完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
文章:871個(gè) 瀏覽:96594次 帖子:205個(gè)
根據(jù)Boost架構(gòu)類型不同,Boost可分為同步和異步兩個(gè)大類,實(shí)際應(yīng)用的時(shí)候,會(huì)結(jié)合工作電壓和應(yīng)用場(chǎng)景不同來選型,因此在此基礎(chǔ)上,微源Boost會(huì)有更...
2022-07-12 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器BoostMOS 5121 0
MOS市場(chǎng)供需失衡將持續(xù)至8月份 照明、小家電需求旺盛
電子發(fā)燒友報(bào)道(文/黃山明)當(dāng)前,全球正陷入半導(dǎo)體供需失衡的狀態(tài),波及范圍之廣,影響程度之深可以說是非常罕見的。而目前來看,這種供需失衡的狀態(tài)短時(shí)間內(nèi)并...
季豐電子新增應(yīng)用在MOS等高壓IV Curve和高壓熱點(diǎn)定位
季豐電子新增加高壓IV Curve和高壓熱點(diǎn)定位,主要應(yīng)用在MOS,SiC,IGBT等高壓產(chǎn)品的失效分析,IV Curve掃描電壓范圍在±3000V,通...
CRE6255ME開關(guān)電源芯片的功能特點(diǎn)
CRE6255ME 是一款內(nèi)置高壓 MOS 功率開關(guān)管的高性能多模式原邊控制的開關(guān)電源芯片。該產(chǎn)品方便用戶以較少的外圍元器件、較低的系統(tǒng)成本設(shè)計(jì)出高性能...
2022-07-03 標(biāo)簽:電源MOS開關(guān)電源芯片 4958 0
光電開關(guān)中中的CCD的基本組成分兩部分,MOS光敏元陳列和讀出移位寄存器。電荷耦合器件是在半導(dǎo)體硅片上制作成千上萬個(gè)光敏元,一個(gè)光敏元又稱一個(gè)像素,在半...
2021-02-08 標(biāo)簽:CCDMOS光電開關(guān) 4891 0
逆變器mos管常用型號(hào),60-80v低內(nèi)阻mos管系列!
MOS管可以用作可變電阻也可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒...
HIOKI日置電壓偏置測(cè)試系統(tǒng)CN010
前言 HIOKI日置科技新品發(fā)布了電壓偏置測(cè)試系統(tǒng)CN010,通過我司LCR測(cè)試儀、電壓偏置單元搭配定制的測(cè)試軟件,幫助半導(dǎo)體行業(yè)的用戶快速完成SiC、...
2022-05-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體HIOKI測(cè)試系統(tǒng) 4462 0
安防監(jiān)控專用HC606介紹 60V常用低壓MOS管6A MOS N溝道小體積散熱能力好
型號(hào):HC080N06LS【06N06】 絲印:HC606 參數(shù):60V 6A? 類型:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 溝槽型 內(nèi)阻72mR 低結(jié)電容435pF? 封裝...
2021-02-20 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS 4390 0
即使搜索“結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管”,出來的也只有幾種,你是不是懷疑結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管已經(jīng)被人類拋棄了的感覺,沒錯(cuò),JFET相對(duì)來說是比較少使用的,如果你問百度,百度貌似...
2020-06-05 標(biāo)簽:三極管場(chǎng)效應(yīng)管MOS 4346 0
模擬開關(guān),是利用JFET或MOS的特性實(shí)現(xiàn)控制信號(hào)通路的開關(guān),主要用來完成信號(hào)鏈路連接或斷開的切換功能。由于它具有功耗低、速度快、無機(jī)械觸點(diǎn)、體積小和使...
2023-02-09 標(biāo)簽:JFET模擬開關(guān)MOS 4322 0
微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)和絲網(wǎng)印刷技術(shù)為氣體傳感器的小型化打開了大門,使這些微型化氣體傳感器能夠集成進(jìn)入智能手機(jī)和可穿戴設(shè)備等消費(fèi)電子產(chǎn)品。IDTechE...
MOS場(chǎng)效應(yīng)管的檢測(cè)方式及分類
MOS(場(chǎng)效應(yīng)管)首先是需要檢測(cè)的,那么在檢測(cè)的時(shí)候是比較簡(jiǎn)單的,比如說人工就可以來完成。這種初步的人工檢測(cè)主要是檢測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管在遭受到磁場(chǎng)的影響之后,會(huì)...
2020-07-17 標(biāo)簽:電阻場(chǎng)效應(yīng)管MOS 4096 0
TECH PUBLIC(臺(tái)舟電子)簡(jiǎn)介
TECH PUBLIC(臺(tái)舟電子)簡(jiǎn)介 臺(tái)舟電子股份有限公司是2009年建立,公司的精英設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)均來自于國(guó)內(nèi)外知名企業(yè),團(tuán)隊(duì)主管曾任職于美國(guó)硅谷著名IC...
薩科微SLKOR的MOS 場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用范圍和型號(hào)
深圳市薩科微SLKOR(http://www.slkormicro.com)科技有限公司于2005年開始研發(fā)產(chǎn)品,總部位于韓國(guó)釜山,專業(yè)從事功率元器件的...
2020-09-21 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOSSiC 4052 0
嵌入式源漏選擇性外延(Embedded Source and Drain Selective Epitaxy)
源漏選擇性外延一般采用氮化硅或二氧化硅作為硬掩模遮蔽層,利用刻蝕氣體抑制遮蔽層上的外延生長(zhǎng),僅在曝露出硅的源漏極區(qū)域?qū)崿F(xiàn)外延生長(zhǎng)。
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |