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      標簽　>　mosfet

      mosfet

      mosfet

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      簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

      文章：5423個 瀏覽：218570次 帖子：1132個

      mosfet技術

      MOS替換方法及流程之柵源閾值電壓的mosfet源

      VGSth 所有mosfet源的特性都非常接近。關于計算，柵電壓(V)GATE_max) 總是小于VGSth 在所有mosfet中，那么模塊將總是能夠在...

      2018-09-23 標簽：mosfetmos 8527 0

      深入探討功率MOSFET變化對電流和電壓回路行為的影響

      深入探討功率MOSFET變化對電流和電壓回路行為的影響

      討論功率MOSFET變化對兩個回路(電流和電壓)行為的影響。由于MOSFET只影響功率單元，所以理論研究只適用于功率單元模型。

      2018-09-17 標簽：電流MOSFET電壓 5186 0

      MOSFET的結構和重點參數介紹及應用前景如何？

      最近，國內對MOSFET的需求大漲，導致業(yè)內缺貨，很多廠商有錢買不到貨，這是MOSFET廠商最愿意看到的。MOSFET需求增長源于物聯(lián)網、3C產品、云端...

      2018-09-15 標簽：CMOSMOSFET物聯(lián)網 5423 0

      東芝推出新一代超結功率MOSFET，進一步提高電源效率

      東芝宣布推出新一代超結功率MOSFET，新器件進一步提高電源效率。在這個連小學生做作業(yè)都講求高效率的年代，還有什么是高效率不能解決的呢？

      2018-09-13 標簽：MOSFET東芝 5566 0

      淺析IGBT以及MOSFET器件的隔離驅動技術

      由于不間斷電源的興起，IGBT技術得以飛速發(fā)展。IGBT的特點是具有電流拖尾效應，因此在關斷的瞬間對于抗干擾的性能要求非常嚴格，需要負壓驅動進行輔助。

      2018-09-13 標簽：MOSFETIGBT隔離驅動 5826 0

      三菱電機開發(fā)了首款6.5kV全SiC(Silicon Carbide)功率模塊

      6.5kV新型全SiC MOSFET功率模塊內部采用半橋拓撲，一般的大功率應用可以采用并聯(lián)連接來提高輸出功率。高電壓功率模塊在高頻下運行，需要考慮模塊自...

      2018-09-13 標簽：MOSFET三菱電機SiC 5915 0

      淺析MOSFET和電動汽車的12V配電架構

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      總的背景，是在整個智能化配電單元上，繼電器被MOSFET所取代。12V的配電架構，特別是電動汽車，由于整個系統(tǒng)的變化，都開始轉變。

      2018-09-13 標簽：繼電器MOSFET 5644 0

      一種智能的碳化硅MOSFET驅動核

      近年來，以碳化硅、氮化鎵材料為代表的第三代寬禁帶功率半導體器件越來越受到客戶的追捧。特別是碳化硅材料的MOSFET、肖特基二極管，以其寬帶隙，高電場強度...

      2018-09-24 標簽：MOSFET碳化硅 7616 0

      開關電源損耗知識點之開關電源產品各個部分的損耗計算

      學電源電源看這里，這次我們分享一下開關電源功率損耗及熱耗的工程估算！ 電源在為負載提供能量的同時也在燃燒自己，在電源設計時大家會很仔細的去分析負載的需求...

      2018-09-06 標簽：MOSFET開關電源 1.8萬 0

      低阻抗功率半導體開關的關鍵特性和應用優(yōu)勢分析

      功率半導體開關通常在用于電路設計時，能夠在不增加開關損耗的情況下減小電流傳導期間的損耗，這是其一大優(yōu)勢。在各種電路保護應用中，器件需要連續(xù)傳送電流，較低...

      2019-12-16 標簽：開關mosfet半導體 3528 0

      怎么用自供電運放建立一個低泄漏整流器

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      2018-09-04 標簽：MOSFET整流器運放 5786 0

      基于IR2130驅動模塊的功率MOSFET驅動保護電路的設計

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      2018-12-25 標簽：mosfet晶體管驅動電路 1.1萬 0

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      由于IGBT管工作在大電流 高電壓狀態(tài)，工作頻率較高，發(fā)熱量大，因此其故障率較高，又由于其價格較高，故代換IGBT管時，應遵循以下原則：首先，盡量用原型...

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        TMS320F28335
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