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      標(biāo)簽　>　mosfet

      mosfet

      mosfet

      +關(guān)注148人關(guān)注

      簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

      文章：5423個 瀏覽：218594次 帖子：1132個

      mosfet技術(shù)

      實現(xiàn)具有更高擊穿電壓和更低待機電流的離線輔助PSU電源裝置

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      隨著半導(dǎo)體制造工藝向更高集成度和更穩(wěn)健方向發(fā)展，這一總趨勢使得器件制造商能夠開發(fā)出單芯片解決方案來實現(xiàn)離線功率轉(zhuǎn)換。

      2020-11-19 標(biāo)簽：MOSFET安森美半導(dǎo)體半導(dǎo)體制造 1310 0

      同步升壓型開關(guān)DC/DC控制器LTC3788/-1的性能特點及應(yīng)用范圍

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      2021-02-25 標(biāo)簽：放大器mosfet驅(qū)動器 2076 0

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      2020-11-13 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器mosfet驅(qū)動器 3284 0

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      2020-11-13 標(biāo)簽：mosfet驅(qū)動器控制器 1890 0

      使用MOSFET和額外的肖特基二極管的電路設(shè)計可最大限度地減少干擾

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      在負(fù)載點（POL）降壓轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域，同步變化的高邊和低邊有源開關(guān)已被廣泛使用。圖1顯示了具有理想開關(guān)的此類電路。與使用無源肖特基二極管作為低邊開關(guān)的架構(gòu)相...

      2020-11-09 標(biāo)簽：二極管轉(zhuǎn)換器mosfet 4344 1

      開關(guān)穩(wěn)壓器的基礎(chǔ)知識之輸出預(yù)偏置保護

      DC/DC轉(zhuǎn)換器啟動時的Vout電壓基本上假設(shè)為零伏，但實際上由于電路構(gòu)成和短時間內(nèi)的重新啟動等因素影響，啟動前Vout可能存在電壓，也就是說可能并非為零。

      2021-03-05 標(biāo)簽：MOSFET開關(guān)穩(wěn)壓器DC-DC轉(zhuǎn)換器 2771 0

      高度集成的開關(guān)穩(wěn)壓器單片式解決方案解析

      開關(guān)穩(wěn)壓器可以采用單片結(jié)構(gòu)，也可以通過控制器構(gòu)建。在單片式開關(guān)穩(wěn)壓器中，各功率開關(guān)（一般是MOSFET）會集成在單個硅芯片中。使用控制器構(gòu)建時，除了控制...

      2021-03-05 標(biāo)簽：MOSFET開關(guān)穩(wěn)壓器 2967 0

      基于LCC拓?fù)涞陌霕騆CC諧振變換數(shù)字控制和同步整流為特性的300W電源

      作者：Akshat JAIN， Fabrizio DI FRANCO 近年來，諧振變換器的熱度越來越高，被廣泛用于計算機服務(wù)器、電信設(shè)備、燈具和消費電子...

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      Nexperia均流技術(shù)的并行MOSFET設(shè)計應(yīng)用

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      2021-03-12 標(biāo)簽：MOSFETNexperia 5588 0

      使用H橋電路來驅(qū)動有刷直流電機的方案介紹

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      在該有刷直流電機驅(qū)動的驅(qū)動器電路示例中，可以通過線性控制高邊Pch MOSFET來更改OUT引腳的H電壓，從而控制施加到電機的電壓。

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      為什么需要注意SiC MOSFET柵極？

      作者：Martin Warnke和Yazdi Mehrdad Baghaie 各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中SiC MOSFET的出現(xiàn)大大提高了性能和效率。但是，如果使...

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      新型三相逆變器如何進行SiC MOSFET的結(jié)溫估算？

      與功率MOSFET相比，功率MOSFET中的SiC具有一系列優(yōu)勢，例如更高的電導(dǎo)率，更低的開關(guān)速度和更低的傳導(dǎo)損耗[1] [2]-[6]。

      2021-03-12 標(biāo)簽：MOSFET熱敏電阻功率轉(zhuǎn)換器 8167 0

      如何為電源設(shè)計選擇合適的MOSFET

      根據(jù)柵極電壓，觀察負(fù)載R1上流過的電流，看看MOSFET的導(dǎo)電性能如何。相對圖如圖3所示。對于–25 V至5.8 V之間的所有“柵極”電壓，該組件均保持...

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      在寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān)的新時代，器件類型的選擇包括具有自己的特性并聲稱具有最佳性能的SiC?MOSFET和GaN HEMT單元。但是，這兩者都不是理想的開關(guān)...

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      2021-03-19 標(biāo)簽：MOSFET穩(wěn)壓器開關(guān)穩(wěn)壓器 1.1萬 0

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        +關(guān)注
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        ESP8266
        +關(guān)注
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