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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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反激式轉換器工作原理以及反激開關MOSFET源極流出的電流波形轉折點的分析
反激式轉換器在正常工作情況下,當MOSFET關斷時,初級電流(id)在短時間內(nèi)為 MOSFET的Coss(即Cgd+Cds)充電,當Coss兩端的電壓V...
本文將對一些參數(shù)進行探討,如硬開關和軟開關ZVS (零電壓轉換) 拓撲中的開關損耗,并對電路和器件特性相關的三個主要功率開關損耗—導通損耗、傳導損耗和關...
GaN功率電子分立器件產(chǎn)品類型的簡介以及其特點和優(yōu)勢分析
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)并稱為第三代半導體材料的雙雄。氮化鎵具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學穩(wěn)定性好(幾乎不被任何酸腐蝕)等性質(zhì)...
為減少開關管損耗的BSCO16NO3LSG型開關電源MOSFET
近年來,電源的輸出電壓越來越低、輸出電流越來越大(某些電源系統(tǒng)輸出幾十安培到上百安培)。因此,電源設計中采用開關電源控制器、加上多個驅(qū)動器及功率 MOS...
要實現(xiàn)LLC原邊MOSFET ZVS,MOSFET電容必須滿足的條件
LLC的優(yōu)勢之一就是能夠在比較寬的負載范圍內(nèi)實現(xiàn)原邊MOSFET的零電壓開通(ZVS),MOSFET的開通損耗理論上就降為零了。要保證LLC原邊MOSF...
MOS管一個ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高,而柵源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當高的...
采用自舉升壓電路,設計了一種BiCMOS Totem結構的驅(qū)動電路
結論 本文采用自舉升壓電路,設計了一種BiCMOS Totem結構的驅(qū)動電路。該電路基于Samsung AHP615 BiCMOS工藝設計,可在1.5V...
幾類器件慎重采用串并聯(lián)結構設計。繼電器不允許并聯(lián)一起以提供較大電流、兩只電容或兩只開關類管子(IGBT、三極管、MOSFET等)不用于串聯(lián)結構以解決單只...
電的發(fā)現(xiàn)是人類歷史的革命,由它產(chǎn)生的動能每天都在源源不斷的釋放,人對電的需求不亞于人類世界的氧氣,如果沒有電,人類的文明還會在黑暗中探索。 然而在電力電...
基于MOSFET控制的PWM型直流可調(diào)電源的設計與實現(xiàn)
由于儀器所用電源的體積和重量通常受到限制,為此提出一種由MOSFET控制,并且由高頻變壓器隔離的開關電源設計方法。該電源具有體積小、重量輕、抗干擾性能強...
本文基于UC3842高性能電流模式脈沖寬度調(diào)制(PWM)發(fā)生器控制的開關電源,適合應用于此類醫(yī)療系統(tǒng)。實驗通過光耦實現(xiàn)輸出和輸入的隔離,不僅提高了電源的...
辯證分析MOSFET與IGBT的內(nèi)部結構與應用區(qū)別
這種延遲引起了類飽和 (Quasi-saturation) 效應,使集電極/發(fā)射極電壓不能立即下降到其VCE(sat)值。這種效應也導致了在ZVS情況下...
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