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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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60V輸入單芯片轉(zhuǎn)換器為關(guān)鍵電路供電
LTC3649是一款單芯片降壓調(diào)節(jié)器,能夠在3.1 V至60 V的輸入電 壓范圍內(nèi)工作,并可在高達(dá)4 A的輸出電流下高效產(chǎn)生單個電阻可編程輸出電壓。僅這...
2023-02-14 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器MOSFET 881 0
DC/DC評估篇損耗探討-同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的柵極電荷損耗
本文將探討功率開關(guān)MOSFET的柵極驅(qū)動相關(guān)的損耗,即下圖的高邊和低邊開關(guān)的“PGATE”所示部分。柵極電荷損耗是由該例中外置MOSFET的Qg(柵極電...
2023-02-23 標(biāo)簽:MOSFET降壓轉(zhuǎn)換器電荷 881 0
溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET與實(shí)際產(chǎn)品
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中,ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
雙輸出高效率轉(zhuǎn)換器可將功率損耗和電源噪聲降至最低
LTC?3890 雙輸出 DC/DC 控制器為需要從高電壓輸入提供低電壓輸出的應(yīng)用帶來了高性能功能的獨(dú)特組合。它可以從0V至8V的輸入電壓產(chǎn)生兩個24....
PI新品LinkSwitch-XT2SR助力小型敞開式電源應(yīng)用案例
Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號:POWI)宣布推出LinkSwitch-XT2SR系列離線、恒壓(CV)、非隔離反激式開關(guān)IC。
由于它們不同的器件結(jié)構(gòu),高壓BJT的制造成本要低于高壓MOSFET。正因如此,額定電壓在1kV或者以上的BJT的價(jià)格要低于通用輸入離線反激式轉(zhuǎn)換器中常見...
開關(guān)電源芯片U6217概述及主要特點(diǎn)
越來越多的游戲愛好者喜歡玩一些格斗游戲,既能享受到游戲帶來的樂趣還能緩解身體疲勞。這自然少不了一款好的游戲手柄來搭配游戲體驗(yàn)。國內(nèi)躋身游戲外設(shè)電子產(chǎn)品賽...
自保護(hù)MOSFET提高了汽車電子設(shè)備的可靠性
汽車行業(yè)需要具有成本效益且完全可靠的電氣系統(tǒng),但這種嚴(yán)酷且具有潛在破壞性的環(huán)境對控制現(xiàn)代車輛中常見的無數(shù)功能所需的功率半導(dǎo)體器件提出了巨大挑戰(zhàn)。
可能對于反饋到該同相引腳的電路感覺有點(diǎn)不協(xié)調(diào),但是由于Pch MOSFET為活動狀態(tài)的L,因此會反饋運(yùn)算放大器輸出的反向電壓。這與使用PNP晶體管作為升...
下一代隔離式Σ-Δ調(diào)制器如何改進(jìn)系統(tǒng)級電流測量
隔離調(diào)制器廣泛用于需要高精度電流測量和電流隔離的電機(jī)/逆變器。隨著電機(jī)/逆變器系統(tǒng)向高集成度和高效率轉(zhuǎn)變,SiC和GaN FET由于具有更小尺寸、更高開...
PCIM2024論文摘要|并聯(lián)SiC MOSFET的均流研究
/摘要/并聯(lián)SiCMOSFET面臨著許多技術(shù)挑戰(zhàn),包括電流不平衡、不同的熱性能、過電壓等。本文介紹了不同參數(shù)對并聯(lián)SiCMOSFET分流影響的理論分析和...
LTC3623可實(shí)現(xiàn)緊湊和可靠的解決方案
單個電阻用于設(shè)置器件的內(nèi)部基準(zhǔn)電壓。可調(diào)內(nèi)部基準(zhǔn)電壓設(shè)置輸出電壓,并允許輸出電壓在軌到軌(0V至V)范圍內(nèi)工作在.基準(zhǔn)電壓可直接作為音頻驅(qū)動器驅(qū)動,或配...
在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中,氮化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)因其優(yōu)異的性能而受到廣泛關(guān)注。SiCMOSFET以其高效率、高溫耐受性...
同步降壓型DC/DC控制器LTC3823的性能特點(diǎn)就應(yīng)用范圍
Linear推出的同步降壓型 DC/DC 控制器 LTC3823,該器件具有差分輸出電壓取樣、快速瞬態(tài)響應(yīng)、集成鎖相環(huán)同步和輸出電壓跟蹤功能。其差分放大...
具備出色穩(wěn)定性的CoolSiC? MOSFET M1H
其中,溝道電阻Rch可以由下式描述。式中,L是溝道長度,W是溝道寬度,μn是電子遷移率,Cox是柵極氧化層電容,VGS(on)是導(dǎo)通狀態(tài)柵極電壓,VGS...
電隔離式(GI)柵極驅(qū)動器在優(yōu)化碳化硅(SiC)MOSFET性能方面扮演著至關(guān)重要的角色,特別是在應(yīng)對電氣化系統(tǒng)日益增長的需求時。隨著全球?qū)﹄娏υ诠I(yè)、...
碳化硅MOSFET并聯(lián)運(yùn)作提升功率輸出
碳化硅(SiC)MOSFET以其正溫度系數(shù)的特性進(jìn)行靜態(tài)電流的共享和負(fù)反饋。如果一個設(shè)備的電流更大,那么它就會加熱,相應(yīng)地增加其RDS(on)。這樣,過...
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