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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的功耗計(jì)算方法(二)
本文將繼上一篇文章之后,繼續(xù)介紹有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的功耗計(jì)算方法。在上一篇中,介紹了有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的典型驅(qū)動(dòng)方法——恒壓驅(qū)動(dòng),本文將介紹有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的另一...
2021-06-12 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器PWM 2707 0
MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線路中。其中,SiC MOSFET在近年來的應(yīng)用速度與日俱增,它的工作速度...
SiCmosfet三相全橋逆變電路中,同一橋臂上下功率器件容易受器件寄生參數(shù)的影響而互相產(chǎn)生干擾,該現(xiàn)象稱為橋臂串?dāng)_。這種現(xiàn)象容易造成橋臂直通或者燒毀功...
常見的MOSFET驅(qū)動(dòng)方式,驅(qū)動(dòng)電路的參數(shù)計(jì)算
在簡單的了解MOS管的基本原理以及相關(guān)參數(shù)后,如何在實(shí)際的電路中運(yùn)用是我們努力的方向。比如在實(shí)際的MOS驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)中,如何去根據(jù)需求搭建電路,計(jì)算參數(shù)...
2021-05-15 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路 2.0萬 0
分立MOSFET數(shù)據(jù)手冊中最突出的規(guī)格之一是漏極 - 源極導(dǎo)通電阻,縮寫為R DS (on)。這個(gè)R DS (on)的想法看起來非常簡單:當(dāng)FET截止時(shí)...
充電器市場高穩(wěn)定方案 思睿達(dá)TT5259+TT3017L_12V2A SMPS工程樣機(jī)測試
1、樣機(jī)介紹 ? 該測試報(bào)告是基于一個(gè)能適用于寬輸入電壓范圍,輸出功率24W,恒壓輸出的工程樣機(jī),控制IC采用了思睿達(dá)微電子的TT5259、TT3017...
功率MOSFET的輸出電容Coss會隨著外加電壓VDS的變化而變化,表現(xiàn)出非線性的特性,超結(jié)結(jié)構(gòu)的高壓功率MOSFET采用橫向電場的電荷平衡技術(shù),如圖1...
作為有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)方法的最后一篇文章,本文將介紹通過有刷電機(jī)“單開關(guān)電路”和“半橋電路”進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的方法。兩種方法均適用直流驅(qū)動(dòng)和PWM驅(qū)動(dòng)。
思睿達(dá)CR6267SK與X1135N有區(qū)別?測試報(bào)告新鮮出爐
上一篇報(bào)告我們將思睿達(dá)主推的CR6248和XX33AP進(jìn)行了對比,得出的結(jié)論是思睿達(dá)主推的CR6248會比XX33AP的效率高,功耗小。本篇文章,我們將...
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)主要用于開關(guān)應(yīng)用中,具有高電壓和高電流的特點(diǎn)。它們具有更高的效率和更優(yōu)良的高速開關(guān)能力,因此成為電源設(shè)計(jì)中的...
2021-05-02 標(biāo)簽:MOSFET電源設(shè)計(jì)晶體管 4497 0
用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
電池供電的便攜式設(shè)備越來越多,在如今的生活中扮演的角色也愈發(fā)重要。這個(gè)趨勢還取決于高能量存儲技術(shù)的發(fā)展,例如鋰離子(Li-ion)電池和超級電容器。這些...
2021-04-14 標(biāo)簽:MOSFET升壓轉(zhuǎn)換器碳化硅 1465 0
碳化硅如何能夠提升開關(guān)電源設(shè)計(jì)
一個(gè)關(guān)鍵的比較參數(shù)是導(dǎo)通電阻RDS(on)。硅MOSFET表面的參數(shù)看起來比SiC更好,但由于其較低的倍增系數(shù)(κ),在100℃時(shí),一個(gè)84mΩ的Coo...
2021-04-14 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源碳化硅 1729 0
當(dāng)我們在GB之間加一個(gè)正電壓以后,便會在P區(qū)和O區(qū)之間形成N型半導(dǎo)體,從而使得SD導(dǎo)通;當(dāng)GB沒有電壓PO之間的N區(qū)就會消失,使得SD斷開。
車身控制模塊設(shè)計(jì)的要求及不同方案的優(yōu)劣勢分析
隨著人們對汽車的操控性及舒適性需求不斷升高,汽車車身中的電子設(shè)備越來越多,如電動(dòng)后視鏡、中控門鎖、玻璃升降器、車燈乃至其它更多的高級功能等。
2021-04-06 標(biāo)簽:mosfet驅(qū)動(dòng)器半導(dǎo)體 3968 0
MOSFET箝位電路的工作原理及應(yīng)用設(shè)計(jì)
輸出功率100W以下的AC/DC電源通常都采用反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。這種電源成本較低,使用一個(gè)控制器就能提供多路輸出跟蹤,因此受到設(shè)計(jì)師們的青睞,且已成為元件...
國產(chǎn)4口包MOS PSE 芯片DH2184特性概述 已通過SIFOS標(biāo)準(zhǔn)測試
一、什么是POE? POE(PowerOverEthernet)指的是在現(xiàn)有的以太網(wǎng)Cat.5布線基礎(chǔ)架構(gòu)不作任何改動(dòng)的情況下,在為一些基于IP的終端(...
GaN Charger推薦方案- HGN093N12S/SL高頻應(yīng)用MOSFET
選用本款HGN093N12S/SL產(chǎn)品, 可以讓客戶提高整機(jī)效率, 并且溫度也隨之下降, 效率提升之外, 整體表現(xiàn)與CP值都能有效提升。
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