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mosfet

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簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

?了解如何創(chuàng)建一個(gè)設(shè)計(jì),及運(yùn)行Vout變換仿真

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對(duì)于服務(wù)器、以太網(wǎng)交換機(jī)、基站、以及等云端基礎(chǔ)設(shè)施終端設(shè)備內(nèi)電源的功率密度的要求越來(lái)越高。為了應(yīng)對(duì)這一要求,將集成MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶...

2018-05-25 標(biāo)簽:MOSFET仿真器 6324 0

比較1200V碳化硅MOSFET和Si IGBT的主要特色

意法半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET技術(shù),不但每單位面積的導(dǎo)通電阻非常之低,切換效能絕佳,而且跟傳統(tǒng)的硅基續(xù)流二極體(FWD)相比,內(nèi)接二極體關(guān)閉時(shí)的反向恢復(fù)...

2020-06-23 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體 6323 0

什么是智能音響?智能音響內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)詳解

什么是智能音響?智能音響內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)詳解

隨著物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的升級(jí)與發(fā)展,讓很多物體都有了“感知”和“生命”。例如智能音響,能在一天的勞累工作之后讓雙手得到釋放。不僅如此,它還可以實(shí)現(xiàn)語(yǔ)音點(diǎn)歌、網(wǎng)上...

2024-02-23 標(biāo)簽:二極管電路MOSFET 6312 0

開(kāi)關(guān)電源中Y電容的作用

開(kāi)關(guān)電源是一種常見(jiàn)的電源類型,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。在開(kāi)關(guān)電源中,電容器是一種非常重要的元件,它們可以提供穩(wěn)定的電壓輸出和濾波功能。其中,Y電容是一...

2023-09-12 標(biāo)簽:電容器MOSFET開(kāi)關(guān)電源 6308 0

MOS管的種類、結(jié)構(gòu)及導(dǎo)通特性

MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的...

2022-10-14 標(biāo)簽:MOSFETMOS管晶體管 6305 0

3招輕松解決電氣過(guò)應(yīng)力問(wèn)題

3招輕松解決電氣過(guò)應(yīng)力問(wèn)題

在我為這個(gè)系列所撰寫與熱點(diǎn)問(wèn)答有關(guān)的上一篇博文中,我曾經(jīng)解釋了什么是電氣過(guò)應(yīng)力 (EOS),它是如何影響集成電路 (IC) 組件的,以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)(根...

2018-07-26 標(biāo)簽:電容器MOSFETTVS 6270 0

如何在反激式轉(zhuǎn)換器啟動(dòng)過(guò)程中有效消除MOSFET的過(guò)應(yīng)力

如何在反激式轉(zhuǎn)換器啟動(dòng)過(guò)程中有效消除MOSFET的過(guò)應(yīng)力

本應(yīng)用筆記主要從三個(gè)方面探討“如何在反激式轉(zhuǎn)換器啟動(dòng)過(guò)程中有效消除 MOSFET 的過(guò)應(yīng)力”:第一,具有立锜專有嵌入式軟啟動(dòng)功能的反激式控制器設(shè)計(jì);其次...

2022-04-20 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET反激式控制器 6265 0

SiC肖特基二極管器件設(shè)計(jì)方案解析

碳化硅(SiC)由于其固有的寬帶隙和高導(dǎo)熱性的材料特性而被廣泛用于中高壓電力半導(dǎo)體器件的制造中。如今,肖特基二極管,MOSFET和JFET是市場(chǎng)上最受歡...

2021-03-27 標(biāo)簽:MOSFET肖特基二極管SiC 6250 0

MOSFET的結(jié)構(gòu)和閾值電壓

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 首先我們先了解什么是MOSFET?全稱是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Tra...

2023-04-25 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 6234 0

基于MOSFET的固態(tài)繼電器電路

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SSR 或固態(tài)繼電器是高功率電氣開(kāi)關(guān),無(wú)需機(jī)械觸點(diǎn)即可工作,而是使用 MOSFET 等固態(tài)半導(dǎo)體來(lái)切換電氣負(fù)載。

2023-06-03 標(biāo)簽:MOSFET固態(tài)繼電器SSR 6220 0

氧化鎵成超寬禁帶功率半導(dǎo)體新寵

美國(guó)佛羅里達(dá)大學(xué)、美國(guó)海軍研究實(shí)驗(yàn)室和韓國(guó)大學(xué)的研究人員在AIP出版的《應(yīng)用物理學(xué)》上發(fā)表了研究有關(guān),展現(xiàn)最具前景的超寬帶化合物——氧化鎵(Ga2O3)...

