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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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U321電源ic是一款集成高壓啟動和供電功能的多模式PWM 控制器。該系列產(chǎn)品支持離線式非隔離降壓和升降壓型拓撲電路,適用于小家電電源和線性電源替代等場所。
評估1200V SiC MOSFET在短路條件下的穩(wěn)健性
由于其極低的開關損耗,碳化硅 (SiC) MOSFET 為最大限度地提高功率轉(zhuǎn)換器的效率提供了廣闊的前景。然而,在確定這些設備是否是實際電源轉(zhuǎn)換應用的實...
碳化硅MOSFET的經(jīng)濟高效且可靠的大功率解決方案
碳化硅已被證明是高功率和高電壓設備的理想材料。但是,設備的可靠性極其重要,我們不僅指短期可靠性,還指長期可靠性。性能、成本和可制造性也是其他重要因素,但...
對基于碳化硅 (SiC) 的系統(tǒng)的需求持續(xù)快速增長,以最大限度地提高效率并減小尺寸和重量,從而使工程師能夠創(chuàng)建創(chuàng)新的電源解決方案。利用 SiC 技術的應...
我原以為,這是一個簡單的項目,直到遇到其他資深專業(yè)人士對所使用的方法和所獲得的結果的拒絕。有這些準諧振 DC 到 DC 轉(zhuǎn)換器 正在使用中,它們的預期工...
2022-08-08 標簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETDC-DC 898 0
CMF02A是一款具有高速開關用途的FRD二極管,與典型二極管相比,F(xiàn)RD具有更短的反向恢復時間(trr),因此具有更快的開關時間和更低的損耗。當然,C...
選擇合適的柵極驅(qū)動器來解決碳化硅(SiC)的設計挑戰(zhàn)
Balogh還指出了其他需要考慮的問題,例如保護功能、欠壓鎖定、更高頻率的工作、更快的開關速度和裸片上的熱點,這些都會對功耗、EMI和尺寸產(chǎn)生影響。
我們都知道,IGBT發(fā)生短路時,需要在10us或者更短的時間內(nèi)關閉IGBT,在相同的短路能耗下可以由其他參數(shù)來進行調(diào)節(jié),如柵極電壓VGE,母線電壓等,但...
硅晶體管的發(fā)展導致更多基于硅的晶體管的發(fā)明,例如金屬氧化物半導體晶體管(MOSFET)。第一個 MOSFET由貝爾實驗室研究員 John Atalla ...
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