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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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MOSFET及IGBT在電力電子應(yīng)用設(shè)計(jì)
多數(shù)情況下,功率變換器的傳導(dǎo)干擾以共模干擾為主。本文介紹了一種基于補(bǔ)償原理的無(wú)源共模干擾抑制技術(shù),并成功地應(yīng)用于多種功率變換器拓?fù)渲小@碚摵蛯?shí)驗(yàn)結(jié)果都證...
2017-09-28 標(biāo)簽:mosfet開(kāi)關(guān)電源igbt 9322 0
900VMDmesh? K5超結(jié)MOSFET管滿(mǎn)足更高功率和更高能效的系統(tǒng)需求
新品登場(chǎng)
2017-09-20 標(biāo)簽:MOSFET意法半導(dǎo)體Mesh 6045 0
MOSFET知識(shí)點(diǎn)全集,初級(jí)工程師學(xué)習(xí)利器
MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMO...
2017-09-13 標(biāo)簽:mosfet半導(dǎo)體器件 1.0萬(wàn) 0
Mosfet驅(qū)動(dòng)電路開(kāi)發(fā)進(jìn)階之路
常見(jiàn)的MOS管驅(qū)動(dòng)方式有非隔離的直接驅(qū)動(dòng)、自舉驅(qū)動(dòng),和有隔離的變壓器驅(qū)動(dòng)、光耦隔離驅(qū)動(dòng)等。
2017-08-30 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路 1.5萬(wàn) 0
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)檢測(cè)方法與經(jīng)驗(yàn)
根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象,可以判別出結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極。
2017-08-04 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 1.5萬(wàn) 0
基于MOSFET控制的大范圍連續(xù)可調(diào)(0~45V) 的小功率穩(wěn)壓電源設(shè)計(jì)實(shí)例
功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET是一種單極型電壓控制器件,它不但具有自關(guān)斷能力,而且具有驅(qū)動(dòng)功率小,關(guān)斷速度快等優(yōu)點(diǎn),是目前開(kāi)關(guān)電源中常用的開(kāi)關(guān)器件。采用MOS...
2017-08-02 標(biāo)簽:mosfet開(kāi)關(guān)電源 7512 1
電力電子世界在1959年取得突破,當(dāng)時(shí)Dawon Kahng和Martin Atalla在貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。...
什么是同步整流器?開(kāi)關(guān)MOSFET較同步整流器在功率電源中的耗散如何?
同步整流是采用通態(tài)電阻極低的專(zhuān)用功率MOSFET,來(lái)取代整流二極管以降低整流損耗的一項(xiàng)新技術(shù)。它能大大提高DC/DC變換器的效率并且不存在由肖特基勢(shì)壘電...
對(duì)于服務(wù)器、以太網(wǎng)交換機(jī)、基站、以及等云端基礎(chǔ)設(shè)施終端設(shè)備內(nèi)電源的功率密度的要求越來(lái)越高。為了應(yīng)對(duì)這一要求,將集成MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶...
2018-07-11 標(biāo)簽:mosfetdc轉(zhuǎn)換器功率器件 1308 0
如何實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率——第二部分:高速柵極驅(qū)動(dòng)器
在此系列的第一部分中,討論過(guò)高電流柵極驅(qū)動(dòng)器如何幫助系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)更高的效率。高速柵極驅(qū)動(dòng)器也可以實(shí)現(xiàn)相同的效果。
2017-03-01 標(biāo)簽:mosfet德州儀器柵極驅(qū)動(dòng)器 1949 0
MOSFET 安全工作區(qū)對(duì)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在
即使是在插入和拔出電路板和卡進(jìn)行維修或者調(diào)整容量時(shí),任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信設(shè)備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過(guò)軟啟動(dòng)電源,支持從正在工作的...
MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動(dòng)常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。本文探討MOSFE...
2016-12-15 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路 1.8萬(wàn) 0
功率放大電路是一種以輸出較大功率為目的的放大電路。因此,要求同時(shí)輸出較大的電壓和電流。管子工作在接近極限狀態(tài)。一般直接驅(qū)動(dòng)負(fù)載,帶載能力要強(qiáng)。
MOSFET的半橋驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)要領(lǐng)詳解
MOSFET憑開(kāi)關(guān)速度快、導(dǎo)通電阻低等優(yōu)點(diǎn)在開(kāi)關(guān)電源及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用中得到了廣泛應(yīng)用。要想使MOSFET在應(yīng)用中充分發(fā)揮其性能,就必須設(shè)計(jì)一個(gè)適合應(yīng)用的...
2016-10-09 標(biāo)簽:MOSFET半橋驅(qū)動(dòng)電路 6.6萬(wàn) 0
安森美創(chuàng)新的ATPAK封裝汽車(chē)功率MOSFET
安森美半導(dǎo)體創(chuàng)新的ATPAK封裝不僅可使功率MOSFET外形更纖薄,其采用的夾焊技術(shù)更可實(shí)現(xiàn)達(dá)100 A的電流處理能力,極佳的散熱性確保安全性和更高可靠...
2016-08-08 標(biāo)簽:MOSFET安森美半導(dǎo)體 2033 0
采用自舉升壓結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)雙電壓mosfet驅(qū)動(dòng)電路
自舉升壓電路的原理圖如圖1所示。所謂的自舉升壓原理就是,在輸入端IN輸入一個(gè)方波信號(hào),利用電容Cboot將A點(diǎn)電壓抬升至高于VDD的電平,這樣就可以在B...
2016-08-04 標(biāo)簽:mosfet驅(qū)動(dòng)電路 5553 0
功率mos管工作原理與幾種常見(jiàn)驅(qū)動(dòng)電路圖
本文介紹功率mosfet工作原理、幾種常見(jiàn)的mosfet驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì),功率mosfet驅(qū)動(dòng)電路原理圖。
2016-08-04 標(biāo)簽:電路圖mosfet驅(qū)動(dòng)電路 3.7萬(wàn) 0
精華!兼容路創(chuàng)和Leviton調(diào)光器的LED燈絲燈解決方案
晶豐明源BP3216燈絲燈可控硅調(diào)光方案解決三大LED燈絲燈調(diào)光難題,BP3216內(nèi)部集成MOSFET,體積小,特別適合燈絲燈的應(yīng)用;采用源極驅(qū)動(dòng),DC...
2016-05-25 標(biāo)簽:MOSFET可控硅調(diào)光LED燈絲燈 3101 0
大功率應(yīng)用的高能效電源設(shè)計(jì)方案
本文介紹一種大屏電視等大功率應(yīng)用的高能效電源設(shè)計(jì)方案。它能突破電壓模式控制的諸多限制,具有更瞬速的動(dòng)態(tài)反應(yīng),可顯著實(shí)現(xiàn)輕載和滿(mǎn)載時(shí)的高能效及超低待機(jī)能耗。
2016-01-13 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源電源設(shè)計(jì) 4026 0
一體化,更智能:?jiǎn)涡酒苿?dòng)電源解決方案
自智能手機(jī)問(wèn)世起,移動(dòng)電源也一直亦步亦趨地跟隨發(fā)展,從最初的單一功能到多芯片、更加智能化的MCU芯片還有到現(xiàn)在一體化的單芯片方案。本方案采用目前最先進(jìn)的...
2016-01-12 標(biāo)簽:MCUMOSFET移動(dòng)電源 2127 0
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