2018-12-28 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體 6200 0

SiC MOSFET的實(shí)時(shí)結(jié)溫監(jiān)控電路測(cè)量方案

SiC MOSFET的實(shí)時(shí)結(jié)溫監(jiān)控電路測(cè)量方案

本文介紹了一種新穎的測(cè)量電路,以測(cè)量用于測(cè)量SiC MOSFET的實(shí)時(shí)或?qū)嶋H結(jié)溫。可以看出,出于訂購(gòu)和處理數(shù)據(jù)或電流傳感器的目的,不需要本質(zhì)上復(fù)雜的任何算法。

2021-04-23 標(biāo)簽:MOSFET監(jiān)控電路SiC 6193 0

集成MOSFET的分立器件能用什么進(jìn)行替代?

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電源設(shè)計(jì)小貼士42:可替代集成MOSFET的分立器件

2018-08-16 標(biāo)簽:mosfet緩沖器分立器件 6184 0

集成電路制造工藝有哪幾種?

早期的硅基集成電路工藝以 **雙極型工藝為主** ,不久之后,則以更易大規(guī)模集成的 **平面金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)工藝為主流** 。MOSFET由于...

2023-05-06 標(biāo)簽:集成電路CMOSMOSFET 6136 0

功率MOSFET的詳細(xì)分析講解

功率MOSFET的詳細(xì)分析講解

功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效,該電阻與溫度有關(guān),溫度升高,該電阻變大;它還與門極驅(qū)動(dòng)電壓的大小有關(guān),驅(qū)動(dòng)電壓升高,該電阻變小。詳細(xì)的關(guān)系...

2020-12-12 標(biāo)簽:二極管MOSFET等效電路 6135 0

理想二極管的應(yīng)用實(shí)例及主要規(guī)格

理想二極管的應(yīng)用實(shí)例及主要規(guī)格

本文研究具有背靠背MOSFET的理想二極管以及其他更先進(jìn)的器件。文中還介紹了一種集成多種功能以提供整體系統(tǒng)保護(hù)的理想二極管解決方案。二極管是非常有用的器...

2024-01-07 標(biāo)簽:二極管MOSFET控制器 6101 0

雙向電平轉(zhuǎn)換工作原理 自動(dòng)雙向電平轉(zhuǎn)換芯片介紹

雙向電平轉(zhuǎn)換工作原理 自動(dòng)雙向電平轉(zhuǎn)換芯片介紹

如今整個(gè)電路系統(tǒng),性能要求越來(lái)越高,功耗要求越來(lái)越低,其設(shè)計(jì)也越來(lái)越復(fù)雜,在目前復(fù)雜系統(tǒng)設(shè)計(jì)中會(huì)存在各個(gè)元器件之間的工作電壓不一致的情況;

2023-12-26 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器場(chǎng)效應(yīng)管 6096 0

介紹 LTC7000 的特點(diǎn)性能與應(yīng)用

介紹 LTC7000 的特點(diǎn)性能與應(yīng)用

LTC7000 是一款快速、受保護(hù)的高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器,該器件包含一個(gè)內(nèi)部充電泵,因而允許外部 N 溝道 MOSFET 無(wú)限期地...

2018-06-28 標(biāo)簽:mosfet柵極驅(qū)動(dòng)器ltc7000 6090 0

MOS管驅(qū)動(dòng)電路講解

MOS管驅(qū)動(dòng)電路講解

前面說(shuō)了一些MOS管的知識(shí),就有同學(xué)留言說(shuō)能不能說(shuō)一下MOS管的一些簡(jiǎn)單使用場(chǎng)合和工作原理,那我們今天來(lái)簡(jiǎn)單說(shuō)一下,首先我們知道我們的電源從結(jié)構(gòu)來(lái)劃分的...

2023-03-26 標(biāo)簽:電源MOSFETMOS管 6089 0

MOSFET的電性能相關(guān)參數(shù)

MOSFET的電性能相關(guān)參數(shù)

本篇是讀懂MOSFET datasheet系列第二篇,主要介紹電性能相關(guān)的參數(shù)。 這部分的參數(shù)是我們經(jīng)常提到并且用到的,相關(guān)的參數(shù)如下表所示。

2023-04-26 標(biāo)簽:二極管MOSFET電壓 6077 1

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    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
  • OBD
    OBD
    +關(guān)注
    OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫,中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài),一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況,會(huì)馬上發(fā)出警示。
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線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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