H橋驅(qū)動(dòng)原理，mos管h橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路圖

H橋是一個(gè)典型的直流電機(jī)控制電路，因?yàn)樗碾娐沸螤羁崴谱帜窰，故得名與“H橋”。4個(gè)三極管組成H的4條垂直腿，而電機(jī)就是H中的橫杠（注意：圖中只是簡(jiǎn)略示...

2021-03-21 標(biāo)簽：MOS管驅(qū)動(dòng)電路H橋 2.1萬(wàn) 0

什么是MOS管?MOS管的特點(diǎn)有哪些?

? 什么是MOS管？ MOS管的英文全稱(chēng)叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transisto...

2023-08-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 2.1萬(wàn) 0

三極管和MOS管的區(qū)別

制的區(qū)別：首選，要清楚的是：三極管是電流驅(qū)動(dòng)的，較低的電壓就可以驅(qū)動(dòng)三極管，但是三極管需要較大的控制電流; 而MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)的，驅(qū)動(dòng)電壓較高，但是驅(qū)...

2023-02-21 標(biāo)簽：三極管工藝MOS管 2.1萬(wàn) 0

關(guān)于MOS管寄生參數(shù)的影響和其驅(qū)動(dòng)電路要點(diǎn)

由于存在源邊電感，在開(kāi)啟和關(guān)段初期，電流的變化被拽了，使得充電和放電的時(shí)間變長(zhǎng)了。同時(shí)源感抗和等效輸入電容之間會(huì)發(fā)生諧振（這個(gè)諧振是由于驅(qū)動(dòng)電壓的快速變...

2018-01-31 標(biāo)簽：MOS管驅(qū)動(dòng)電路 2.0萬(wàn) 0

詳解過(guò)流保護(hù)電路原理以及構(gòu)成

一般我們用保險(xiǎn)來(lái)實(shí)現(xiàn)過(guò)流保護(hù)的功能，簡(jiǎn)單，成本低，但是保險(xiǎn)屬于物理保護(hù)，通過(guò)自爆的方式達(dá)到保護(hù)的目的，缺點(diǎn)就是只能保護(hù)一次，不可恢復(fù)，想要恢復(fù)功能就只能...

2022-04-14 標(biāo)簽：保護(hù)電路MOS管運(yùn)放 2.0萬(wàn) 2

MOS管的實(shí)際應(yīng)用

對(duì)于N型MOS管，若G、S之間為高（電壓方向G指向S，具體電平看具體MOS管 ），D、S（電壓方向D指向S）之間就會(huì)導(dǎo)通，此時(shí)D、S間相當(dāng)于一個(gè)很小的電...

2019-07-08 標(biāo)簽：三極管電路MOS管 2.0萬(wàn) 0

7個(gè)步驟來(lái)闡述MOS管的選型要求

電流的確定需從兩個(gè)方面著手：連續(xù)模式和脈沖尖峰。在連續(xù)導(dǎo)通模式下，MOS管處于穩(wěn)態(tài)，此時(shí)電流連續(xù)通過(guò)器件。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過(guò)器件。...

2019-05-05 標(biāo)簽：電流元器件MOS管 2.0萬(wàn) 3

JFET與MOSFET的特性曲線

場(chǎng)效應(yīng)晶體管主要分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)。從導(dǎo)電載流子的帶電極性來(lái)看，分為N溝道(電子型)和P溝道(空...

2023-03-21 標(biāo)簽：MOSFETMOS管JFET 2.0萬(wàn) 1

芯片功耗組成—internal power與總功耗的理解

靜態(tài)功耗（漏電功耗）是指芯片待機(jī)狀態(tài)下所產(chǎn)生的的功率消耗，來(lái)源于MOS管內(nèi)部的泄漏電流；泄漏電流有多個(gè)組成部分

2023-12-01 標(biāo)簽：MOS管反相器靜態(tài)功耗 2.0萬(wàn) 0

A/D轉(zhuǎn)換器的電路結(jié)構(gòu)和工作原理

為了保證能從取樣信號(hào)將原來(lái)的被取樣信號(hào)恢復(fù)，必須滿(mǎn)足：取樣頻率大于等于2倍的輸入模擬信號(hào)的最高頻率分量的頻率。

2022-08-30 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器MOS管A/D 2.0萬(wàn) 0

一文熟悉電流檢測(cè)電路的設(shè)計(jì)要點(diǎn)

為了滿(mǎn)足對(duì)直流電流進(jìn)行檢測(cè)的同時(shí)實(shí)現(xiàn)對(duì)電流信號(hào)縮小的需要，設(shè)計(jì)了一款電流檢測(cè)電路，采用CSMC 0.5 μm 120 V BCD工藝。不同于傳統(tǒng)電流檢測(cè)...

2017-11-13 標(biāo)簽：mos管電流檢測(cè)有源器件 1.9萬(wàn) 0

什么是交越失真？怎么消除交越失真？

想要學(xué)好電路，首先得學(xué)好電子元器件，就好比蓋樓前要先打好地基。而電子元器件中用的最多的莫過(guò)于三極管和MOS管。只有理解了這些基礎(chǔ)，才能更好進(jìn)行電路設(shè)計(jì)。

2023-11-06 標(biāo)簽：三極管電子元器件電路設(shè)計(jì) 1.9萬(wàn) 0

交錯(cuò)并聯(lián)全橋LLC電路的工作原理

電路一般用于輸入線電壓為380V的三相整流模塊的DC-DC變換電路。對(duì)于此類(lèi)整流模塊，母線電壓一般在800V左右。如果DC-DC變換電路依舊采用單個(gè)的兩...

2023-03-24 標(biāo)簽：MOS管變換電路DC-DC 1.9萬(wàn) 2

搞懂MOS管：MOS管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

由上圖結(jié)構(gòu)我們可以看到 MOS 管類(lèi)似三極管，也是背靠背的兩個(gè)PN結(jié)！三極管的原理是在偏置的情況下注入電流到很薄的基區(qū)通過(guò)電子-空穴復(fù)合來(lái)控制CE之間的...

2019-05-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體元器件MOS管 1.9萬(wàn) 0

詳解MOS管各個(gè)參數(shù)

ID: 最大漏源電流.是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí),漏源間所允許通過(guò)的最大電流.場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過(guò) ID .此參數(shù)會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所減額.

2023-12-01 標(biāo)簽：MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 1.9萬(wàn) 0

MOS管的應(yīng)用電路

芯片的集成度雖然越來(lái)越高，但是整個(gè)電路功能的實(shí)現(xiàn)，還是離不開(kāi)分離器件的搭配，本文就針對(duì)筆者在實(shí)際工作中的關(guān)于 MOS 管（三極管）的應(yīng)用做一些整理。

2023-03-10 標(biāo)簽：三極管應(yīng)用電路MOS管 1.9萬(wàn) 0