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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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大功率寬帶MOSFET運(yùn)算放大器PA85的性能特點(diǎn)和典型應(yīng)用分析
PA85是Apex公司生產(chǎn)的高電壓、大功率寬帶MOSFET運(yùn)算放大器,它在安全操作區(qū)(SOA)沒(méi)有二次擊穿的限制,通過(guò)選擇合適的限流電阻可在任何負(fù)載下選...
2020-08-19 標(biāo)簽:mosfet半導(dǎo)體運(yùn)算放大器 7511 0
基于MOSFET控制的大范圍連續(xù)可調(diào)(0~45V) 的小功率穩(wěn)壓電源設(shè)計(jì)實(shí)例
功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET是一種單極型電壓控制器件,它不但具有自關(guān)斷能力,而且具有驅(qū)動(dòng)功率小,關(guān)斷速度快等優(yōu)點(diǎn),是目前開(kāi)關(guān)電源中常用的開(kāi)關(guān)器件。采用MOS...
2017-08-02 標(biāo)簽:mosfet開(kāi)關(guān)電源 7491 1
作為有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)方法的最后一篇文章,本文將介紹通過(guò)有刷電機(jī)“單開(kāi)關(guān)電路”和“半橋電路”進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的方法。兩種方法均適用直流驅(qū)動(dòng)和PWM驅(qū)動(dòng)。
SiC MOSFET的EMI和開(kāi)關(guān)損耗解決方案解析
碳化硅(SiC)MOSFET的快速開(kāi)關(guān)速度,高額定電壓和低RDSon使其對(duì)于不斷尋求在提高效率和功率密度的同時(shí)保持系統(tǒng)簡(jiǎn)單性的電源設(shè)計(jì)人員具有很高的吸引力。
MOSFET的絕對(duì)最大額定值相關(guān)參數(shù)
本篇是讀懂MOSFET datasheet系列第三篇,主要介紹絕對(duì)最大額定值相關(guān)的參數(shù)。 主要包括VDS、VGS、ID、IDM、IAS、EAS、PD、T...
#參考設(shè)計(jì)#低側(cè) MOSFET 控制功能的 5 至 7 節(jié)串聯(lián)電池包監(jiān)測(cè)器
一款具有高電芯電壓精度的 5 至 7 節(jié)串聯(lián)鋰離子 (Li-ion)、磷酸鐵鋰 (LiFePO4) 電池包設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)能夠非常精確地監(jiān)測(cè)各個(gè)電芯的電壓和...
2024-07-25 標(biāo)簽:MOSFET電池包監(jiān)測(cè)器 7407 0
使用MOSFET和晶體管構(gòu)建一個(gè)100W RMS輸出功率放大器電路
在本教程中,我們將使用MOSFET和晶體管構(gòu)建一個(gè)100W RMS輸出功率放大器電路,并連接一個(gè)4歐姆阻抗揚(yáng)聲器。
MOS,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor ...
依靠驅(qū)動(dòng)錯(cuò)誤產(chǎn)生原理,對(duì)驅(qū)動(dòng)等效電路進(jìn)行分析
DRV8711是一款有微步功能的步進(jìn)電機(jī)控制器,芯片內(nèi)部集成了微步分度器,通過(guò)配置最高可以支持1/256微步,極大的降低了MCU端的設(shè)計(jì)難度。為了降低電...
通過(guò)采用CMOS求和比較器實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)電源電流PWM控制
開(kāi)關(guān)電源1是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù),控制開(kāi)關(guān)管開(kāi)通和關(guān)斷的時(shí)間比率,維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源,開(kāi)關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制IC和MOSFET...
2018-12-12 標(biāo)簽:mosfet開(kāi)關(guān)電源pwm 7373 0
在一般的系統(tǒng)中,電源(包括電池)能否保持穩(wěn)定供電是極其重要的。因此,要花很長(zhǎng)的時(shí)間進(jìn)行電源測(cè)試時(shí),讓電源連接什么樣的負(fù)載就成了一個(gè)問(wèn)題。
FET的全稱是場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor),和BJT不同,F(xiàn)ET的核心工作原理是:通過(guò)在半導(dǎo)體上施加一個(gè)電場(chǎng)來(lái)改變...
什么是IGBT的退飽和?什么情況下IGBT會(huì)進(jìn)入退飽和狀態(tài)?
如下圖,是IGBT產(chǎn)品典型的輸出特性曲線,橫軸是C,E兩端電壓,縱軸是歸一化的集電極電流。可以看到IGBT工作狀態(tài)分為三個(gè)部分。
直流有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)與分析
直流有刷電機(jī)(Brushed DC motor)具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于控制、成本低等特點(diǎn), 在一些功能簡(jiǎn)單的應(yīng)用場(chǎng)合,或者說(shuō)在能夠滿足必要的性能、低成本和足...
2023-03-02 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì) 7307 0
假定我們?cè)O(shè)計(jì)電路中的功率MOSFET的總計(jì)算功耗為10W。該器件的最高結(jié)溫為150℃。考慮到結(jié)到外殼還存在溫差,那么MOSFET的實(shí)際外殼溫度必須保持在...
UCC21520是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,可以提供4A sink電流,6A source電流,可以支持很高的開(kāi)關(guān)頻率并有較高的隔離強(qiáng)度,常被用來(lái)驅(qū)動(dòng)...
2023-04-04 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 7300 0
開(kāi)關(guān)電源和線性電源差異 開(kāi)關(guān)電源220v轉(zhuǎn)24v原理
開(kāi)關(guān)電源使用開(kāi)關(guān)器件(如晶體管、功率MOSFET等)來(lái)快速切換電源電壓或電流,并通過(guò)濾波電路將輸出電壓調(diào)整為需要的直流電壓。開(kāi)關(guān)電源利用開(kāi)關(guān)的快速切換和...
2023-09-18 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源濾波電路 7293 0
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