng)增加,尤其是在電動汽車充電點(diǎn)的并網(wǎng)系統(tǒng)中[...
驅(qū)動模塊2SD315A的性能特點(diǎn)及應(yīng)用實(shí)例分析
IGBT的驅(qū)動要求與其靜態(tài)和動態(tài)特性密切相關(guān),即柵極的正偏壓、負(fù)偏壓和柵極電阻的大小,對IGBT的通態(tài)電壓、開關(guān)時間、開關(guān)損耗、承受短路能力、開關(guān)管C、...
淺談汽車PTC模塊中用低側(cè)驅(qū)動器IC的作用分析
分立式電路的一個顯著缺點(diǎn)是它不提供保護(hù),而柵極驅(qū)動器IC集成了對于確保可預(yù)測和穩(wěn)定的柵極驅(qū)動非常重要的功能。
2021-05-31 標(biāo)簽:MOSFETIGBT電源開關(guān) 4997 0
如何在電源良好引腳上使用MOSFET體二極管實(shí)現(xiàn)溫度測量
設(shè)計人員經(jīng)常想測量直流開關(guān)電源的結(jié)溫。從安全和故障模式以及效果分析(FMEA)的角度來看,了解系統(tǒng)的結(jié)溫是一項重要且基本的要求。在許多應(yīng)用中,重要的是在...
新型固體圖像傳感器LBCAST JFET的內(nèi)部結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及功能分析
尼康公司的D2H單反數(shù)字相機(jī)中使用了一種新型的固體圖像傳感器LBCAST JFET。該器件在讀數(shù)方式、內(nèi)部結(jié)構(gòu)等方面有了較大改進(jìn),與CCD、CMOS圖像...
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的閾值電壓(Vt)是其工作性能中的一個關(guān)鍵參數(shù),它決定了晶體管從關(guān)閉狀態(tài)過渡到開啟狀態(tài)所需的柵極電壓大小。M...
基于SiC的MOSFET器件在電源與電機(jī)驅(qū)動電路設(shè)計中的特點(diǎn)分析
商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史,自問世以來,MOSFET和IGBT一直是開關(guān)電源的主要功率處理控制組件,被廣泛用于電源、電機(jī)驅(qū)動等電路設(shè)計。
2019-12-03 標(biāo)簽:mosfet電機(jī)驅(qū)動sic 4951 0
MOSFET簡介、主要參數(shù)及驅(qū)動技術(shù)
耐壓:通常所說的VDS,或者說是擊穿電壓。那么一般MOS廠家是如何來定義這個參數(shù)的呢?
雙路高速M(fèi)OSFET驅(qū)動芯片TPS2812的基本介紹
今天和大家分享一顆雙路高速M(fèi)SOFET驅(qū)動芯片-TPS2812的一些設(shè)計知識。這顆芯片是TI公司的一款驅(qū)動芯片,工業(yè)級。這顆芯片內(nèi)部集成了一顆LDO,最...
功率MOSFET基本結(jié)構(gòu):超結(jié)結(jié)構(gòu)
高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu),采用厚低摻雜的N-外延層epi,保證器件具有足夠擊穿電壓,低摻雜N-外延層epi尺寸越厚,耐壓額定值越大,但...
在功率器件半導(dǎo)體領(lǐng)域,越來越需要高頻高功率耐高溫的功率器件,隨著時間發(fā)展,硅材料在功率器件領(lǐng)域已經(jīng)達(dá)到了材料性能的極限,碳化硅憑借其材料的優(yōu)越特性開始大放異彩
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